199 resultados para Ti-Mo alloys


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采用等温凝固方法研究了单晶镍基合金的凝固区间,利用DSC测试了合金的凝固曲线.结果表明:实验合金的液相线温度约为1380℃,固相线温度约为1310℃.合金的凝固顺序为: Lγ,L MC;γγ′;Lγ+MC.单晶合金的铸态组织中,W偏析于枝晶干, Ti,Cr,Mo和Ta偏析于枝晶间,偏析程度为: Mo>Ti>Cr>Ta, Al和Co几乎不发生偏析.1314℃1382℃1361℃1325℃

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A brief summary of TI C28X MCU is presented in this paper. The key points of power management design for all C28X MCU based on different requirements on power management are proposed. Two different solutions of power management design with specific examples can help C28X MCU developers with technical advice and have positive impact on application of C28X MCU in the field of industrial control.中文摘要:本文对 TI C28X 系列 MCU 作了简要归纳和介绍 针对各款 MCU 对电源管理的不同要求,提出了全系列 MCU 的电源管理部分设计要点,总结了两类不同的电源管理设计方案,对每类方案均给出了具体的设计案例 为 C28X 系列 MCU 的电源管理设计提供了技术指导,对促进 C28X 系列 MCU 在工业控制领域内的应用有积极的意义.

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研究了高电荷态离子129Xe28+轰击金属Au和Mo表面产生的特征X射线谱。实验结果表明,在入射离子的电荷态和能量相同的条件下,对于核电荷数较小、原子质量较轻的靶原子,只有其内壳层的电子才能被激发而产生X射线,而核电荷数较大、原子质量较重的靶原子只有其较外壳层的电子能被激发而产生X射线。特征X射线的产额随入射离子动能的增加而增加。

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DSP系统的程序都是保存在非易失性存储器中,系统启动的时候,程序加载到系统的RAM中去执行。本文详细描述了TITMS320C6713DSP板以Flash作为引导存储器,采用二级装载的办法来实现程序的加载,并给出了数据传输的代码片断。文章介绍的这种二级装载的方法也可以应用于C6000系列其他型号的处理器。

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分析了将程序代码写入FLASH的两种方法,并在基于TITMS320C6713的DSP系统设计中,以28F128J3A为例,讨论了用FlashBurn软件和FBTC目标组件程序烧写FLASH的具体实现过程,给出了主要程序代码。

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在中国原子能研究院HI-13串列加速器上用束-箔技术完成了80MeVTi离子和C箔相互作用产生的高电离态离子谱观测,与用激光等离子体技术的实验结果做了比较,大多数谱线与激光等离子体技术的实验结果有较好的符合,有3条谱线是未观测到的.这几条谱线为ⅩⅧ13·406,ⅩⅧ14·987,X17·439nm,属于2s2p24P3/2—2p32D3/2,2s2p21S0—2sp31P1,4p1P0—5d1P1跃迁.

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本工作实验研究低能高电荷态Ar13+离子与金属Mo表面作用过程中Mo原子受激发射X射线和X射线强度随入射能量的变化。实验结果表明,低速高电荷离子与金属表面原子相互作用可有效地激发靶原子或靶离子内壳层电子而发射X射线。

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在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源上用Si(Li)探测器观测到了不同动能的Ar15+和Ar16+离子与Mo表面相互作用过程产生的x射线.在不同动能的Ar16+与Mo表面作用过程中不仅能观测到Ar的K层x射线而且能观测到Mo的L层x射线.在不同动能的Ar15+入射下只能观测到Mo的L层x射线.实验结果表明,Ar的K层x射线的产额与入射离子的动能、作用过程中形成的空心原子携带的势能以及入射离子和靶原子x射线的竞争等有关,Mo的L层x射线随入射离子动能的增加而增加.

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在加速器上利用束箔光谱方法 ,测量了Ti离子的高电离态光谱

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观测了低速 (小于Bohr速度 )高电荷Ar17+离子与金属Mo表面相互作用的X射线发射 ,以及ArKα ,KβX射线强度随入射离子动能的变化 .