Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in wide quantum wells

Subband separation energy dependence of intersubband relaxation time in a wide quantum well (250 Angstrom) was studied by steady-state and time-resolved photoluminescence. By applying a perpendicular electrical field, the subband separation energy in the quantum well is continuously tuned from 21 to 40 meV. As a result, it is found that the intersubband relaxation time undergoes a drastic change from several hundred picoseconds to subpicoseconds. It is also found that the intersubband relaxation has already become very fast before the energy separation really reaches one optical phonon energy. (C) 1997 American Institute of Physics.

GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟

采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学一机械模型对GaAs基1.55 μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究.结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHZ.

霍尔罗盘误差补偿算法及实验分析

研究了锑化铟(InSb)霍尔罗盘中的椭圆误差补偿问题。文中详细分析了基于椭圆假设的罗盘误差补偿算法,使罗盘具备了自动误差补偿和自动校准功能。实验结果表明,利用这种算法的霍尔罗盘精度达到了±2.46°,基本达到了实用要求。本文还详细分析了影响罗盘精度的原因和以后改进的措施.

1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制

研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1．55μm偏振不灵敏半导体光放大器（SOA）。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布，并用平面波展开法设计了多层抗反射膜，在TE模和TM模反射率同时小于10^-4时膜厚允许误差为3％。对放大自发发射谱（ASE）和增益谱的分析表明，他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250mA时，测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0．5dB，增益谱3dB带宽为63nm，1550nm处光纤到光纤增益为11．9dB，3dB饱和输出功率为5．6dB，在1570nm处的噪声指数为7．8dB。而一腔长1000μmSOA耦合封装后得到的最大增益为15dB。

纳米非晶硅(na-Si:H)P-i-n太阳电池

该文报道了通过适当氢稀释(RH=15)和合适的衬底温度(Ts=170℃)下,用PECVD制备得到的宽带隙氢化纳米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并将其用作pin太阳电池的本征层.经过电池结构和工艺条件的优化设计,在p/i,i/n界面插入渐变带隙缓冲层,制备出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al结构的pin太阳电池.电池初始开路电压(Voc)高达0.94V,同时还能保证0.72的填充因子(FF).光电转换效率(Eff)达到8.35%(AM1.5,100mW/cm2).

微光成像系统信噪比及图像探测特性研究

分析了电子轰击电荷耦合器件(EBCCD)微光成像系统的噪声源,建立了系统的信噪比模型,指出了在微光成像系统本身的增益和量子效率等性能确定的条件下,成像系统输出图像信噪比不仅仅与输入面照度有关,还与输入图像的空间频率有关,并通过实验得到了证明,指出了经典的图像探测方程(Rose方程)的不完善之处.

多壁碳纳米管的拉曼散射

报导了用直流碳弧放电方法制备的多层碳纳米管的喇曼光谱。其红移范围分布在2 cm~(-1)～13 cm~(-1)范围内。

In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射

国家自然科学基金