Characterization of CPV arrays based on differences on their thermal resistances

Thermal characterization of Concentrating Photovoltaics (CPV) modules and Arrays is needed to determine their performance and modelling of energy forecast. Module-ambient thermal resistance is easily obtained from its definition but the cell-module thermal resistant needs to be estimated from indirect procedures, two of them are presented in this paper. In addition, an equivalent parameter is defined, the Concentrator Nominal Operating Module/Cell Temperature (CNOMT/CNOCT), the temperature at Concentrator Standard Operating Conditions (CSOC). Definitions and expression to relate (CNOMT/CNOCT) to thermal resistances are presented, plus several examples of estimations from real operating arrays.

Experimental study of the thermal-energy performance of an insulated vegetal facade under summer conditions in a continental mediterranean climate

The use of vegetal systems in facades affects the reduction of the buildings' energy demand, the attenuation of the urban heat island (UHI) and the filtration of pollutants present in the air. Even so, up to now the knowledge about the effect of this type of systems on the thermal performance of insulated facades is limited. This article presents the results of an experimental study carried out in a vegetal facade located in a continental Mediterranean climate zone. The objective is to study the effect of a vegetal finishing, formed by plants and substrate, on the thermal-energy performance of an insulated facade under summer conditions. To this effect, the thermal data obtained from two full-scale experimental mock-ups of the same dimensions and composition of the enclosure and only different in the south facade's enclosure where one incorporates a vegetation layer are compared and analysed. The results show that, in spite of the high thermal resistance of the enclosure, the effect of the vegetation is very positive, particularly in the warmer hours of the day. Therefore, vegetal facades can be used as a passive cooling strategy, reducing the consumption of energy for refrigeration and improving the comfort conditions of the users. (C) 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.

