Fotodiodos basados en (Zn,Mg)O para la detección de luz ultravioleta

La presente tesis fue ideada con el objetivo principal de fabricar y caracterizar fotodiodos Schottky en capas de ZnMgO y en estructuras de pozo cuántico ZnMgO/ZnO para la detección de luz UV. La elección de este material semiconductor vino motivada por la posibilidad que ofrece de detectar y procesar señales simultáneamente, en un amplio margen de longitudes de onda, al igual que su más directo competidor el GaN. En esta memoria se da en primer lugar una visión general de las propiedades estructurales y ópticas del ZnO, prestando especial atención a su ternario ZnMgO y a las estructuras de pozo cuántico ZnMgO/ZnO. Además, se han desarrollado los conocimientos teóricos necesarios para una mejor compresión y discusión de los resultados alcanzados. En lo que respecta a los resultados de esta memoria, en esencia, estos se dividen en dos bloques. Fotodiodos desarrollados sobre capas delgadas de ZnMgO no-polar, y sobre estructuras de pozo cuántico de ZnMgO/ZnO no-polares y semipolares Fotodiodos de capas delgadas de ZnMgO. Es bien conocido que la adición de Mg a la estructura cristalina del ZnO desplaza el borde de absorción hacia energías mayores en el UV. Se ha aprovechado esto para fabricar fotodiodos Schottky sobre capas de ZnMgO crecidas por MOCVD y MBE, los cuales detecten en un ventana de energías comprendida entre 3.3 a 4.6 eV. Sobre las capas de ZnMgO, con diferentes contenidos de Mg(5.6-18.0 %), crecidas por MOCVD se han fabricado fotodiodos Schottky. Se han estudiado en detalle las curvas corrientevoltaje (I-V). Seguidamente, se ha realizado un análisis de la respuesta espectral bajo polarización inversa. Tanto los valores de responsividad obtenidos como el contraste UV/VIS están claramente aumentados por la presencia de ganancia. Paralelamente, se han realizado medidas de espectroscopia de niveles profundos (DLOS), identificándose la presencia de dos niveles profundos de carácter aceptor. El papel desempeñado por estos en la ganancia ha sido analizado meticulosamente. Se ha demostrado que cuando estos son fotoionizados son responsables directos del gran aumento de la corriente túnel que se produce a través de la barrera Schottky, dando lugar a la presencia de la ganancia observada, que además resulta ser función del flujo de fotones incidente. Para extender el rango detección hasta 4.6 eV se fabricaron fotodiodos sobre capas de ZnMgO de altísima calidad cristalina crecidas por MBE. Sobre estos se ha realizado un riguroso análisis de las curvas I-V y de las curvas capacidad-voltaje (CV), para posteriormente identificar los niveles profundos presentes en el material, mediante la técnica de DLOS. Así mismo se ha medido la respuesta espectral de los fotodetectores, la cual muestra un corte abrupto y un altísimo contraste UV/VIS. Además, se ha demostrado como estos son perfectos candidatos para la detección de luz en la región ciega al Sol. Por otra parte, se han fabricado fotodiodos MSM sobre estas mismas capas. Se han estudiado las principales figuras de mérito de estos, observándose unas corrientes bajas de oscuridad, un contraste UV/VIS de 103, y la presencia de fotocorriente persistente. Fotodiodos Schottky de pozos cuánticos de ZnO/ZnMgO. En el segundo bloque de esta memoria, con el objeto final de clarificar el impacto que tiene el tratamiento del H2O2 sobre las características optoelectrónicas de los dispositivos, se ha realizado un estudio detallado, en el que se han analizado por separado fotodiodos tratados y no tratados con H2O2, fabricados sobre pozos cuánticos de ZnMgO/ZnO. Se ha estudiado la respuesta espectral en ambos casos, observándose la presencia de ganancia en los dos. A través de un análisis meticuloso de las características electrónicas y optoeletrónicas de los fotodiodos, se han identificado dos mecanismos de ganancia internos diferentes en función de que la muestra sea tratada o no-tratada. Se han estudiado fotodetectores sensibles a la polarización de la luz (PSPDs) usando estructuras de pozo cuántico no-polares y semipolares sobre sustratos de zafiro y sustratos de ZnO. En lo que respecta a los PSPDs sobre zafiro, en los cuales el pozo presenta una tensión acumulada en el plano, se ha visto que el borde de absorción se desplaza _E _21 meV con respecto a luz linealmente polarizada perpendicular y paralela al eje-c, midiéndose un contraste (RE || c /RE c)max _ 6. Con