Extreme ultraviolet detection using AlGaN-on-Si inverted Schottky photodiodes

We report on the fabrication of aluminum gallium nitride (AlGaN) Schottky diodes for extreme ultraviolet (EUV) detection. AlGaN layers were grown on silicon wafers by molecular beam epitaxy with the conventional and inverted Schottky structure, where the undoped, active layer was grown before or after the n-doped layer, respectively. Different current mechanisms were observed in the two structures. The inverted Schottky diode was designed for the optimized backside sensitivity in the hybrid imagers. A cut-off wavelength of 280 nm was observed with three orders of magnitude intrinsic rejection ratio of the visible radiation. Furthermore, the inverted structure was characterized using a EUV source based on helium discharge and an open electrode design was used to improve the sensitivity. The characteristic He I and He II emission lines were observed at the wavelengths of 58.4 nm and 30.4 nm, respectively, proving the feasibility of using the inverted layer stack for EUV detection

Thermally assisted tunneling transport in La0.7Ca0.3MnO3/SrTiO3:Nb Schottky-like heterojunctions

We report on the electrical transport properties of all-oxide La0.7Ca0.3MnO3/SrTiO3:Nb heterojunctions with lateral size of just a few micrometers. The use of lithography techniques to pattern manganite pillars ensures perpendicular transport and allows exploration of the microscopic conduction mechanism through the interface. From the analysis of the current-voltage characteristics in the temperature range 20-280 K we find a Schottky-like behavior that can be described by a mechanism of thermally assisted tunneling if a temperature-dependent value of the dielectric permittivity of SrTiO3:Nb (NSTO) is considered.We determine the Schottky energy barrier at the interface, qVB = 1.10 ± 0.02 eV, which is found to be temperature independent, and a value of ? = 17 ± 2 meV for the energy of the Fermi level in NSTO with respect to the bottom of its conduction band.

Application of Wignner-Ville distribution to identify anomalies in GPR profiles

Con base en la Distribución de Wigner-Ville(WVO) se realizó un análisis en tiempo y frecuencia de datos obtenidos con el Radar de Penetración Terrestre (GPR), basado en el estudio de la descomposición de la señal espectral. Se calcula una correlación entre la señal original y las componentes de tiempo-frecuencia para obtener anomalías estructurales de la información contenida en el radargrama relacionándola con la geología disponible. En primer lugar se describe la aplicación de un ejemplo teórico constituido por lo que representaría un túnel (tubería). Se obtuvieron las firmas correspondientes en el dominio del tiempo y en el dominio de la frecuencia. Finalmente se analiza esta metodología en un sido de prueba en la detección de un tambo enterrado donde son conocidas la geometría y su profundidad. Este especial sitio fue facilitado por la Universidad Nacional Autónoma de México, en los terrenos del Observatorio Magnético de Teoloyucan, Estado de México. Los resultados obtenidos son bastante alentadores, ya que la WVD es capaz de definir los rasgos morfofógicos relacionados con el tambo y abre la posibilidad de localizar este tipo de estructuras.