Grafías en la piel de la ciudad : graffiti y pintadas comerciales como expresiones sociales reflejadas en las calles de Medellín - Colombia

EL FENÓMENO DE LAS GRAFÍAS EN LA CIUDAD ACTUAL. Este ensayo es resultado de una investigación de tesis doctoral acerca de las intervenciones gráficas en el espacio público en la ciudad de Medellín, Colombia. Nos hemos centrado en dos tipos de accionar: por una parte las intervenciones gráficas que se corresponden al ámbito comercial y, por la otra, las que se alejan de éste para introducirse en los campos del graffiti y sus variantes, pero donde todas tiene algo en común, el cerramiento arquitectónico y de infraestructuras como soporte. La metodología parte de un trabajo de campo donde se recopila en imágenes la variedad de tipologías gráficas encontradas en la ciudad, para a continuación problematizar sus resultados como conflictos por el uso del espacio público; las valoraciones han sido extraídas de los discursos de sus autores, construidas con el formato de entrevista. Los resultados son un viaje a través de las particularidades de los gestos estéticos, que difieren en cuanto técnicas, motivaciones, imágenes resultantes en un espacio público cargado de re-construcciones simbólicas, que nos llevan al establecimiento de nuevos espacios de comunicación social. Sus conclusiones van encaminadas a la concepción de un espacio público vital para los ciudadanos que, dentro o al margen de los dispositivos de control social, lo apropian para dotarlos de nuevos significados, a la vez que lo proveen de diversas, divergentes y a veces conflictivas configuraciones estéticas. Palabras claves: graffiti, publicidad, espacio público, ciudad, Medellín. ABSTRACT THE PHENOMENON OF THE WRITINGS IN THE CONTEMPORARY CITY. This essay is the result of a research done for my doctoral thesis on the graphic interventions in public spaces in the city of Medellin, Colombia. We focused on two types of actions: the first graphic interventions correspond to the commercial sector and, the second, to those that differ from it to get into the fields of graffiti and its variants, but they all have something in common, the architectural cladding and infrastructure as their support. The methodology begins as a field work where images are collected in a variety of graphic typologies found in the city, and then to problematize their results such as the conflicts over the use of public space; the assessment has been drawn from the speeches of their authors and built through interviews. The results are a journey all the way through the particularities of aesthetic gestures, which differ in techniques, motivations, resulting images in a public space full of symbolic re-building, that lead to the establishment of new spaces for social communication. The conclusions are aimed at conceiving a vital space for citizens that, whether they are within or outside the mechanisms of social control, take over to give it new meanings, as well as providing the public space with different, divergent and sometimes conflicting aesthetic configurations. Keywords: graffiti, advertising, public space, city, Medellin.

Metodología para medir los efectos de la aplicación de estándares sobre la industria de los medios de pagos en el mercado chileno

