Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.

Estudios de especiación de arsénico y acumulación de metales en muestras de interés medioambiental : Arsenic speciation and metal accumulation studies in environmental samples

Se ha estudiado la determinación de especies de arsénico y de contenidos totales de arsénico y metales pesados, específicamente cadmio, cromo, cobre, níquel, plomo y cinc, en muestras de interés medioambiental por su elevada capacidad acumuladora de metales, concretamente algas marinas comestibles y plantas terrestres procedentes de suelos contaminados por la actividad minera. La determinación de contenidos totales se ha llevado a cabo mediante espectrometría de emisión atómica con plasma de acoplamiento inductivo (ICP‐AES), así como por espectrometría de fluorescencia atómica con generación de hidruros (HG‐AFS), para bajos contenidos de arsénico. Las muestras fueron mineralizadas en medio ácido y calentamiento en horno de microondas. Los métodos fueron validados a través de su aplicación a materiales de referencia de matriz similar a la de las muestras, certificados en contenidos totales de los elementos seleccionados. Los resultados obtenidos mostraron su elevada capacidad de bioabsorción, especialmente en relación a los elevados contenidos de arsénico encontrados en algunas especies de algas pardas (Phaeophytas). En las plantas, se calcularon los factores de translocación, acumulación y biodisponibilidad de los elementos estudiados, permitiendo identificar a la especie Corrigiola telephiifolia como posible acumuladora de plomo e hiperacumuladora de arsénico. La determinación de especies de arsénico hidrosolubles en las muestras objeto de estudio, se llevó a cabo por cromatografía líquida de alta eficacia (HPLC) acoplado a ICP‐AES, HG‐ICP‐AES y HG‐AFS, incluyendo una etapa previa de foto‐oxidación. Los métodos desarrollados, mediante intercambio aniónico y catiónico, permitieron la diferenciación de hasta once especies de arsénico. Para el análisis de las muestras, fue necesaria la optimización de métodos de extracción, seleccionándose la extracción asistida por microondas (MAE) con agua desionizada. Asimismo, se realizaron estudios de estabilidad de arsénico total y de las especies hidrosolubles presentes en las algas, tanto sobre la muestra sólida como en sus extractos acuosos, evaluando las condiciones de almacenamiento adecuadas. En el caso de las plantas, la aplicación del diseño factorial de experimentos permitió optimizar el método de extracción y diferenciar entre las especies de arsénico presentes en forma de iones sencillos de mayor movilidad y el arsénico más fuertemente enlazado a componentes estructurales. Los resultados obtenidos permitieron identificar la presencia de arseniato (As(V)) y arsenito (As(III)) en las plantas, así como de ácido monometilarsónico (MMA) y óxido de trimetilarsina (TMAO) en algunas especies. En la mayoría de las algas se encontraron especies tóxicas, tanto mayoritarias (arseniato) como minoritarias (ácido dimetilarsínico (DMA)), así como hasta cuatro arsenoazúcares. Los resultados obtenidos y su estudio a través de la legislación vigente, mostraron la necesidad de desarrollar una reglamentación específica para el control de este tipo de alimentos. La determinación de especies de arsénico liposolubles en las muestras de algas se llevó a cabo mediante HPLC, en modo fase inversa, acoplado a espectrometría de masas con plasma de acoplamiento inductivo (ICP‐MS) y con ionización por electrospray (ESI‐MS), permitiendo la elucidación estructural de estos compuestos a través de la determinación de sus masas moleculares. Para ello, fue necesaria la puesta a punto de métodos extracción y purificación de los extractos. La metodología desarrollada permitió identificar hasta catorce especies de arsénico liposolubles en las algas, tres de ellas correspondientes a hidrocarburos que contienen arsénico, y once a arsenofosfolípidos, además de dos especies desconocidas. Las masas moleculares de las especies identificadas fueron confirmadas mediante cromatografía de gases acoplada a espectrometría de masas (GC‐MS) y espectrometría de masas de alta resolución (HR‐MS). ABSTRACT The determination of arsenic species and total arsenic and heavy metal contents (cadmium, chromium, cooper, nickel, lead and zinc) in environmental samples, with high metal accumulator capacity, has been studied. The samples studied were edible marine algae and terrestrial plants from soils polluted by mining activities. The determination of total element contents was performed by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP‐AES), as well as by hydride generation atomic fluorescence spectrometry (HG‐AFS) for low arsenic contents. The samples studied were digested in an acidic medium by heating in a microwave oven. The digestion methods were validated against reference materials, with matrix similar to sample matrix and certified in total contents of the elements studied. The results showed the high biosorption