Measurement of the isospin-filtering dd → 4He K+K- reaction at Q = 39 MeV

The total cross-section for the dd → 4HeK+K− reaction has been measured at a beam momentum of 3.7GeV/c, corresponding to an excess energy of 39MeV, which is the maximum possible atthe Cooler Synchrotron COSY-Jülich. A deuterium cluster-jet target and the ANKE forward magnetic spectrometer, placed inside the storage ring, have been employed in this investigation. We find a total cross-section of σtot < 14 pb, which brings into question the viability of investigating the dd → 4He a0(980)reaction as a means of studying isospin violation.

84.5MeV~(12)C~(4+)离子诱发金属靶原子发射的Kβ与Kα-X射线强度比值的研究

本实验是在中国科学院兰州近代物理研究所,国家实验室的重离子加速器上完成的.实验用OR-TEC公司生产的HPGe X射线探测器测量了84.5 MeV的12C4+离子轰击Cu,Mo,Ag,Cd,In,Sn,W和Au金属靶产生的K壳层特征X射线谱,计算了Kβ与Kα-X射线强度的比值,并将结果与Scofield用Hartree-Fock-Slater模型计算出的理论值与用其它方法(如:衰变幅射,用光子,电子,质子等粒子与靶相互作用)得到的实验值进行了比较.比较结果表明用84.5 MeV的12C4+离子轰击Cu,Mo,Ag,Cd,In,Sn,W和Au金属靶产生的Kβ与K-αX射线强度比值比理论值和其它实验值要大许多.

奇异核物质中K介子有效质量

在Schaffner相对论平均场模型的框架基础上,考虑同位旋矢量介子δ,扩展了强子动力学模型和单玻色子交换K介子-模型,重新讨论了介子与重子和介子与K介子相互作用的耦合常数,研究了奇异核物质中K介子的有效质量,发现在奇异核物质中K介子的有效质量随密度的变化比在纯核子物质中的变化小.同位旋矢量介子δ对在奇异核物质中K介子有效质量随密度变化有明显的影响,但对不同的参数组,其影响的大小不同.

在pA碰撞中K~±,η和ф介子的阈下产生

简要评述了在pA碰撞过程中K±,η和ф介子的阈下产生及其对应的物理含义。这些介子的阈下产生都可以在兰州CSR上实现,特别是通过pA碰撞实现ф介子的阈下产生还没有看到实验数据的报道。

中子星物质中的K介子凝聚与三体核力效应

利用BruecknerHartreeFock方法,计算了β稳定中子星物质的状态方程以及三体核力的影响,特别是研究了三体核力对中子星物质中K介子凝聚的影响.结果表明三体核力对β稳定中子星物质中出现K介子凝聚的临界密度以及中子星物质中各种粒子所占的比例均有重要影响.三体核力的主要作用是降低了中子星物质中出现K介子凝聚的临界密度并使K凝聚相中的核物质更加接近于对称核物质.

空心原子的K-x射线谱

报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR离子源首次引出的全裸Ar离子和类氢、类氦、类锂Ar离子与Be固体表面相互作用形成的空心原子x射线实验测量结果 .结果发现 ,同样条件下 ,由于K壳层电子的剥离 ,Ar的K_x射线单离子发射产额增加了 5个量级 ,约为 3 6× 10 - 3每原子 ;而当L壳层存在电子时 ,Ar的K_x射线几乎观测不到

δ介子对确定K介子有效质量的影响

运用密度相关的平均场理论 ,分析了耦合常数随密度的变化及其对核子有效质量的影响 .尤其引入δ介子后 ,质子和中子的同位旋效应得到体现 ,使非对称核物质中质子和中子的有效质量出现差别 ,从而对标量密度产生影响 .利用含δ介子密度相关的相对论平均场理论 ,计算了在对称和非对称核物质中标量密度 ρS 和矢量密度 ρB 的关系 ,并由此研究了K介子有效质量随核物质密度的变化 ,分析了密度相关的耦合常数以及核物质非对称参数对K介子有效质量产生影响的大小 ,并与在耦合常数不依赖于核物质密度的情况下进行了比较 .