Cada vez juegan un rol más relevante en nuestra vida las tecnologías de información, desde nuestros hogares hasta las empresas y gobiernos acceden a grandes volúmenes de datos e información, las comunicaciones ya no tienen impedimentos de distancias, un comprador y un vendedor puede estar en cualquier lugar, un producto que es adquirido en un comercio en Santiago a través de un medio de pago (tarjeta de crédito) en menos de un segundo la transacción va desde Chile a solicitar autorización en Singapur para ser aprobada. En la sociedad tanto oferentes como demandantes cuentan con información disponible en línea para la toma de decisiones. Existe una mayor apertura e integración económica iniciada con las redes comerciales, donde existen enfoques regionales y multilateral, que han impulsado la apertura del comercio y la integración económica. Son múltiples los tratados de libre comercio que apoyan al desarrollo económico, donde las crisis mundiales han afectado tanto las economías como el transporte, considerando que en el comercio internacional cerca del 90% se desarrolla a través de los puertos, es importante identificar relaciones entre el desarrollo de los medios de pago y el comercio electrónico a través de los puertos. Nuestra investigación busca integrar tanto aspectos de investigación científica como como investigación aplicada, de modo que sea un aporte al día a día de empresas en el sector de los medios de pago en Chile y quienes diseñan y definen la aplicación de normas y estándares. Esta tesis plantea una metodológica para analizar las relaciones entre la aplicación de estándares y sus efectos en la industria de los medios de pago en Chile. Este trabajo de investigación nos permitirá identificar entorno, variables que intervienen y evolución del mercado de los medios de pago, a través de un relevamiento del estado del arte de los medios de Pago en la industria Bancaria chilena. Buscaremos en el mercado de los medios de pago en la industria Chilena - sector Bancario, relaciones entre la aplicación de estándares y sus efectos en los volúmenes transaccionales, analizaremos las tendencias de los medios de pago y el desarrollo comercial del Puerto de Valparaíso. Se busca a través de esta metodológica poder mejorar la toma de decisiones en la industria de los medios de pago en Chile con una mejor gestión y uso de recursos. Every day information technology plays a greater role in our lives, from our homes to businesses, to how governments access large volumes of data and information. Communication is no longer hindered by distances, as a buyer and seller can be anywhere. A product that is purchased in a shop in Santiago through a payment option (credit card) in less than a second, a transaction will request authorization from Chile to Singapore to be approved. In this society both buyers and sellers have access to online information that is available for decision making. There is greater openness and economic integration that has begun within the commercial networks, in which there are regional and multilateral approaches that has helped expand trade and economic integration. Likewise, there are numerous free trade agreements that support economic development; however, the global crisis has affected economies like transportation. In regards to international commerce about 90% is developed through the ports, considering that the former is important to identify the relationships between the development of the payment options and e-commerce at the ports. Our research aims to integrate both the scientific research and applied research aspects, so that this will be a contribution to the day to day business for the payment options in Chile, and for those who design and define the application of norms and standards. This thesis offers a methodology to analyze the relationships between the application of standards and its affects in the industry of payment options in Chile. This research will allow us to identify the environmental variables that intervene and evolve the market of the payment options, through the analysis of the state of the art in the payment options in the Chilean Banking industry. In the market of the payment industry options we have looked specifically at the Chilean Banking industry and the relationship between the application of standards and their impact on transaction volumes. In addition, there has been an analysis of the activity of the payment options and wire transfers in the maritime industry in Valparaíso in order to define the feasibility of a model that allows us to relate these effects in these markets and the application of standards. We have searched the Chilean banking industry for the relationships between the application of standards and its effect on transaction volumes, in order to analyze the trends in the payment options and the commercial development at the Port of Valparaiso. Therefore, through the use of this methodology we look to be able to make better decisions in the payment options industry in Chile, with better management and use of the resources.

Influencia de la adición de nano sílice, en algunos aspectos de la durabilidad, en hormigones autocompactantes de alta resistencia.

Con objeto de mejorar las prestaciones de los materiales y en particular los materiales de construcción, se está estudiando la incorporación de nano partículas en la fabricación de morteros y hormigones. En este trabajo se estudia el efecto en la durabilidad de un hormigón autocompactante al incorporar nanosílice. Para ello se han seleccionado dos dosificaciones de nano sílice, 2,5% y 5% y se ha comparado su comportamiento con un hormigón autocompactante con la misma relación de material cementante. Se han evaluado las diferencias de comportamiento tanto en estado fresco como endurecido. En el trabajo se ha analizado el comportamiento mecánico (resistencia a compresión), microestructural (porosimetría por intrusión de mercurio, análisis termogravimétrico y micrografía) y durable, (migración de cloruros, difusión de cloruros y resistividad eléctrica), de las dosificaciones seleccionadas. Los resultados de los ensayos de resistencia a compresión muestran una relación directa entre éste parámetro y el porcentaje de nano sílice adicionada. Los resultados de la caracterización microestructural ponen de manifiesto un refinamiento de la matriz porosa, con aumento de la cantidad de geles hidratados y reducción del tamaño de poro, más significativo cuanto mayor es el porcentaje de adición. Las imágenes de SEM revelan cambios en la morfología de los productos hidratados de la matriz cementicia. Se observa un aumento significativo de la resistencia del material a la penetración de cloruros cuando se incorpora la nano sílice. Los coeficientes tanto de migración como de difusión de cloruros se reducen a menos de la mitad con la adición del 2,5% de nano sílice, no existiendo diferencias significativas en dichos coeficientes en las mezclas con 2,5% y 5% de nano adición. La resistividad eléctrica se revela como un parámetro que si bien sigue la misma tendencia que el coeficiente de migración, el orden de magnitud de las variaciones entre las distintas dosificaciones existen diferencias significativas.