capacity of the samples studied, especially regarding the high arsenic contents in some species of brown algae (Phaeophyta division). In terrestrial plants, the translocation, accumulation and bioavailability factors of the elements studied were calculated. Thus, the plant species Corrigiola telephiifolia was identified as possible lead accumulator and arsenic hyperaccumulator. The determination of water‐soluble arsenic species in the samples studied was carried out by high performance liquid chromatography (HPLC) coupled to ICP‐AES, HG‐ICP‐AES and HG‐AFS, including a prior photo‐oxidation step. The chromatographic methods developed, by anion and cation exchange, allowed us to differentiate up to eleven arsenic species. The sample analysis required the optimization of extraction methods, choosing the microwave assisted extraction (MAE) with deionized water. On the other hand, the stability of total arsenic and water‐soluble arsenic species in algae, both in the solid samples and in the water extracts, was studied, assessing the suitable storage conditions. In the case of plant samples, the application of a multivariate experimental design allowed us to optimize the extraction method and differentiate between the arsenic species present as simple ions of higher mobility and the arsenic more strongly bound to structural components. The presence of arsenite (As(III)) and arsenate (As(V)) was identified in plant samples, as well as monomethylarsonic acid (MMA) and trimethylarsine oxide (TMAO) in some cases. Regarding algae, toxic arsenic species were found in most of them, both As(V) and dimethylarsinic acid (DMA), as well as up to four arsenosugars. These results were discussed according to the current legislation, showing the need to develop specific regulations to control this kind of food products. The determination of lipid‐soluble arsenic species in alga samples was performed by reversed‐phase HPLC coupled to inductively coupled plasma and electrospray mass spectrometry (ICP‐MS and ESI‐MS), in order to establish the structure of these compounds by determining the corresponding molecular masses. For this purpose, it was necessary to develop an extraction method, as well as a clean‐up method of the extracts. The method developed permitted the identification of fourteen lipid‐soluble arsenic compounds in algae, corresponding to three arsenic‐hydrocarbons and eleven arsenosugarphospholipids, as well as two unknown compounds. Accurate mass measurements of the identified compounds were performed by gas chromatography coupled to mass spectrometry (GC‐MS) and high resolution mass spectrometry (HR‐MS).

Validez y fiabilidad del sensor láser del sistema BioLaserSport® para el análisis de la velocidad de la carrera

El análisis de la velocidad de carrera mediante sensores láser permite la obtención de datos en tiempo real siendo ventajosos frente a otros sistemas. El objetivo de este estudio fue valorar la validez y fiabilidad del sensor láser del sistema BioLaserSport® para el cálculo de velocidades medias y máximas mediante estadísticos relativos y absolutos. Los participantes fueron 17 varones (20.85 ± 1.54 años). Se utilizó un sensor láser tipo 1 (LDM301, Jenoptik, Germany) que registró posiciones de los deportistas a 2000 Hz. Los datos se trataron con la rutina DSL-30 creada con DasyLab v.10.0. Para la validación se utilizó un sistema de fotogrametría-2D con una cámara de alta velocidad (Exilim High Speed EX-F1, Casio) y SkillSpector v.1.3.2. (Video4coach, Grubbemollevej). Además, se utilizaron foto-células de doble haz (Polifemo Light, Microgate, Italy) y un cronómetro Racetime2 (Microgate, Italy). Se registraron, durante dos días, tres series de 30 m de carrera a máxima velocidad. El sensor láser proporcionó, con relación a la fotogrametría, diferencias en las velocidades medias y máximas de -0.11 m•s-1 y 0.14 m•s-1, respectivamente, con unos coeficientes de correlación superiores a 0.86, y mayores de 0.92 con las foto-células para las velocidades medias. Este mostró una excelente fiabilidad test-retest para las velocidades medias con un coeficiente de correlación intraclase (ICC) entre 0.7-0.9 y un error estándar de la media (SEM y SEM%), intrasesión e intersesión, menor de 0.05 m•s-1 y 0.12 m•s-1, respectivamente, y menores de 0.75% y de 2%, respectivamente. Para las velocidades máximas,los valores fueron menores de 0.10 m•s-1 y 0.17 m•s-1, respectivamente, y en ambos casos menores a 1.36% y 1,89%. El láser fue capaz de identificar mínimos cambios detectables (MDC y MDC%) intrasesión, para ambas variables, menores a 0.14 m•s-1 y 0.29 m•s-1, respectivamente (< 2.09% y < 3.76%) e intersesión, menores de 0.34 m•s-1 y 0.47 m•s-1 (< 5.56% y < 5.25%), respectivamente. En consecuencia, es un instrumento útil para el análisis de la evolución de la velocidad intrasujeto y entre sujetos en la carrera de velocidad entre 0-30 m, proporcionando resultados en tiempo real, pero se han de considerar los SEM, SEM%, MDC y MDC% para valorar la mejora del rendimiento.

