Relaciones entre los usos del suelo, las infraestructuras y la planificación: incidencia de la red viaria y el planeamiento en la aparición del terciario para el caso de la N-VI

Esta tesis examina el papel de la red viaria y el planeamiento urbanístico en la localización de las actividades terciarias. A partir de los años sesenta se produce una modificación de los patrones de comportamiento espacial de las actividades productivas. En la raíz de estos cambios está los procesos de globalización e internacionalización de la economía y un importante aumento de la utilización vehículos privados. Todo ello da lugar a una preocupación entre los profesionales por la identificación de variables en esa organización espacial, y por la búsqueda de modelos que mejorasen las condiciones de competitividad en el entramado urbano, reclamado también la formulación de conceptos diferentes, capaces de entender los cambios territoriales de la reestructuración permanente en que viven las economías capitalistas avanzadas. En este marco, hay un aumento importante de las actividades terciarias o proceso de terciarización; que es el principio basilar para la suburbanización de este sector. Consiste, en buena medida, en unas necesidades de descentralización y dispersión de las actividades terciarias por todo el territorio, con demandas de nuevos espacios para todo tipo de actividades empresariales. Se va así generando un espacio urbano complejo, con nuevas actividades, distintas de la residencial, y con tipologías edificatorias diferentes: centros comerciales, hipermercados, zocos o edificios de empresas dedicadas a servicios avanzados y altamente cualificados. Adquiere, por tanto, un fuerte protagonismo los espacios periféricos de las grandes ciudades. En la transformación de este territorio interviene el planeamiento urbanístico porque prevé la ocupación del suelo y la forma de uso. Y también la carretera considerada clave en el desarrollo histórico de la ciudad. Consecuentemente, se impulsan una plétora de nuevas líneas de investigación y nuevas formas de aproximación al estudio de las relaciones entre las infraestructuras viarias y los usos del suelo. El interés del proyecto de investigación es, por todo ello, estudiar en que medida la localización del terciario depende del planeamiento urbano y de las variaciones en la red viaria. Es decir, la hipótesis de este trabajo se puede enunciar diciendo que: en la aparición del terciario inciden dos variables, el planeamiento urbanístico y la red viaria; lógicamente siendo consciente de la dificultad intrínseca de separar algún parámetro y sus relaciones de un sistema funcional urbano. Centrando este enfoque sobre el caso particular del corredor de la carretera de La Coruña (N-VI) situado en el oeste de la Comunidad de Madrid. Es un ámbito suburbano que comprende los términos municipales de Las Rozas y Majadahonda, un segmento del municipio de Madrid (abarca los barrios de Aravaca, el Plantío y Valdemarín, y una pequeña superficie de la Casa de Campo, Ciudad Universitaria y El Pardo), y la mitad septentrional del municipio de Pozuelo de Alarcón. La conclusión general a la que se ha llegado es que se trata de un fenómeno complejo, en el que se detecta que: A) La aprobación de un nuevo Plan Urbanístico no supone un cambio inmediato en la evolución cuantitativa de la implantación de actividades terciarias en edificio exclusivo en el área de estudio. B) Se evidencia una relación directa entre la implantación de una nueva infraestructura de transporte o modificación de algún elemento importante y el crecimiento de la localización de actividades terciarias. C) Resulta difícil verificar que cuando confluyen mejoras o nuevas construcciones en la red viaria y una estrategia en el planeamiento dirigida a la ordenación e intervención del espacio terciario, el número de edificios terciarios aumente. ABSTRACT This thesis examines the role of road networks and urban planning in the location of tertiary activities. Since the sixties there is a modification of spatial behavior patterns of production activities. At the root of these changes is the process of globalization and internationalization of the economy and a significant increase in private car use. This leads to a concern among professionals in the identification of variables in the spatial organization, and the search for models that would improve the competitive conditions in the urban framework, also called for the formulation of different concepts, able to understand the changes territorial restructuring that live permanently in the advanced capitalist economies. In this context, there is a significant increase in tertiary activities or process outsourcing, which is the beginning basilar to the suburbanization of the sector. It consists, in large part, on the Needs of decentralization and dispersal of tertiary activities throughout the territory, demands for new spaces for all types of business activities. It is thus generating a complex urban area, with new activities, other than residential and with different building typologies: shopping malls, hypermarkets, souks and buildings of companies engaged in advanced and highly skilled services. Thus takes strong role peripheral areas of big cities. In the transformation of this region is involved in providing for urban planning land use and how to use. And the road is considered key in the historical development of the city. Consequently, they are promoting a plethora of new research and new ways of approaching the study of the relationship between road infrastructure and land use. The interest of the research project is, for all that, consider to what extent depends on the location of tertiary urban planning and changes in the road network. That is, the hypothesis of this work can be stated by saying that: the emergence of two variables affecting tertiary, urban planning and road network, of course being aware of the inherent difficulty of separating any parameters and functional relationships of an urban. Approach focusing on the particular case of the road corridor from La Coruña (N-VI) located in the west of Madrid. It is a suburban area comprising the municipalities of Las Rozas and Majadahonda, a segment of the city of Madrid (covering the districts of Aravaca, the planting and Valdemarín, and a small area of the Casa de Campo, Ciudad Universitaria and El Pardo) , and the northern half of the town of Pozuelo de Alarcón. The general conclusion has been reached is that this is a complex phenomenon, which is detected: A) The approval of a new Urban Plan is not an immediate change in the quantitative evolution of the implementation of tertiary activities in exclusive building in the study area. B) It shows a direct relationship between the introduction of a new transport infrastructure or amendment to an important and growing element of the location of tertiary activities. C) It is difficult to verify that when improvements or new construction come together in the road network and planning a strategy aimed at the management and intervention of third space, the number of commercial buildings increases.

COST Action Urban Agriculture Europe Training School «Urban agriculture inside the city:alternatives for vacant lots and public space»

The third Training School of the Action took place in Vitoria-Gasteiz (Basque country, Spain) from 24th to 26th September 2014. Vitoria-Gateiz has experimented an important urban outgrowth in the last decade, mainly through the planning and development of two new neighborhoods, Zabalgana and Salburúa, situated at the eastern and western border of the city, by the Greenbelt. These new development are well-equipped and designed according to sustainability principles. Nevertheless, among the main problems they present is their over-dimensioned public space, which creates some areas lacking enough density and mix of uses. On the other hand it is very expensive for the municipality to maintain these public space with the high Vitorian urban standards for public space. The proposed solution for this problem is a strategy of "re-densification" through the insertion of new uses The debate has arisen about which are the most adequate uses to insert in order to get an increasing of urban vitality, specially considering that housing has reached its peak and that Vitoria-Gasteiz is well served with social and sport amenities. The main goal of the TS was to offer an opportunity for the reflection about how urban agriculture might be an optimal alternative for the re-qualifying of this over-dimensioned public space in the new neighbourhoods, especially considering it synergic potential as a tool for production, leisure and landscaping, including the possibility of energy crops within the limits of urban space. Continuity with rural and natural surrounding area through alternatives for urban fringe at the small scale is a relevant issue to be considered as well within the reflection. Taking Zabalgana neighbourhood as a practical field for experiment, the Training School is conceived as a practical and intensive design charrette to be held during a whole day after two days of local knowledge-deepening through field visits and presentations.

MOVPE growth of III-V semiconductors on silicon for third generation solar cells

Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.