Technology and characterization of GaN-HEMTs devices: high temperature and trapping effects

Los transistores de alta movilidad electrónica basados en GaN han sido objeto de una extensa investigación ya que tanto el GaN como sus aleaciones presentan unas excelentes propiedades eléctricas (alta movilidad, elevada concentración de portadores y campo eléctrico crítico alto). Aunque recientemente se han incluido en algunas aplicaciones comerciales, su expansión en el mercado está condicionada a la mejora de varios asuntos relacionados con su rendimiento y habilidad. Durante esta tesis se han abordado algunos de estos aspectos relevantes; por ejemplo, la fabricación de enhancement mode HEMTs, su funcionamiento a alta temperatura, el auto calentamiento y el atrapamiento de carga. Los HEMTs normalmente apagado o enhancement mode han atraído la atención de la comunidad científica dedicada al desarrollo de circuitos amplificadores y conmutadores de potencia, ya que su utilización disminuiría significativamente el consumo de potencia; además de requerir solamente una tensión de alimentación negativa, y reducir la complejidad del circuito y su coste. Durante esta tesis se han evaluado varias técnicas utilizadas para la fabricación de estos dispositivos: el ataque húmedo para conseguir el gate-recess en heterostructuras de InAl(Ga)N/GaN; y tratamientos basados en flúor (plasma CF4 e implantación de F) de la zona debajo de la puerta. Se han llevado a cabo ataques húmedos en heteroestructuras de InAl(Ga)N crecidas sobre sustratos de Si, SiC y zafiro. El ataque completo de la barrera se consiguió únicamente en las muestras con sustrato de Si. Por lo tanto, se puede deducir que la velocidad de ataque depende de la densidad de dislocaciones presentes en la estructura, ya que el Si presenta un peor ajuste del parámetro de red con el GaN. En relación a los tratamientos basados en flúor, se ha comprobado que es necesario realizar un recocido térmico después de la fabricación de la puerta para recuperar la heteroestructura de los daños causados durante dichos tratamientos. Además, el estudio de la evolución de la tensión umbral con el tiempo de recocido ha demostrado que en los HEMTs tratados con plasma ésta tiende a valores más negativos al aumentar el tiempo de recocido. Por el contrario, la tensión umbral de los HEMTs implantados se desplaza hacia valores más positivos, lo cual se atribuye a la introducción de iones de flúor a niveles más profundos de la heterostructura. Los transistores fabricados con plasma presentaron mejor funcionamiento en DC a temperatura ambiente que los implantados. Su estudio a alta temperatura ha revelado una reducción del funcionamiento de todos los dispositivos con la temperatura. Los valores iniciales de corriente de drenador y de transconductancia medidos a temperatura ambiente se recuperaron después del ciclo térmico, por lo que se deduce que dichos efectos térmicos son reversibles. Se han estudiado varios aspectos relacionados con el funcionamiento de los HEMTs a diferentes temperaturas. En primer lugar, se han evaluado las prestaciones de dispositivos de AlGaN/GaN sobre sustrato de Si con diferentes caps: GaN, in situ SiN e in situ SiN/GaN, desde 25 K hasta 550 K. Los transistores con in situ SiN presentaron los valores más altos de corriente drenador, transconductancia, y los valores más bajos de resistencia-ON, así como las mejores características en corte. Además, se ha confirmado que dichos dispositivos presentan gran robustez frente al estrés térmico. En segundo lugar, se ha estudiado el funcionamiento de transistores de InAlN/GaN con diferentes diseños y geometrías. Dichos dispositivos presentaron una reducción casi lineal de los parámetros en DC en el rango de temperaturas de 25°C hasta 225°C. Esto se debe principalmente a la dependencia térmica de la movilidad electrónica, y también a la reducción de la drift velocity con la temperatura. Además, los transistores con mayores longitudes de puerta mostraron una mayor reducción de su funcionamiento, lo cual se atribuye a que la drift velocity disminuye más considerablemente con la temperatura cuando el campo eléctrico es pequeño. De manera similar, al aumentar la distancia entre la puerta y el drenador, el funcionamiento del HEMT presentó una mayor reducción con la temperatura. Por lo tanto, se puede deducir que la degradación del funcionamiento de los HEMTs causada por el aumento de la temperatura depende tanto de la longitud de la puerta como de la distancia entre la puerta y el drenador. Por otra parte, la alta densidad de potencia generada en la región activa de estos transistores conlleva el auto calentamiento