259 resultados para 332.673
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描述了一台在兰州放射性次级束流线(RIBLL)前端安装的速度选择器系统,该系统由2个三组合四极透镜组和1个正交的电磁场组成,将用于熔合蒸发余核的研究.介绍了该设备的设计思路、基本参数和本底抑制能力、传输效率、角度接收度以及动量接收度的测量结果.结果表明该系统达到设计要求,进行适当改造后可用于Z≤110的超重核素的研究和中重核区滴线核的研究.
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本试验利用电子辐照PVA/CMC共混水凝胶,通过外观透明度、凝胶分数、溶胀度和红外光谱分析,研究了样品中结构的变化与外观透明度、凝胶分数和溶胀度的关系,以及辐照剂量对样品中结构和性能的影响。结果表明,不同比例的PVA与相同比例的CMC组成的共混水凝胶,经电子辐照后呈现不同的宏观特性。辐照样品萃取后得到的凝胶比萃取前的混合凝胶拥有更强的吸水性,表明辐照PVA/CMC共混凝胶形成了网状结构凝胶。几种竞争反应导致不同辐照剂量下混合凝胶中凝胶含量随PVA含量的变化变得复杂。辐照后样品的红外光谱分析显示,辐照使凝胶中部分仲醇中C上链接的H原子被取代而转变为叔醇,从而产生交联。
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为鉴别击中搭载水稻种子的空间重离子,一种固体核径迹探测器(SSNTD)CR-39被用作“三明治”式探测系统的一部分,通过测量离子在CR-39中的射程R和蚀刻率V,就可得到斜率(dR/dV-1)。根据自建的一个数学模型R*=0.015AZ3.13V-1,可利用已知离子标定实验数据来拟合得到该模型的系数。为此,CR-39对C、Ne、Si、Ar和Fe离子的标定实验分别在中国科学院近代物理研究所的重离子研究装置(HIRFL-IMP)上和日本国立放射医学综合研究所的重离子医用加速器(HIMAC-NIRS)上进行。拟合得到了一个离子鉴别公式Z3.13=3.75×104+1.50(dR/dV-1)和一条标定直线。
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报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.
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IEECAS SKLLQG
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IEECAS SKLLQG
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IEECAS SKLLQG
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在兰州的重离子加速器上用 2 6Mg离子束轰击 2 43 Am靶 ,产生了新同位素 2 65Bh .通过观测新同位素 2 65Bh和它的已知子核 2 61Db和 2 57Lr之间的α衰变的关联 ,实现了对新核素的鉴别 .实验中使用了一套新建立的具有数个探测器对的转轮收集探测系统 .将该系统用于特殊的母 -子核搜索模式 ,从而大大减少了本底 .共测得了 8个 2 65Bh的α衰变关联事件 ;同时 4个已知核 2 64Bh的衰变关联事件也被鉴别出来 .实验测得 2 65Bh的α衰变能量为 (9.2 4± 0 .0 5 )MeV ,半衰期为 0 .94 + 0 .70-0 .3 1s .
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IEECAS SKLLQG
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利用Skyrme有效相互作用对自旋极化的同位旋对称核物质和中子物质的特性进行了研究 .用 4种核子 -核子相互作用参数SⅢ ,SKM ,SLy2 30a和SLy2 30b ,分别描绘了核物质状态方程曲线 .可以发现不论使用哪一种参数 ,在自旋极化的同位旋对称核物质和中子物质中都存在着磁化相变转换点 .另外还对磁化系数进行了计算 ,给出了磁化系数比率随密度的变化关系 ,由于无限不连续点的存在 ,进一步肯定了在Skyrme Hartree Fock理论框架内两种物质会出现磁化相变转换点
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在扩展的Skyrme有效相互作用下 ,利用Hartree Fock理论研究了同位旋激发能与温度、密度的关系 .结果表明同位旋激发能随密度的降低以及温度的增加而降低 .同时研究了对称能与同位旋激发能的关系 ,指出对称能是同位旋激发能的一部分 ,且占相当大的比重 .最后研究了不同的势参数下 ,同位旋激发能随相对中子过剩的变化关系 ,发现同位旋激发能较强地依赖于对称能强度系数 ,而对不可压缩系数以及有效质量不太敏感 .从而为实验上通过研究同位旋激发能来提取核物质状态方程中的对称能部分指出了一条途径
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应用时间相关的局域密度近似模型研究了Na2 价电子对超短激光脉冲的响应 .分别计算了电场极化方向平行和垂直于两原子轴线的情况 ,结果表明Na2 具有强烈的各向异性
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In the present work, a Cz-Silicon wafer is implanted with helium ions to produce a buried porous layer, and then thermally annealed in a dry oxygen atmosphere to make oxygen transport into the cavities. The formation of the buried oxide layer in the case of internal oxidation (ITOX) of the buried porous layer of cavities in the silicon sample is studied by positron beam annihilation (PBA). The cavities are formed by 15 keV He implantation at a fluence of 2 x 10(16) cm(-2) and followed by thermal annealing at 673 K for 30 min in vacuum. The internal oxidation is carried out at temperatures ranging from 1073 to 1473 K for 2 h in a dry oxygen atmosphere. The layered structures evolved in the silicon are detected by using the PBA and the thicknesses of their layers and nature are also investigated. It is found that rather high temperatures must be chosen to establish a sufficient flux of oxygen into the cavity layer. On the other hand high temperatures lead to coarsening the cavities and removing the cavity layer finally.