用VHDL实现的23位快速浮点数加减法器

With the development of LSI, FPGA/CPLD has been used more and more in the fields of digital signal processing and au-tocontrol and so on. And with the development of the techniques of digital processing, for fitting the system’s function, it should be a higher requirement to speed and used-resource to compute the floating point numbers. The author introduces a high speed adder-subtracter of the 23 bit’s floating point numbers, which is carried out with the parallel arithmetic and the computational speed cou...中文文摘：随着大规模集成电路的不断发展,FPGA/CPLD在数字信号处理、自动控制等方面得到了越来越多的应用。并且伴随着数字化处理技术的不断发展,为满足系统功能的要求,对浮点数运算的速度以及相应占用的资源也就提出了更高的要求。笔者即介绍了以VHDL语言为基础,采用并行算法且计算速度达到33MHz的,对23位标准浮点数实现的高速浮点加减法运算器,并以Cyclone II芯片EP2C20F484为硬件环境,最终进行时序模拟仿真,从而验证该浮点加减法器的正确性和快速特性。

Xe~(23+)离子辐照Al_2O_3的光谱特性

本工作研究460 keV、3 MeV和308 MeV Xe23+辐照Al2O3单晶样品的光致发光特性。从经过460 keV Xe23+辐照后样品的光致发光测试结果可看到,波长为380、413和450 nm的发光峰明显增强,在390和564 nm处出现了新的发光峰。从3 MeV的Xe23+辐照后样品谱的变化可看到,在较低剂量条件下,516 nm(2.4 eV)和564 nm(2.2 eV)处的发光峰随辐照剂量增加而增强,且当剂量增到1×1016cm-2时,564 nm处的发光峰消失,只有516 nm(2.4 eV)处的发光峰较强。从308 MeV Xe23+辐照后样品的光致发光谱中可看到,357 nm(3.47 eV)和516 nm(2.4 eV)处的发光峰随着剂量增加明显增强。辐照后样品的FTIR谱显示:波数在460~510 cm-1和630 cm-1附近的吸收是Al2O3振动模式,经离子辐照后,吸收带展宽;1 000~1 300 cm-1间为Al—O—Al桥氧键的伸缩振动模式,高能辐照后的吸收带向低波数方向移动。

~(229)Ac具有较小的八极形变性质

通过 1 4MeV中子引起的2 32 Th(n ,α)反应产生2 2 9Ra ,由放射化学分离和γ(X)谱学方法 ,研究了2 2 9Ra到2 2 9Ac的低位态能级。分析结果表明 ,2 2 9Ac具有较小的八极形变性质

~(22)Na(p,γ)~(23)Mg反应的实验研究

讨论了目前有关2 2 Na(p ,γ) 2 3Mg反应的实验研究工作 ,结合兰州放射性束流线上的放射性束流2 3Al的β+延发质子衰变实验的测量结果 ,给出了2 3Al延发衰变的质子能谱 ,并比较了近期实验给出的相关能级的自旋、宇称值 ,正是由于这种自旋、宇称和能级部分宽度的不确定性 ,导致了反应率计算的不确定性 .计算了同位旋相似态的共振强度 .对于测量到的新的延发衰变能级Ed =8.91 6MeV ,由于没有相应的能级宽度值 ,实验仅给出其相对共振强度值