de los mismos por efecto Joule, lo cual puede degradar su funcionamiento y Habilidad. Durante esta tesis se ha desarrollado un simple método para la determinación de la temperatura del canal basado en medidas eléctricas. La aplicación de dicha técnica junto con la realización de simulaciones electrotérmicas han posibilitado el estudio de varios aspectos relacionados con el autocalentamiento. Por ejemplo, se han evaluado sus efectos en dispositivos sobre Si, SiC, y zafiro. Los transistores sobre SiC han mostrado menores efectos gracias a la mayor conductividad térmica del SiC, lo cual confirma el papel clave que desempeña el sustrato en el autocalentamiento. Se ha observado que la geometría del dispositivo tiene cierta influencia en dichos efectos, destacando que la distribución del calor generado en la zona del canal depende de la distancia entre la puerta y el drenador. Además, se ha demostrado que la temperatura ambiente tiene un considerable impacto en el autocalentamiento, lo que se atribuye principalmente a la dependencia térmica de la conductividad térmica de las capas y sustrato que forman la heterostructura. Por último, se han realizado numerosas medidas en pulsado para estudiar el atrapamiento de carga en HEMTs sobre sustratos de SiC con barreras de AlGaN y de InAlN. Los resultados obtenidos en los transistores con barrera de AlGaN han presentado una disminución de la corriente de drenador y de la transconductancia sin mostrar un cambio en la tensión umbral. Por lo tanto, se puede deducir que la posible localización de las trampas es la región de acceso entre la puerta y el drenador. Por el contrario, la reducción de la corriente de drenador observada en los dispositivos con barrera de InAlN llevaba asociado un cambio significativo en la tensión umbral, lo que implica la existencia de trampas situadas en la zona debajo de la puerta. Además, el significativo aumento del valor de la resistencia-ON y la degradación de la transconductancia revelan la presencia de trampas en la zona de acceso entre la puerta y el drenador. La evaluación de los efectos del atrapamiento de carga en dispositivos con diferentes geometrías ha demostrado que dichos efectos son menos notables en aquellos transistores con mayor longitud de puerta o mayor distancia entre puerta y drenador. Esta dependencia con la geometría se puede explicar considerando que la longitud y densidad de trampas de la puerta virtual son independientes de las dimensiones del dispositivo. Finalmente se puede deducir que para conseguir el diseño óptimo durante la fase de diseño no sólo hay que tener en cuenta la aplicación final sino también la influencia que tiene la geometría en los diferentes aspectos estudiados (funcionamiento a alta temperatura, autocalentamiento, y atrapamiento de carga). ABSTRACT GaN-based high electron mobility transistors have been under extensive research due to the excellent electrical properties of GaN and its related alloys (high carrier concentration, high mobility, and high critical electric field). Although these devices have been recently included in commercial applications, some performance and reliability issues need to be addressed for their expansion in the market. Some of these relevant aspects have been studied during this thesis; for instance, the fabrication of enhancement mode HEMTs, the device performance at high temperature, the self-heating and the charge trapping. Enhancement mode HEMTs have become more attractive mainly because their use leads to a significant reduction of the power consumption during the stand-by state. Moreover, they enable the fabrication of simpler power amplifier circuits and high-power switches because they allow the elimination of negativepolarity voltage supply, reducing significantly the circuit complexity and system cost. In this thesis, different techniques for the fabrication of these devices have been assessed: wet-etching for achieving the gate-recess in InAl(Ga)N/GaN devices and two different fluorine-based treatments (CF4 plasma and F implantation). Regarding the wet-etching, experiments have been carried out in InAl(Ga)N/GaN grown on different substrates: Si, sapphire, and SiC. The total recess of the barrier was achieved after 3 min of etching in devices grown on Si substrate. This suggests that the etch rate can critically depend on the dislocations present in the structure, since the Si exhibits the highest mismatch to GaN. Concerning the fluorine-based treatments, a post-gate thermal annealing was required to recover the damages caused to the structure during the fluorine-treatments. The study of the threshold voltage as a function of