TEM study of the AlN grain orientation grown on NCD diamond substrate

Piezoelectric AlN layer grain orientation, grown by room temperature reactive sputtering, is analyzed by transmission electron microscopy (TEM).Two types of samples are studied: (i) AlN grown on well-polished NCD (nano-crystalline diamond) diamond, (ii) AlN grown on an up-side down NCD layer previously grown on a Si substrate, i.e. diamond surface as smooth as that of Si substrates. The second set of sample show a faster lignment of their AlN grain caxis attributed to it smoother diamond free surface. No grain orientation relationship between diamond substrate grain and the AlN ones is evidenced, which seems to indicate the preponderance role of the surface substrate state.

Morteros de cemento con nano-adiciones de sílice, hierro y alúmina

A lo largo de los últimos años, la ingeniería de la construcción ha seguido una tendencia creciente en lo que se refiere a la exigencia de altas prestaciones en los materiales empleados en obra, siendo el hormigón el material por excelencia. Es bien conocido que la capacidad de mejora de las prestaciones de los materiales está estrechamente ligada al desarrollo tecnológico existente en ese tiempo. En la actualidad, de entre todos los avances tecnológicos, cabe destacar la nanotecnología, ciencia que trabaja con elementos de tamaño 109 y que en los últimos años está siendo el motor de las investigaciones en el campo de la construcción. De entre todas las nano-adiciones existentes cabe destacar la nano-sílice, estudiada por numerosos investigadores y que goza de un gran número de artículos científicos. En cambio, existen otras nano-adiciones que no han tenido tanta aceptación o se encuentran en un segundo plano, como son la nano-hierro y la nano-alúmina. Es por tanto objeto de este Trabajo Fin de Máster: estudiar el efecto de la incorporación en diferentes proporciones de nano-adiciones de sílice, hierro y alúmina a un mortero de cemento convencional, mediante una campaña experimental realizada en el seno del Departamento de Ingeniería de la Construcción de la ETSICCP de la Universidad Politécnica de Madrid.