Ciberdelincuencia. Desarrollo y persecución tecnológica

Cada día nos acercamos más a un mundo globalizado, en que Internet está marcando el paso. Este proyecto fin de carrera es una foto del estado actual de la ciberdelincuencia. La ciberdelincuencia y el ciberdelito son conceptos que difieren depende de quién los defina, en este proyecto vemos algunas de estas definiciones y los diferentes tipos de ciberdelito. También intenta hacer un pronóstico razonado de lo que será el ciberdelito en los próximos años. El proyecto hace un recorrido por la jurisprudencia y cómo los estados intentan luchar contra ella y ajustar su legislación al momento actual. Destacando además la problemática de perseguir delitos que se producen en distintos países y en los que en muchos casos el delincuente se encuentra en un país diferente de la víctima. Hace un recorrido por quien o puede ser víctima del ciberdelito, viendo como están aumentando las víctimas potenciales gracias a la gran penetración de Internet debida a la proliferación de los dispositivos móviles. También cómo se están estableciendo mecanismos a nivel mundial de colaboración entre estados, tanto a nivel policial y judicial como de investigación y desarrollo. Los ciberdelincuentes aprovechan las características implícitas de Internet, buscando ocultarse, por ello se dedica un capítulo de este proyecto a las principales redes de ocultación, conocidas como redes oscuras. En esta parte se hace especial hincapié en el uso de la red TOR, principal medio de ocultación a nivel mundial, y cómo funciona técnicamente, ya que sus definiciones y protocolos son conocidos al ser software libre. Una vez conocido que ciberdelitos hay y como se producen, recorremos los distintos medios para la defensa y mitigación de los distintos ataques, esta parte del proyecto intenta desde un punto técnico acercarnos a lo que podemos hacer para defendernos, aunque algunos de los ataques son prácticamente imposibles de perseguir. Además de ver cómo defendernos de los posibles ataques dirigidos vemos cómo proteger las comunicaciones, a través principalmente, del cifrado de todo lo que enviamos a través de Internet. ABSTRACT. Every day we are moving to a global world, Internet is leading this change. This thesis end of grade is a picture of the current state of the cybercrime. Cybercrime is a concept that differ depending on who is defining it. This document shows some of these definitions and the different types of cybercrime. Also it tries to make a reasoned forecast about the cybercrime in the near future. The document run through the jurisprudence and how the states tries to adjust its legislation to the current moment. Emphasizing the problematic to prosecute crimes that are committed in different countries and crimes of which the cybercriminal is in a different country to the victim. In addition, the document define who may be a victim of cybercrime and how the number of potential victims are increasing because of the growth of the Internet penetration rate due to the proliferation of mobile devices. Also it shows how the worldwide mechanisms are being established to collaborate among states on police and judicial context, and also on the research and development. Cybercriminals exploit the characteristics of the Internet to hide from police, a chapter of this thesis talks about the nets known as darknets. This part emphasis on the use of the TOR network and how it works technically. TOR is the main net to communicate on the Internet anonymously. We can know how it works because it is free software and the specifications are public. Once that we know how the cybercrime work and how many types are, we study the different ways to defense and mitigate the effects of attacks. In this part of the thesis we approach what we can do to defend our systems with technical perspective, even if some of attacks are impossible to pursue. Also, we explain how to keep our communications private, mainly though the encrypting methods when we transmit data over the Internet.