Aislamiento acústico a ruido aéreo en techos con materiales ecológicos

El incremento de la contaminación acústica se ha convertido en un problema medioambiental lo cual ha generado un aumento en la demanda del aislamiento de los edificios para lograr el confort acústico. Existen métodos de medición de aislamiento acústico a ruido aéreo de fachadas bajo ensayo “in situ” pero no para techos. El objetivo de esta investigación consiste en determinar el aislamiento acústico de prototipos de techos ecológicos multicapas adaptando la metodología recomendada por normas internacionales. Se propusieron cuatro prototipos de techos con distintos materiales naturales como especies vegetales y sustratos de fibra de coco, superpuestos sobre un techo base liviano. Al sustrato se le varió su espesor de 10 a 20 cm, sus condiciones seca o húmeda y su densidad: 100%, 66% y 33% fibra de coco. En los resultados se determinó que las especies vegetales no aportaron aislamiento, pero al incrementar el espesor y densidad del sustrato mejoró el aislamiento sonoro. También se determinó que el aislamiento acústico en condición seca fue mejor que en condición húmeda. Se planteó una metodología para determinar el aislamiento acústico a ruido aéreo en techos bajo ensayo “in situ” empleando el método global con altavoz, ésta se estructuró en tres partes: la primera describe el módulo experimental y la plataforma tecnológica; la segunda aborda procedimientos para medir los niveles de presión sonora, niveles de ruido de fondo y los tiempos de reverberación, en bandas de frecuencia de tercios de octava; en la tercera se explica el cálculo de los promedios de estos parámetros, así como también la diferencia de niveles estandarizada, el índice de reducción sonora aparente con sus valores globales y su incertidumbre. Así mismo, se determinó un algoritmo de predicción del aislamiento acústico, analizando los valores obtenidos en las mediciones “in situ” como la Diferencia de nivel estandarizada ponderada y el Índice ponderado de reducción sonora, los cuales se relacionaron con el peso y el espesor de los materiales de las diferentes multicapas. A través de un análisis de regresión se establecieron modelos para predecir la Diferencia de nivel estandarizada y el Índice de reducción sonora aparente en bandas de octavas. Los resultados del modelo propuesto son cercanos a los datos medidos “in situ”. Por otra parte, se realizaron mediciones térmicas en un módulo experimental y otro de referencia en tres períodos del día. En el módulo experimental se construyeron los prototipos de techos ecológicos y en el de referencia un techo de construcción tradicional, se compararon los resultados de ambos módulos y su interacción con la temperatura exterior. Se detectó que las temperaturas internas del módulo experimental en condición seca tienden a mantener sus valores durante todo el día, en horas de la mañana sus valores son superiores a los del módulo de referencia y temperatura exterior. Al mediodía y en la tarde las temperaturas internas del módulo experimental son inferiores a las del módulo de referencia, incrementándose esta última a medida que aumenta temperatura exterior. Finalmente, a partir de las mediciones “in situ” se realizaron cuatro modelos de correlación acústica-térmica, los tres primeros relacionando la temperatura y el nivel de presión sonora en tres momentos del día, en la tarde se aprecia que a medida que aumenta la temperatura aumentan los niveles de presión sonora. En el cuarto modelo se estableció una correlación acústica-térmica entre la resistencia térmica de los materiales de las multicapas con su índice de reducción sonora, obteniéndose un coeficiente de correlación moderado. La presente investigación plantea retos desde el punto de vista ambiental, permite cuantificar el aislamiento acústico de los techos y mejorar la calidad de vida en áreas urbanas; el empleo de los materiales de procedencia local como los utilizados fomenta el respeto por la naturaleza y producen un menor impacto ambiental. ABSTRACT Sound contamination increase has generated a raise in insulation demand of buildings in order to achieve a sound comfort, and this has become into an environmental problem. There are measurements methods for air borne soundproofing in facades through “in situ” test but there are not for roofs. The purpose of this research is to determine sound insulation of multilayer green roof prototypes following the methodology suggested by international standards. Four prototypes of roofs with different types of vegetation and overlapped coconut fiber substrates over a light roof were proposed. Thickness of substrate varied from 10 to 20 cm, as well as its dry a humid condition and its density: 100%, 66% y 33% of coconut fiber. Results determined that vegetation did not contribute to insulation but when increasing substrate’s thickness and density, sound insulation was improved. Likewise, it was determined that sound insulation in dry condition was greater than in humid condition. A methodology to determine airborne sound insulation in roofs through “in situ” test using a speaker global method was stated. This was structured in three parts: the first part describes the experimental module and the technological platform; the second one establishes the procedures to measure sound pressure levels; levels of background noise and time of reverberation in frequency bands of thirds of octave, and in the third part, averages of these parameters, as well as the difference of standardized levels, the apparent sound reduction with its global values and uncertainty were calculated. Likewise, a prediction algorithm of sound insulation was determined by analyzing values obtained in “in-situ” measures such as the difference of weighted standardized level and the weighted index of sound reduction which they were related to weight and thickness of different multilayer materials. Models to predict the standardized level difference and the apparent sound reduction index in bands of octaves were established by a regression analysis. Results for the proposed model are close to data measured “in situ”. On the other hand, thermal measures were done in an experimental module, as well as in another as for reference in three periods of the day. Green prototypes roofs were built in the experimental module and a traditional roof were built in the reference one. Results of both modules were compared as well as the interaction with outside temperature. Internal temperatures of the experimental module in dry condition tend to keep their values throughout the day; in the morning, its values are higher than those of the reference module and external temperatures. Finally, four models of sound-thermal correlation were done from measures “in situ”. The first three were related to temperature and sound pressure level in three moments of the day. In the afternoon, it is observed that when temperature increases, sound pressure levels increases too. In the fourth model, a sound and thermal correlation was established between thermal resistance of multilayer materials with their sound reduction index, and a moderated correlation coefficient was obtained. This research poses challenges from the environmental point of view, and it allows quantifying sound insulation of roofs as well as improving quality of life in urban areas; the use of local vegetation promotes respect for nature and it produces a smaller environmental impact as well.

Joule heating in ferromagnetic nanostripes with a notch

The temperature in a ferromagnetic nanostripe with a notch subject to Joule heating has been studied in detail. We first performed an experimental real-time calibration of the temperature versus time as a 100 ns current pulse was injected into a Permalloy nanostripe. This calibration was repeated for different pulse amplitudes and stripe dimensions and the set of experimental curves were fitted with a computer simulation using the Fourier thermal conduction equation. The best fit of these experimental curves was obtained by including the temperature-dependent behavior of the electrical resistivity of the Permalloy and of the thermal conductivity of thesubstrate(SiO2). Notably, a nonzero interface thermal resistance between the metallic nanostripe and thesubstrate was also necessary to fit the experimental curves. We found this parameter pivotal to understand ourresults and the results from previous works. The higher current density in the notch, together with the interface thermal resistance, allows a considerable increase of the temperature in the notch, creating a large horizontal thermal gradient. This gradient, together with the high temperature in the notch and the larger current density close to the edges of the notch, can be very influential in experiments studying the current assisted domain wall motion.

Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs

GaN y AlN son materiales semiconductores piezoeléctricos del grupo III-V. La heterounión AlGaN/GaN presenta una elevada carga de polarización tanto piezoeléctrica como espontánea en la intercara, lo que genera en su cercanía un 2DEG de grandes concentración y movilidad. Este 2DEG produce una muy alta potencia de salida, que a su vez genera una elevada temperatura de red. Las tensiones de puerta y drenador provocan un stress piezoeléctrico inverso, que puede afectar a la carga de polarización piezoeléctrica y así influir la densidad 2DEG y las características de salida. Por tanto, la física del dispositivo es relevante para todos sus aspectos eléctricos, térmicos y mecánicos. En esta tesis se utiliza el software comercial COMSOL, basado en el método de elementos finitos (FEM), para simular el comportamiento integral electro-térmico, electro-mecánico y electro-térmico-mecánico de los HEMTs de GaN. Las partes de acoplamiento incluyen el modelo de deriva y difusión para el transporte electrónico, la conducción térmica y el efecto piezoeléctrico. Mediante simulaciones y algunas caracterizaciones experimentales de los dispositivos, hemos analizado los efectos térmicos, de deformación y de trampas. Se ha estudiado el impacto de la geometría del dispositivo en su auto-calentamiento mediante simulaciones electro-térmicas y algunas caracterizaciones eléctricas. Entre los resultados más sobresalientes, encontramos que para la misma potencia de salida la distancia entre los contactos de puerta y drenador influye en generación de calor en el canal, y así en su temperatura. El diamante posee une elevada conductividad térmica. Integrando el diamante en el dispositivo se puede dispersar el calor producido y así reducir el auto-calentamiento, al respecto de lo cual se han realizado diversas simulaciones electro-térmicas. Si la integración del diamante es en la parte superior del transistor, los factores determinantes para la capacidad disipadora son el espesor de la capa de diamante, su conductividad térmica y su distancia a la fuente de calor. Este procedimiento de disipación superior también puede reducir el impacto de la barrera térmica de intercara entre la capa adaptadora (buffer) y el substrato. La muy reducida conductividad eléctrica del diamante permite que pueda contactar directamente el metal de puerta (muy cercano a la fuente de calor), lo que resulta muy conveniente para reducir el auto-calentamiento del dispositivo con polarización pulsada. Por otra parte se simuló el dispositivo con diamante depositado en surcos atacados sobre el sustrato como caminos de disipación de calor (disipador posterior). Aquí aparece una competencia de factores que influyen en la capacidad de disipación, a saber, el surco atacado contribuye a aumentar la temperatura del dispositivo debido al pequeño tamaño del disipador, mientras que el diamante disminuiría esa temperatura gracias a su elevada conductividad térmica. Por tanto, se precisan capas de diamante relativamente gruesas para reducer ele efecto de auto-calentamiento. Se comparó la simulación de la deformación local en el borde de la puerta del lado cercano al drenador con estructuras de puerta estándar y con field plate, que podrían ser muy relevantes respecto a fallos mecánicos del dispositivo. Otras simulaciones se enfocaron al efecto de la deformación intrínseca de la capa de diamante en el comportamiento eléctrico del dispositivo. Se han comparado los resultados de las simulaciones de la deformación y las características eléctricas de salida con datos experimentales obtenidos por espectroscopía micro-Raman y medidas eléctricas, respectivamente. Los resultados muestran el stress intrínseco en la capa producido por la distribución no uniforme del 2DEG en el canal y la región de acceso. Además de aumentar la potencia de salida del dispositivo, la deformación intrínseca en la capa de diamante podría mejorar la fiabilidad del dispositivo modulando la deformación local en el borde de la puerta del lado del drenador. Finalmente, también se han simulado en este trabajo los efectos de trampas localizados en la superficie, el buffer y la barrera. Las medidas pulsadas muestran que tanto las puertas largas como las grandes separaciones entre los contactos de puerta y drenador aumentan el cociente entre la corriente pulsada frente a la corriente continua (lag ratio), es decir, disminuir el colapse de corriente (current collapse). Este efecto ha sido explicado mediante las simulaciones de los efectos de trampa de superficie. Por su parte, las referidas a trampas en el buffer se enfocaron en los efectos de atrapamiento dinámico, y su impacto en el auto-calentamiento del dispositivo. Se presenta también un modelo que describe el atrapamiento y liberación de trampas en la barrera: mientras que el atrapamiento se debe a un túnel directo del electrón desde el metal de puerta, el desatrapamiento consiste en la emisión del electrón en la banda de conducción