41 resultados para Gresset, 1709-1777.


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分布式乘法计算是安全多方计算中的重要部分,也是设计门限密码体制的基本协议.应用可验证秘密共享的方法,设计了两种不同情况下的整数环上多项相乘的鲁棒分布式乘法计算方案.其中并行不交互的鲁棒多项相乘的分布式乘法计算方案效率较高,且保持了不交互特性,而另一种方案却能达到最优弹性.

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随着软件产业国际化进程的发展,在操作系统中实现对我国少数民族文字的显示是一项具有挑战性和刻不容缓的任务,针对这项任务先分析了少数民族文字中蒙古文的语法特点和书写特点、桌面系统平台库QT的体系结构特点以及OpenType字体文件的特点,在此基础之上提出在QT中使用OpenType字体文件来实现蒙古文显示的详细实现方案,最后给出了目前该方案在项目中的实现情况和效果,并阐述了还有哪些地方需要进一步研究和改进。

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We have studied the photovoltaic effects in Si doping superlattices (nipi) under different excitation conditions with and without additional cw optical biasing using a He-Ne laser. On the basis of the photovoltaic theory of carrier spatial separation in superlattices, we propose the concept of spatial fixity of the photovoltage polarity in type-II superlattices and examine the experimental results. The photovoltaic effect in Si nipi is found mainly from the direct transitions related with shallow impurities in real space, not the electron-hole band-to-band process as in GaAs nipi.

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利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%~1.0%的Si_(1-x)C_x合金,研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量,850℃退火后,注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si_(1-x)C_x合金。随着注入C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,容易形成Si_(1-x)C_x合金,但注入的剂量增大到一定程度,Si_(1-x)C_x合金的应变将趋于饱和,即只有部分C原子进入晶格位置形成合金相。Si_(1-x)C_X合金一旦形成,在950℃仍比较稳定,而温度高于1000℃,合金的应力将部分释放。随着合金中C原子浓度的升高,合金的稳定性变差。

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利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%~1.0%的Si1?xCx合金, 研究了不同注入剂量下Si1?xCx合金的形成及其在退火过程中的稳定性. 如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量, 850℃退火后, 注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇, 难于形成Si1?xCx合金. 随着注入C离子剂量的增大, 注入产生的损伤增强, 容易形成Si1?xCx合金, 但注入的剂量增大到一定程度, Si1?xCx合金的应变将趋于饱和, 即只有部分C原子进入晶格位置形成合金相. Si1?xCx合金一旦形成, 在950℃仍比较稳定, 而温度高于1 000℃, 合金的应力将部分释放. 随着合金中C原子浓度的升高, 合金的稳定性变差.

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采用一次平衡法,对3种不同污染负荷土壤Cd2+和Pb2+的吸附-解吸行为进行了比较.结果表明,低污染负荷土壤对Cd2+和Pb2+的吸附能力高于高污染负荷土壤.3种土壤对Cd2+的吸附等温线与Freundlich方程有较好的拟合性,Pb2+的等温吸附过程可用Langmuir方程与Freundlich方程来描述.双常数方程是描述这3种不同污染负荷土壤中Cd2+和Pb2+吸附动力学行为的最优模型,其次为Elovich方程,最差模型是一级动力学方程.Pb2+的解吸滞后现象较Cd2+明显.高污染负荷土壤的吸附态Cd2+、Pb2+解吸率高于低污染负荷土壤,Cd2+、Pb2+解吸量与其初始吸附量之间的关系符合二次幂方程.3种土壤Cd2+、Pb2+的解吸速率随重金属初始浓度的增加而增加,随解吸时间的延长而降低.