Research on wide-bandgap intermediate band solar cells and development of experimental techniques for their characterization

El trabajo que ha dado lugar a esta Tesis Doctoral se enmarca en la invesitagación en células solares de banda intermedia (IBSCs, por sus siglas en inglés). Se trata de un nuevo concepto de célula solar que ofrece la posibilidad de alcanzar altas eficiencias de conversión fotovoltaica. Hasta ahora, se han demostrado de manera experimental los fundamentos de operación de las IBSCs; sin embargo, esto tan sólo has sido posible en condicines de baja temperatura. El concepto de banda intermedia (IB, por sus siglas en inglés) exige que haya desacoplamiento térmico entre la IB y las bandas de valencia y conducción (VB and CB, respectivamente, por sus siglas en inglés). Los materiales de IB actuales presentan un acoplamiento térmico demasiado fuerte entre la IB y una de las otras dos bandas, lo cual impide el correcto funcionamiento de las IBSCs a temperatura ambiente. En el caso particular de las IBSCs fabricadas con puntos cuánticos (QDs, por sus siglas en inglés) de InAs/GaAs - a día de hoy, la tecnología de IBSC más estudiada - , se produce un rápido intercambio de portadores entre la IB y la CB, por dos motivos: (1) una banda prohibida estrecha (< 0.2 eV) entre la IB y la CB, E^, y (2) la existencia de niveles electrónicos entre ellas. El motivo (1) implica, a su vez, que la máxima eficiencia alcanzable en estos dispositivos es inferior al límite teórico de la IBSC ideal, en la cual E^ = 0.71 eV. En este contexto, nuestro trabajo se centra en el estudio de IBSCs de alto gap (o banda prohibida) fabricadsas con QDs, o lo que es lo mismo, QD-IBSCs de alto gap. Hemos fabricado e investigado experimentalmente los primeros prototipos de QD-IBSC en los que se utiliza AlGaAs o InGaP para albergar QDs de InAs. En ellos demostramos une distribución de gaps mejorada con respecto al caso de InAs/GaAs. En concreto, hemos medido valores de E^ mayores que 0.4 eV. En los prototipos de InAs/AlGaAs, este incremento de E^ viene acompaado de un incremento, en más de 100 meV, de la energía de activación del escape térmico. Además, nuestros dispositivos de InAs/AlGaAs demuestran conversión a la alza de tensión; es decir, la producción de una tensión de circuito abierto mayor que la energía de los fotones (dividida por la carga del electrón) de un haz monocromático incidente, así como la preservación del voltaje a temperaura ambiente bajo iluminación de luz blanca concentrada. Asimismo, analizamos el potencial para detección infrarroja de los materiales de IB. Presentamos un nuevo concepto de fotodetector de infrarrojos, basado en la IB, que hemos llamado: fotodetector de infrarrojos activado ópticamente (OTIP, por sus siglas en inglés). Nuestro novedoso dispositivo se basa en un nuevo pricipio físico que permite que la detección de luz infrarroja sea conmutable (ON y OFF) mediante iluminación externa. Hemos fabricado un OTIP basado en QDs de InAs/AlGaAs con el que demostramos fotodetección, bajo incidencia normal, en el rango 2-6/xm, activada ópticamente por un diodoe emisor de luz de 590 nm. El estudio teórico del mecanismo de detección asistido por la IB en el OTIP nos lleva a poner en cuestión la asunción de quasi-niveles de Fermi planos en la zona de carga del espacio de una célula solar. Apoyados por simuaciones a nivel de dispositivo, demostramos y explicamos por qué esta asunción no es válida en condiciones de corto-circuito e iluminación. También llevamos a cabo estudios experimentales en QD-IBSCs de InAs/AlGaAs con la finalidad de ampliar el conocimiento sobre algunos aspectos de estos dispositivos que no han sido tratados aun. En particular, analizamos el impacto que tiene el uso de capas de disminución de campo (FDLs, por sus siglas en inglés), demostrando su eficiencia para evitar el escape por túnel de portadores desde el QD al material anfitrión. Analizamos la relación existente entre el escape por túnel y la preservación del voltaje, y proponemos las medidas de eficiencia cuántica en función de la tensión como una herramienta útil para evaluar la limitación del voltaje relacionada con el túnel en QD-IBSCs. Además, realizamos medidas de luminiscencia en función de la temperatura en muestras de InAs/GaAs y verificamos que los resltados obtenidos están en coherencia con la separación de los quasi-niveles de Fermi de la IB y la CB a baja temperatura. Con objeto de contribuir a la capacidad de fabricación y caracterización del Instituto de Energía Solar