mediante túnel asistido por fonones. El modelo también simula la corriente de puerta, debida a la emisión electrónica dependiente de la temperatura y el campo eléctrico. Además, también se ilustra la corriente de drenador dependiente de la temperatura y el campo eléctrico. ABSTRACT GaN and AlN are group III-V piezoelectric semiconductor materials. The AlGaN/GaN heterojunction presents large piezoelectric and spontaneous polarization charge at the interface, leading to high 2DEG density close to the interface. A high power output would be obtained due to the high 2DEG density and mobility, which leads to elevated lattice temperature. The gate and drain biases induce converse piezoelectric stress that can influence the piezoelectric polarization charge and further influence the 2DEG density and output characteristics. Therefore, the device physics is relevant to all the electrical, thermal, and mechanical aspects. In this dissertation, by using the commercial finite-element-method (FEM) software COMSOL, we achieved the GaN HEMTs simulation with electro-thermal, electro-mechanical, and electro-thermo-mechanical full coupling. The coupling parts include the drift-diffusion model for the electron transport, the thermal conduction, and the piezoelectric effect. By simulations and some experimental characterizations, we have studied the device thermal, stress, and traps effects described in the following. The device geometry impact on the self-heating was studied by electro-thermal simulations and electrical characterizations. Among the obtained interesting results, we found that, for same power output, the distance between the gate and drain contact can influence distribution of the heat generation in the channel and thus influence the channel temperature. Diamond possesses high thermal conductivity. Integrated diamond with the device can spread the generated heat and thus potentially reduce the device self-heating effect. Electro-thermal simulations on this topic were performed. For the diamond integration on top of the device (top-side heat spreading), the determinant factors for the heat spreading ability are the diamond thickness, its thermal conductivity, and its distance to the heat source. The top-side heat spreading can also reduce the impact of thermal boundary resistance between the buffer and the substrate on the device thermal behavior. The very low electrical conductivity of diamond allows that it can directly contact the gate metal (which is very close to the heat source), being quite convenient to reduce the self-heating for the device under pulsed bias. Also, the diamond coated in vias etched in the substrate as heat spreading path (back-side heat spreading) was simulated. A competing mechanism influences the heat spreading ability, i.e., the etched vias would increase the device temperature due to the reduced heat sink while the coated diamond would decrease the device temperature due to its higher thermal conductivity. Therefore, relative thick coated diamond is needed in order to reduce the self-heating effect. The simulated local stress at the gate edge of the drain side for the device with standard and field plate gate structure were compared, which would be relevant to the device mechanical failure. Other stress simulations focused on the intrinsic stress in the diamond capping layer impact on the device electrical behaviors. The simulated stress and electrical output characteristics were compared to experimental data obtained by micro-Raman spectroscopy and electrical characterization, respectively. Results showed that the intrinsic stress in the capping layer caused the non-uniform distribution of 2DEG in the channel and the access region. Besides the enhancement of the device power output, intrinsic stress in the capping layer can potentially improve the device reliability by modulating the local stress at the gate edge of the drain side. Finally, the surface, buffer, and barrier traps effects were simulated in this work. Pulsed measurements showed that long gates and distances between gate and drain contact can increase the gate lag ratio (decrease the current collapse). This was explained by simulations on the surface traps effect. The simulations on buffer traps effects focused on illustrating the dynamic trapping/detrapping in the buffer and the self-heating impact on the device transient drain current. A model was presented to describe the trapping and detrapping in the barrier. The trapping was the electron direct tunneling from the gate metal while the detrapping was the electron emission into the conduction band described by phonon-assisted tunneling. The reverse gate current was simulated based on this model, whose mechanism can be attributed to the temperature and electric field dependent electron emission in the barrier. Furthermore, the mechanism of the device bias via the self-heating and electric field impact on the electron emission and the transient drain current were also illustrated.