this annealing time has revealed that in the case of the plasma-treated devices it become more negative with the time increase. On the contrary, the threshold voltage of implanted HEMTs showed a positive shift when the annealing time was increased, which is attributed to the deep F implantation profile. Plasma-treated HEMTs have exhibited better DC performance at room temperature than the implanted devices. Their study at high temperature has revealed that their performance decreases with temperature. The initial performance measured at room temperature was recovered after the thermal cycle regardless of the fluorine treatment; therefore, the thermal effects were reversible. Thermal issues related to the device performance at different temperature have been addressed. Firstly, AlGaN/GaN HEMTs grown on Si substrate with different cap layers: GaN, in situ SiN, or in situ SiN/GaN, have been assessed from 25 K to 550 K. In situ SiN cap layer has been demonstrated to improve the device performance since HEMTs with this cap layer have exhibited the highest drain current and transconductance values, the lowest on-resistance, as well as the best off-state characteristics. Moreover, the evaluation of thermal stress impact on the device performance has confirmed the robustness of devices with in situ cap. Secondly, the high temperature performance of InAlN/GaN HEMTs with different layouts and geometries have been assessed. The devices under study have exhibited an almost linear reduction of the main DC parameters operating in a temperature range from room temperature to 225°C. This was mainly due to the thermal dependence of the electron mobility, and secondly to the drift velocity decrease with temperature. Moreover, HEMTs with large gate length values have exhibited a great reduction of the device performance. This was attributed to the greater decrease of the drift velocity for low electric fields. Similarly, the increase of the gate-to-drain distance led to a greater reduction of drain current and transconductance values. Therefore, this thermal performance degradation has been found to be dependent on both the gate length and the gate-to-drain distance. It was observed that the very high power density in the active region of these transistors leads to Joule self-heating, resulting in an increase of the device temperature, which can degrade the device performance and reliability. A simple electrical method have been developed during this work to determine the channel temperature. Furthermore, the application of this technique together with the performance of electro-thermal simulations have enabled the evaluation of different aspects related to the self-heating. For instance, the influence of the substrate have been confirmed by the study of devices grown on Si, SiC, and Sapphire. HEMTs grown on SiC substrate have been confirmed to exhibit the lowest self-heating effects thanks to its highest thermal conductivity. In addition to this, the distribution of the generated heat in the channel has been demonstrated to be dependent on the gate-to-drain distance. Besides the substrate and the geometry of the device, the ambient temperature has also been found to be relevant for the self-heating effects, mainly due to the temperature-dependent thermal conductivity of the layers and the substrate. Trapping effects have been evaluated by means of pulsed measurements in AlGaN and InAIN barrier devices. AlGaN barrier HEMTs have exhibited a de crease in drain current and transconductance without measurable threshold voltage change, suggesting the location of the traps in the gate-to-drain access region. On the contrary, InAIN barrier devices have showed a drain current associated with a positive shift of threshold voltage, which indicated that the traps were possibly located under the gate region. Moreover, a significant increase of the ON-resistance as well as a transconductance reduction were observed, revealing the presence of traps on the gate-drain access region. On the other hand, the assessment of devices with different geometries have demonstrated that the trapping effects are more noticeable in devices with either short gate length or the gate-to-drain distance. This can be attributed to the fact that the length and the trap density of the virtual gate are independent on the device geometry. Finally, it can be deduced that besides the final application requirements, the influence of the device geometry on the performance at high temperature, on the self-heating, as well as on the trapping effects need to be taken into account during the device design stage to achieve the optimal layout.