de la Universidad Politécnica de Madrid (IES-UPM), hemos participado en la instalación y puesta en marcha de un reactor de epitaxia de haz molecular (MBE, por sus siglas en inglés) y el desarrollo de un equipo de caracterización de foto y electroluminiscencia. Utilizando dicho reactor MBE, hemos crecido, y posteriormente caracterizado, la primera QD-IBSC enteramente fabricada en el IES-UPM. ABSTRACT The constituent work of this Thesis is framed in the research on intermediate band solar cells (IBSCs). This concept offers the possibility of achieving devices with high photovoltaic-conversion efficiency. Up to now, the fundamentals of operation of IBSCs have been demonstrated experimentally; however, this has only been possible at low temperatures. The intermediate band (IB) concept demands thermal decoupling between the IB and the valence and conduction bands. Stateof- the-art IB materials exhibit a too strong thermal coupling between the IB and one of the other two bands, which prevents the proper operation of IBSCs at room temperature. In the particular case of InAs/GaAs quantum-dot (QD) IBSCs - as of today, the most widely studied IBSC technology - , there exist fast thermal carrier exchange between the IB and the conduction band (CB), for two reasons: (1) a narrow (< 0.2 eV) energy gap between the IB and the CB, EL, and (2) the existence of multiple electronic levels between them. Reason (1) also implies that maximum achievable efficiency is below the theoretical limit for the ideal IBSC, in which EL = 0.71 eV. In this context, our work focuses on the study of wide-bandgap QD-IBSCs. We have fabricated and experimentally investigated the first QD-IBSC prototypes in which AlGaAs or InGaP is the host material for the InAs QDs. We demonstrate an improved bandgap distribution, compared to the InAs/GaAs case, in our wide-bandgap devices. In particular, we have measured values of EL higher than 0.4 eV. In the case of the AlGaAs prototypes, the increase in EL comes with an increase of more than 100 meV of the activation energy of the thermal carrier escape. In addition, in our InAs/AlGaAs devices, we demonstrate voltage up-conversion; i. e., the production of an open-circuit voltage larger than the photon energy (divided by the electron charge) of the incident monochromatic beam, and the achievement of voltage preservation at room temperature under concentrated white-light illumination. We also analyze the potential of an IB material for infrared detection. We present a IB-based new concept of infrared photodetector that we have called the optically triggered infrared photodetector (OTIP). Our novel device is based on a new physical principle that allows the detection of infrared light to be switched ON and OFF by means of an external light. We have fabricated an OTIP based on InAs/AlGaAs QDs with which we demonstrate normal incidence photodetection in the 2-6 /xm range optically triggered by a 590 nm light-emitting diode. The theoretical study of the IB-assisted detection mechanism in the OTIP leads us to questioning the assumption of flat quasi-Fermi levels in the space-charge region of a solar cell. Based on device simulations, we prove and explain why this assumption is not valid under short-circuit and illumination conditions. We perform new experimental studies on InAs/GaAs QD-IBSC prototypes in order to gain knowledge on yet unexplored aspects of the performance of these devices. Specifically, we analyze the impact of the use of field-damping layers, and demonstrate this technique to be efficient for avoiding tunnel carrier escape from the QDs to the host material. We analyze the relationship between tunnel escape and voltage preservation, and propose voltage-dependent quantum efficiency measurements as an useful technique for assessing the tunneling-related limitation to the voltage preservation of QD-IBSC prototypes. Moreover, we perform temperature-dependent luminescence studies on InAs/GaAs samples and verify that the results are consistent with a split of the quasi-Fermi levels for the CB and the IB at low temperature. In order to contribute to the fabrication and characterization capabilities of the Solar Energy Institute of the Universidad Polite´cnica de Madrid (IES-UPM), we have participated in the installation and start-up of an molecular beam epitaxy (MBE) reactor and the development of a photo and electroluminescence characterization set-up. Using the MBE reactor, we have manufactured and characterized the first QD-IBSC fully fabricated at the IES-UPM.