respecto a los PSPDs crecidos sobre ZnO, los cuales tienen el pozo relajado, se ha obtenido un 4E _30-40, y 21 meV para las heteroestructuras no-polar y semipolar, respectivamente. Además el máximo contraste de responsividad fue de (RE || c /RE c)max _ 6 . Esta sensibilidad a la polarización de la luz ha sido explicada en términos de las transiciones excitónicas entre la banda de conducción y las tres bandas de valencia. ABSTRACT The main goal of the present thesis is the fabrication and characterization of Schottky photodiodes based on ZnMgO layers and ZnMgO / ZnO quantum wells (QWs) for the UV detection. The decision of choosing this semiconductor was mainly motivated by the possibility it offers of detecting and processing signals simultaneously in a wide range of wavelengths like its main competitor GaN. A general overview about the structural and optical properties of ZnO, ZnMgO layers and ZnMgO/ZnO QWs is given in the first part of this thesis. Besides, it is shown the necessary theoretical knowledge for a better understanding of the discussion presented here. The results of this thesis may be divided in two parts. On the one hand, the first part is based on studying non-polar ZnMgO photodiodes. On the other hand, the second part is focused on the characterization of non-polar and semipolar ZnMgO / ZnO QWs Schottky photodiodes. ZnMgO photodiodes. It is well known that the addition of Mg in the crystal structure of ZnO results in a strong blue-shift of the ZnO band-gap. Taking into account this fact Schottky photodiodes were fabricated on ZnMgO layers grown by MOCVD and MBE. Concerning ZnMgO layers grown by MOCVD, a series of Schottky photodiodes were fabricated, by varying the Mg content from 5.6% to 18 %. Firstly, it has been studied in detail the current-voltage curves. Subsequently, spectral response was analyzed at reverse bias voltage. Both the rejection ratio and the responsivity are shown to be largely enhanced by the presence of an internal gain mechanism. Simultaneously, measurements of deep level optical spectroscopy were carried out, identifying the presence of two acceptor-like deep levels. The role played for these in the gain observed was studied in detail. It has been demonstrated that when these are photoionized cause a large increase in the tunnel current through the Schottky barrier, yielding internal gains that are a function of the incident photon flux. In order to extend the detection range up to 4.6 eV, photodiodes ZnMgO grown by MBE were fabricated. An exhaustive analysis of the both I-V and CV characteristics was performed. Once again, deep levels were identified by using the technique DLOS. Furthermore, the spectral response was measured, observing sharp absorption edges and high UV/VIS rejections ratio. The results obtained have confirmed these photodiodes are excellent candidates for the light detection in the solar-blind region. In addition, MSM photodiodes have also been fabricated on the same layers. The main figures of merit have been studied, showing low dark currents, a large UV/VIS rejection ratio and persistent photocurrent. ZnMgO/ZnO QWs photodiodes. The second part was focused on ZnMgO/ ZnO QWs. In order to clarify the impact of the H2O2 treatment on the performance of the Schottky diodes, a comparative study using treated and untreated ZnMgO/ZnO photodiodes has been carried out. The spectral response in both cases has shown the presence of gain, under reverse bias. Finally, by means of the analysis of electronic and optoelectronic characteristics, two different internal gain mechanisms have been indentified in treated and non-treated material. Light polarization-sensitive UV photodetectors (PSPDs) using non-polar and semipolar ZnMgO/ZnO multiple quantum wells grown both on sapphire and ZnO substrates have been demonstrated. For the PSPDs grown on sapphire with anisotropic biaxial in-plain strain, the responsivity absorption edge shifts by _E _21 meV between light polarized perpendicular and parallel to the c-axis, and the maximum responsivity contrast is (RE || c /RE c)max _ 6 . For the PSPDs grown on ZnO, with strain-free quantum wells, 4E _30-40, and 21 meV for non-polar and semipolar heterostructures, and maximum (R /R||)max _10. for non-polar heterostructure was achieved. These light polarization sensitivities have been explained in terms of the excitonic transitions between the conduction and the three valence bands.