Caracterización óptica de módulos fotovoltaicos semitransparentes de a-Si para integración en edificios comerciales

La inferencia del rendimiento final que los sistemas fotovoltaicos multifunción para edificación, más conocidos como Buiding Integrated PhotoVoltaics (BIPV), es decir, su funcionamiento y la viabilidad de los mismos, es hoy posible gracias a las herramientas de simulación disponibles. Estas requieren del conocimiento previo de los parámetros característicos de dichos elementos fotovoltaicos. Unos son obtenidos por mediciones directas o indirectas en el laboratorio, y otros mediante su monitorización en condiciones de funcionamiento reales. En este trabajo se ha abordado la caracterización óptica de los módulos fotovoltaicos comerciales de capa fina (a-Si) que están siendo utilizados en un proyecto propio del IES, en el cual se estudian estos aspectos. La característica más destacada de estos módulos es la gradación en su transparencia para adecuarlos a la integración como envolventes tipo muro cortina en edificios del sector terciario. En particular, el objetivo de este trabajo ha sido la medición de la transmitancia y la reflectancia espectrales, en los rangos UV/Vis/NIR, tanto en incidencia normal como bajo otros ángulos más próximos a los de operación. Con los resultados obtenidos, se han calculado los valores de la radiación reflejada y la transmitida, totales y por rangos UV, Vis y NIR, lo que permite la correcta caracterización de los módulos fotovoltaicos integrados en fachadas y la posterior evaluación de su impacto sobre el rendimiento eléctrico, térmico y la iluminación en un edificio.

El proyecto adaptación urbana 'Verde' frente a inundaciones con el soporte de la modelación matemática y del software MODCEL© en Riohacha - La Guajira (Colombia)

El crecimiento urbano descontrolado en países en vía de desarrollo conlleva grandes desafíos para la gestión del territorio frente al riesgo de inundaciones, aún más en relación al cambio climático. El propósito de la presente comunicación es describir los aspectos más generales y relevantes del proyecto Adaptación Urbana Verde. El software MODCEL© fue adoptado para realizar simulaciones de distintas alternativas de solución y así determinar zonas inundadas y viviendas afectadas de Riohacha, elementos clave para comparar alternativas. El software MODCEL soporta una familia de modelos matemáticos hidráulicos cuasi 3D, discretizando el territorio en ?céldas?. Las salidas de simulación se han reportado en un sistema de información geográfica para la visualización y análisis. A través de un proceso participativo, apoyado en una evaluación de tipo multicriterio, se ha llegado a generar un plan urbano integrado contra las inundaciones con medidas no convencionales estructurales, destacándose el uso de elementos peculiares del territorio como lo son los humedales (naturales y e intervenidos) de Riohacha. Los resultados conseguidos pretenden ser un referente local para la adaptación al cambio climático con visibilidad nacional en la reducción del riesgo de desastres.