En el principio era Távora - : itinerario para la transmisión de una síntesis arquitectónica

La tesis afronta el análisis del itinerario vital de Fernando Távora, una vida entregada apasionadamente a una causa de refundación estética y conceptual de una arquitectura portuguesa condenada a la mediocridad y al ostracismo en el momento en que empieza a ejercer la profesión. La investigación se adentra en todos los aspectos que convergen en su dedicación al logro de aquella misión, pues la que él mismo probablemente llamaría orteguianamente su circunstancia, resulta inseparable de su pensamiento y de su obra. Se pretende establecer la riqueza y complejidad de la figura de Fernando Távora y su importancia como punto de inflexión en la evolución de la arquitectura portuguesa, que ha llegado a alcanzar el reconocimiento internacional en las últimas décadas, fundamentalmente a partir de la consagración de Álvaro Siza Vieira y la denominada Escuela de Oporto. Desde una posición de absoluta autonomía respecto de lo que acontece dentro y fuera de las fronteras portuguesas, su labor se distinguirá por su singularidad teórica y arquitectónica, no dejando por ello de influir decisivamente en su entorno cercano. Dos manifiestos escritos, el juvenil O problema da Casa Portuguesa y el posterior Da Organização do Espaço son elementos estructurantes de un pensamiento teórico que germina en una obra construida inseparable de aquel, de cuya coherencia dan testimonio los aquí considerados verdaderos manifiestos proyectuales del arquitecto. Efectivamente, se analizarán detalladamente como tales la Casa sobre o Mar –manifiesto inicial-, el Pabellón de Tenis –manifiesto de confirmación- y la Casa dos 24 -manifiesto final-, proyectos que vieron la luz en diferentes etapas de su trayectoria y constituyen la aplicación práctica de sus teorías en una sintaxis magistral. En estos tres proyectos es donde verdaderamente la tesis cobra cuerpo, pues suponen el reflejo de la verdadera aportación del arquitecto al pensamiento arquitectónico europeo, la foto fija de la proclamación de resultados de un proyecto arquitectónico integral en momentos muy significativos de su itinerario vital, cuya complejidad se entiende a través de las fases más descriptivas de este documento. Se mostrará cómo para acometer su proyecto integral de arquitectura, una causa de regeneración de la arquitectura portuguesa a partir de la síntesis entre modernidad y tradición, entre universalidad y localidad, tomaría de sus dos personajes más admirados, Le Corbusier y Pessoa, la fuerza moral y la energía que le permitieron acometer apasionadamente tamaña misión. En una infatigable búsqueda en lo global y lo local, Távora conseguirá prestar gran atención al contexto del lugar de intervención sin renunciar a sus convicciones modernas, introduciendo la historia y el dibujo como herramientas de conocimiento del mismo y posteriormente del proceso creativo. El método proyectivo resultante de este modelo, que transmitirá a través de su ejercicio docente a sucesivas generaciones de arquitectos, se convertirá en elemento estructurante de una tendencia surgida de las aulas portuenses, que la crítica internacional acabará denominando Escuela de Oporto en un sentido más amplio. Por su importancia dentro del itinerario profesional del[os] arquitecto[s] portuense[s], las fases más destacadas de su evolución a partir de los años 50 se analizarán en paralelo a una serie de obras representativas de diferentes momentos de la trayectoria de Fernando Távora. En este itinerario vital, a pesar de la originalidad de su pensamiento y su obra, se atisban ciertos paralelismos con grandes arquitectos del siglo XX, que esta tesis afronta. Se puede distinguir entre influencias pasajeras de algunos maestros modernos en los que Távora buscaba la confirmación a sus propias teorías, similitudes con arquitectos coetáneos cuya obra conoció y a los que se encontró cercano por la convergencia de algunos de sus criterios e incluso sorprendentes coincidencias con arquitectos desconocidos para él, entre las que cabe destacar la de los maestros de la Escuela de Madrid Alejandro de la Sota y Javier Sáenz de Oiza. Por último, en una alegoría con los heterónimos de Fernando Pessoa, se analiza desde una perspectiva personal fruto de la investigación y de las entrevistas mantenidas con todos ellos, la importante labor de Álvaro Siza Vieira, Alexandre Alves Costa y su hijo José Bernardo Távora como agentes coadyuvantes en la consecución del proyecto integral de arquitectura [y vida] de Fernando Távora. Sin lugar a dudas, Álvaro Siza constituye el personaje fundamental e imprescindible para que la arquitectura portuguesa alcanzase la privilegiada consideración que en la actualidad ostenta en la escena internacional. Un arquitecto consagrado que ocupa ya, y ocupará siempre, un lugar privilegiado en la breve lista de maestros míticos e irrepetibles de la arquitectura contemporánea. Con todo, cabe afirmar con la paráfrasis bíblica que da título a la tesis que ‘En el principio era Távora...’ ABSTRACT This thesis addresses the analysis of Fernando Távora’s life journey, a life that was passionately devoted to the cause of aesthetically and conceptually overhauling Portuguese architecture, which was doomed to mediocrity and ostracism at the time when he started practicing professionally. This research delves into all aspects converging in his dedication to achieving that mission, since what he himself would probably call his circumstance – in the manner of José Ortega y Gasset – is inseparable from his thinking and his work. This thesis seeks also to establish the richness and complexity of Fernando Távora’s figure and his importance as a turning point in the evolution of Portuguese architecture, which has gone on to achieve international recognition in recent decades, especially after the consecration of Álvaro Siza Vieira and the so-called School of Oporto. From an absolutely autonomous position with regard to what is happening within and outside Portuguese borders, his work will stand out due to its theoretical and architectural uniqueness – this not being a reason to prevent its decisive influence on his close surroundings. Two written manifestos, his early O problema da Casa Portuguesa and his subsequent Da Organização do Espaço, become structural elements of the theoretical thinking that develops into works which are built in parallel with the former. The coherence of this thinking is reflected on the hereby considered the architect’s true project manifestos. Indeed, we will analyse as such the Casa sobre o Mar (initial manifesto), the Tennis Pavilion (confirmation manifesto) and Casa dos 24 (final manifesto), projects which saw the light at different stages of his career and constitute the practical application of his theories in a masterful syntax. These are the three projects where the thesis takes shape, as they become the reflection of the architect’s true contribution to the European architectural school of thought; the still picture of the results proclamation of a whole architectural project at highly significant moments in his life journey, whose complexity can be understood through this document’s most descriptive phases. This study will show how, in order to carry out his architectural project – regenerate Portuguese architecture by synthesizing modernity and tradition, universality and locality –, Távora would take the moral strength and energy from his two most admired figures, Le Corbusier and Pessoa, allowing him to passionately undertake such a colossal mission. In a tireless search within the global and the local, Távora will manage to pay more attention to the context of the intervention place without compromising his modern convictions, by introducing history and drawing as knowledge tools of the place and eventually of the creative process. The resulting projective method of this model, which he will transmit to successive generations of architects through his teaching, will become a structural element of a trend emerged from the Oporto classrooms which international critique will end up denominating School of Porto in a broader sense. Due to its importance within Porto architect[s]’ professional career, the most prominent phases of its evolution as of the 50s will be analysed in parallel to a series of representative works from different moments in Fernando Távora’s career. Despite the originality of his thinking and his work, certain parallelisms with great architects from the 20th century can be found in Távora’s life journey, which this thesis will address. Amongst temporary influences of some modern masters in whom Távora sought confirmation of his own theories, similarities can be spotted with contemporary architects whose work he knew and to whom he felt close because of the convergence of some of his views. It is also possible to see surprising coincidences with architects he did not know, such as Alejandro de la Sota and Javier Sáenz de Oiza, masters from the School of Madrid. Finally, in an allegory with Fernando Pessoa’s heteronyms, this thesis studies – from a personal perspective based on research and the interviews held with all of them – the important work of Álvaro Siza Vieira, Alexandre Alves Costa and his son Jose Bernardo Távora as auxiliaries in the achievement of Fernando Távora’s complete architectural [and life] project. Without the slightest doubt, Álvaro Siza constitutes the essential figure thanks to whom Portuguese architecture would reach the advantaged position it holds nowadays in the international arena. An acclaimed architect, Siza already holds a privileged spot in the brief list of legendary and unrepeatable masters of contemporary architecture. Nevertheless, with the biblical paraphrase that entitles this thesis it can be claimed that ‘In the beginning was Távora…’