核物质中K介子有效质量与非线性效应

分析了核物质标量密度和矢量密度对K介子有效质量的影响.使用非线性σ ω ρ模型和相对论平均场理论,给出了核物质标量密度和矢量密度的近似关系曲线,并与线性σ ω模型的情况进行了比较.利用这一关系,改进了K介子有效质量和核物质密度之间存在的依赖关系,比较不同模型对K介子有效质量的影响.同时也计算了纯中子物质中K介子在不同模型下的有效质量曲线,并与在对称核物质中的情况进行了比较.

模型及其参数对确定K介子有效质量的影响

分别使用线性和非线性Walecka模型 ,讨论了重子标量密度 ρS 和矢量密度 ρB 的关系 .运用相对论平均场理论给出了不同模型下 ρS ρB 关系曲线 .利用这些结果 ,分析了模型和参数组对核物质中K介子有效质量影响的大小 ,得到了不同参数组下K介子有效质量随核物质密度的变化关系曲线 .同时计算了非对称核物质中K介子有效质量在不同模型和不同参数下的有效质量的曲线 ,并与对称核物质中的情况进行了比较 .

K-600中子发生器辐射防护的改进

目的　对K -60 0中子发生器原有的辐射防护做出评价 ,提出改进措施。方法　使用高灵敏度中子探测器和γ监测器 ,对中子发生器运行时n、γ辐射进行了全面的测量并对辐射场围周的防护设施进行改造。结果　改造前在中子厅西、南屏蔽墙外表面有贯穿辐射 ,特别是中子发生器建筑物项部表面有明显的贯穿辐射 ,并且在距离辐射源 3 0～ 40m处呈现峰值 ,显示出天空反射的效果。改造后辐射场外部周围贯穿辐射大为减弱。结论　通过改进措施达到了降低贯穿辐射的目的

核物质中K介子有效质量

分析了K介子在核物质中有效质量的变化受到核物质标量密度和矢量密度的双重影响,使用Walecka模型和相对论平均场理论,讨论了核物质标量密度与矢量密度的关系,利用这一关系改进了K介子有效质量和核物质密度之间存在的依赖关系。

中子星物质中的K介子凝聚

用密度相关的相对论平均场理论计算了中子星物质中的K介子凝聚 ,结果表明中子星物质发生K介子凝聚的临界密度约为 2 .75 ρ0 .中子星物质URCA过程发生的临界密度在考虑DB核物质中核子自能动量修正时为 ρρ0≈ 3.16,在不考虑DB核物质中核子自能动量修正时为 ρρ0≈ 2 .2 5 ,并进一步计算了密度相关的相对论平均场理论两种参数形式对中子星物质状态方程的影响 .

K-shell ionization cross section of aluminium induced by low-energy highly charged argon ions

Al K-shell X-ray yields are measured with highly charged Arq+ ions (q = 12-16) bombarding against aluminium. The energy range of the Ar ions is from 180 to 380 keV. K-shell ionization cross sections of aluminium are also obtained from the yields data. The experimental data is explained within the framework of 2p pi-2p sigma s rotational coupling. When Ar ions with 2p-shell vacancies are incident on aluminium, the vacancies begin to reduce. Meanwhile, collisions against Al atoms lead to the production of new 2p-shell vacancies of Ar ions. These Ar 2p-shell vacancies will transfer to the 1s orbit of an Al atom via 2p pi-2p sigma s rotational coupling leading to the emission of a K-shell X-ray of aluminiun. A model is constructed based on the base of the above physical scenario. The calculation results of the model are in agreement with the experimental results.

Structural and optical properties of 6H-SiC helium-implanted at 600 K

Single crystals of 6H-SiC were implanted at 600 K with 100 key He ions to three successively fluences and subsequently annealed at different temperatures ranging from 873 to 1473 K in vacuum. The recovery of lattice damage was investigated by different techniques including Rutherford backscattering spectrometry in channeling geometry, Raman spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy. All three techniques showed that the damage induced by helium ion implantation in the lattice is closely related to the fluence. Rutherford backscattering spectrometry/channeling data on high temperature implantations suggest that for a fluence of 3 x 10(16) He+/cm(2), extended defects are created by thermal annealing to 1473 K. Apart from a well-known intensity decrease of scattering peaks in Raman spectroscopy it was found that the absorbance peak in Fourier transform infrared spectroscopy due to the stretching vibration of Si-C bond shifted to smaller wave numbers with increasing fluence, shifting back to larger wave numbers with increasing annealing temperature. These phenomena are attributed to different lattice damage behavior induced by the hot implantation process, in which simultaneous recovery was prevailing. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.