Fluoro-sensing applied to detection and identification of hydrocarbons in inland waters. Study of the impact of different UV light sources

This paper presents the detection and identification of hydrocarbons through flu oro-sensing by developing a simple and inexpensive detector for inland water, in contrast to current systems, designed to be used for marine waters at large distances and being extremely costly. To validate the proposed system, three test-benches have been mounted, with various UV-Iight sources. Main application of this system would be detect hydrocarbons pollution in rivers, lakes or dams, which in fact, is of growing interest by administrations.

Validación de HP UV-LED para la detección en continuo de contaminantes en aguas continentales mediante fluorescencia

La preservación del medio ambiente, el avance en las técnicas para que el impacto de la actividad humana sobre la fauna y flora sea lo menor posible, hacen que se deban monitorizar los diversos indicadores de calidad. El presente estudio viene motivado debido a que actualmente existen sistemas de medida y control en continuo de la calidad de las aguas, al margen de los estudios de laboratorio por toma de muestras, a través de los cuales se obtienen indicadores de calidad. El desarrollo tecnológico en analizadores en continuo para la medida de fósforo, amonio, DBO y otros, hacen que cada vez se consiga un control más exhaustivo de la calidad en tiempo real. Sin embargo, la detección temprana de contaminantes que no deben encontrarse presentes en el agua, hacen que el desarrollo de sensores de detección de estos contaminantes sea de gran utilidad. A este respecto, las técnicas mediante fluorescencia presentan enormes ventajas, ya que no existe contacto directo con la muestra, reduciéndose el desgaste y alargando el tiempo entre mantenimientos, como se ha comprobado en numerosos desarrollos con tecnología láser. Para la producir fluorescencia, tradicionalmente se vienen utilizando en el laboratorio principalmente lámparas de gas y monocromadores. Los nuevos LED de alta potencia en el espectro ultravioleta son una alternativa muy interesante que además puede ser aplicada en los mencionados sistemas de medición en continuo. En este trabajo se realiza un estudio de viabilidad de estos dispositivos como fuentes de excitación para la producción de fluorescencia tomando como contaminantes los hidrocarburos. El funcionamiento en estaciones en continuo hace que se tenga que realizar además ensayos de vida acelerados, así como estudios de modos de trabajo. Al respecto de la fluorescencia producida, se estudia la influencia de factores que pueden afectar a las medidas, tales como la temperatura. El estudio del espectro y su análisis para la identificación del contaminante es otro de los puntos desarrollados en este trabajo. Por último, y dado que la monitorización se realiza en modo continuo, es necesario un sistema de comunicaciones compacto y fiable: en este apartado se analizan los metamateriales como solución tecnológica, ya que se adapta perfectamente a la filosofía de estas estaciones de medición. ABSTRACT Currently the monitoring of quality indicators is a need to preserve the environment and minimize the impact of human activity on the fauna and flora. Currently there are measuring systems and continuous monitoring of water quality, regardless of sampling laboratory studies, through which quality indicators are obtained. Technological development in continuous analyzers for the measurement of phosphorus, ammonia, BOD and others increasingly make a more comprehensive real-time quality control is achieved. However, early detection of contaminants that should not be present in the water, make the development of sensors for detecting these contaminants is very useful. In this regard, fluorescence techniques have huge advantages, since there is no direct contact with the sample, reducing wear and extending the time between maintenance, as has been demonstrated in numerous developments in laser technology. To produce fluoresce, traditionally are being used mainly gas lamps and monochromators at the laboratory. The new high-power LEDs in the ultraviolet spectrum are a very interesting alternative that can also be applied in the above continuous measurement systems. In this paper a viability study of these devices as excitation sources to produce fluorescence using hydrocarbon as contaminants is performed. The stations in continuous operation makes it necessary to also perform accelerated life tests and studies operating modes. In regard to the fluorescence produced, the influence of factors that may affect the measurements, such as temperature is studied. The study of the spectrum and analysis to identify the contaminant is another of the points developed in this work. Finally, since the monitoring is carried out in continuous mode, a compact and reliable communication is necessary: in this section metamaterials as a technological solution is analyzed since it fits perfectly with the philosophy of these measuring stations.