Ciberdelincuencia: desarrollo y persecución tecnológica

La aparición de Internet y los sistemas informáticos supuso un antes y un después en el modo que las personas emplearían para acceder a los sistemas de información. El crecimiento exponencial seguido en los años posteriores ha llevado este hecho hasta la situación actual, donde prácticamente todos los ámbitos del día a día se encuentran reflejados en la Red. Por otro lado, a la par que la sociedad se desplazaba al ciberespacio, también comenzaban a hacerlo aquellos que buscaban obtener un rendimiento delictivo de los nuevos medios y herramientas que se ponían a su disposición. Avanzando a pasos agigantados en el desarrollo de técnicas y métodos para vulnerar unos sistemas de seguridad, aún muy inmaduros, los llamados ciberdelincuentes tomaban ventaja sobre las autoridades y su escasa preparación para abordar este nuevo problema. Poco a poco, y con el paso de los años, esta distancia ha ido reduciéndose, y pese a que aún queda mucho trabajo por hacer, y que el crecimiento de los índices de ciberdelincuencia, junto con la evolución y aparición de nuevas técnicas, sigue a un ritmo desenfrenado, los gobiernos y las empresas han tomado consciencia de la gravedad de este problema y han comenzado a poner sobre la mesa grandes esfuerzos e inversiones con el fin de mejorar sus armas de lucha y métodos de prevención para combatirla. Este Proyecto de Fin de Carrera dedica sus objetivos a la investigación y comprensión de todos estos puntos, desarrollando una visión específica de cada uno de ellos y buscando la intención final de establecer las bases suficientes que permitan abordar con la efectividad requerida el trabajo necesario para la persecución y eliminación del problema. ABSTRACT. The emergence of Internet and computer systems marked a before and after in the way that people access information systems. The continued exponential growth in the following years has taken this fact to the current situation, where virtually all areas of everyday life are reflected in the Net. On the other hand, meanwhile society moved into cyberspace, the same began to do those seeking to obtain a criminal performance of new media and tools at their disposal. Making great strides in the development of techniques and methods to undermine security systems, still very immature, so called cybercriminals took advantage over the authorities and their lack of preparation to deal with this new problem. Gradually, and over the years, this distance has been declining, and although there is still much work to do and the growth rates of cybercrime, along with the evolution and emergence of new techniques, keep increasing at a furious pace, governments and companies have become aware of the seriousness of this problem and have begun to put on the table great efforts and investments in order to upgrade their weapons to fight against this kind of crimes and prevention methods to combat it. This Thesis End of Grade Project focuses its objectives on the research and understanding of all these points, developing a specific vision of each of them and looking for the ultimate intention of establishing a sufficient basis by which to manage with the required effectiveness the type of work needed for the persecution and elimination of the problem.

Cu(In,Ga)Se2 absorber thinning and the homo-interface model: Influence of Mo back contact and 3-stage process on device characteristics

Thinning the absorber layer is one of the possibilities envisaged to further decrease the production costs of Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) thin films solar cell technology. In the present study, the electronic transport in submicron CIGSe-based devices has been investigated and compared to that of standard devices. It is observed that when the absorber is around 0.5 μm-thick, tunnelling enhanced interface recombination dominates, which harms cells energy conversion efficiency. It is also shown that by varying either the properties of the Mo back contact or the characteristics of 3-stage growth processing, one can shift the dominating recombination mechanism from interface to space charge region and thereby improve the cells efficiency. Discussions on these experimental facts led to the conclusions that 3-stage process implies the formation of a CIGSe/CIGSe homo-interface, whose location as well as properties rule the device operation; its influence is enhanced in submicron CIGSe based solar cells.