Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.

Neighborhood-corrected interface discontinuity factors for multi-group pin-by-pin diffusion calculations for LWR

Performing three-dimensional pin-by-pin full core calculations based on an improved solution of the multi-group diffusion equation is an affordable option nowadays to compute accurate local safety parameters for light water reactors. Since a transport approximation is solved, appropriate correction factors, such as interface discontinuity factors, are required to nearly reproduce the fully heterogeneous transport solution. Calculating exact pin-by-pin discontinuity factors requires the knowledge of the heterogeneous neutron flux distribution, which depends on the boundary conditions of the pin-cell as well as the local variables along the nuclear reactor operation. As a consequence, it is impractical to compute them for each possible configuration; however, inaccurate correction factors are one major source of error in core analysis when using multi-group diffusion theory. An alternative to generate accurate pin-by-pin interface discontinuity factors is to build a functional-fitting that allows incorporating the environment dependence in the computed values. This paper suggests a methodology to consider the neighborhood effect based on the Analytic Coarse-Mesh Finite Difference method for the multi-group diffusion equation. It has been applied to both definitions of interface discontinuity factors, the one based on the Generalized Equivalence Theory and the one based on Black-Box Homogenization, and for different few energy groups structures. Conclusions are drawn over the optimal functional-fitting and demonstrative results are obtained with the multi-group pin-by-pin diffusion code COBAYA3 for representative PWR configurations.

A non-perturbative renormalization group study of the stochastic NavierStokes equation

We study the renormalization group flow of the average action of the stochastic Navier-Stokes equation with power-law forcing. Using Galilean invariance, we introduce a nonperturbative approximation adapted to the zero-frequency sector of the theory in the parametric range of the Hölder exponent 4−2 ɛ of the forcing where real-space local interactions are relevant. In any spatial dimension d, we observe the convergence of the resulting renormalization group flow to a unique fixed point which yields a kinetic energy spectrum scaling in agreement with canonical dimension analysis. Kolmogorov's −5/3 law is, thus, recovered for ɛ=2 as also predicted by perturbative renormalization. At variance with the perturbative prediction, the −5/3 law emerges in the presence of a saturation in the ɛ dependence of the scaling dimension of the eddy diffusivity at ɛ=3/2 when, according to perturbative renormalization, the velocity field becomes infrared relevant.

Leader Rural Development Program in Spain: Profile and Functions of Workers in Local Action Groups.

Occupations in the labor market are linked with to a minimum basic training and other capacities. Hired workers should be able to accomplish required functions related to their specific job. Regarding the rural development labor market, local action groups? workers have defined performance areas?projects, strategy, organization and training & market?but specific functions within each of these areas are not as clearly defined. Neither both, basic training and capacities needed to perform each job profile within the local action group are defined. This communication analyses training and other capacities linked to each of the job profiles within the local action group. Functions within each of the performance areas previously defined are also analyzed regarding the job profiles.

Incorporating Group Recommendations to Recommender Systems: Alternatives and Performance

La importancia de los sistemas de recomendación ha experimentado un crecimiento exponencial como consecuencia del auge de las redes sociales. En esta tesis doctoral presentaré una amplia visión sobre el estado del arte de los sistemas de recomendación. Incialmente, estos estaba basados en fitrado demográfico, basado en contendio o colaborativo. En la actualidad, estos sistemas incorporan alguna información social al proceso de recomendación. En el futuro utilizarán información implicita, local y personal proveniente del Internet de las cosas. Los sistemas de recomendación basados en filtrado colaborativo se pueden modificar con el fin de realizar recomendaciones a grupos de usuarios. Existen trabajos previos que han incluido estas modificaciones en diferentes etapas del algoritmo de filtrado colaborativo: búsqueda de los vecinos, predicción de las votaciones y elección de las recomendaciones. En esta tesis doctoral proporcionaré un nuevo método que realizar el proceso de unficación (pasar de varios usuarios a un grupo) en el primer paso del algoritmo de filtrado colaborativo: cálculo de la métrica de similaridad. Proporcionaré una formalización completa del método propuesto. Explicaré cómo obtener el conjunto de k vecinos del grupo de usuarios y mostraré cómo obtener recomendaciones usando dichos vecinos. Asimismo, incluiré un ejemplo detallando cada paso del método propuesto en un sistema de recomendación compuesto por 8 usuarios y 10 items. Las principales características del método propuesto son: (a) es más rápido (más eficiente) que las alternativas proporcionadas por otros autores, y (b) es al menos tan exacto y preciso como otras soluciones estudiadas. Para contrastar esta hipótesis realizaré varios experimentos que miden la precisión, la exactitud y el rendimiento del método. Los resultados obtenidos se compararán con los resultados de otras alternativas utilizadas en la recomendación de grupos. Los experimentos se realizarán con las bases de datos de MovieLens y Netflix. ABSTRACT The importance of recommender systems has grown exponentially with the advent of social networks. In this PhD thesis I will provide a wide vision about the state of the art of recommender systems. They were initially based on demographic, contentbased and collaborative filtering. Currently, these systems incorporate some social information to the recommendation process. In the future, they will use implicit, local and personal information from the Internet of Things. As we will see here, recommender systems based on collaborative filtering can be used to perform recommendations to group of users. Previous works have made this modification in different stages of the collaborative filtering algorithm: establishing the neighborhood, prediction phase and determination of recommended items. In this PhD thesis I will provide a new method that carry out the unification process (many users to one group) in the first stage of the collaborative filtering algorithm: similarity metric computation. I will provide a full formalization of the proposed method. I will explain how to obtain the k nearest neighbors of the group of users and I will show how to get recommendations using those users. I will also include a running example of a recommender system with 8 users and 10 items detailing all the steps of the method I will present. The main highlights of the proposed method are: (a) it will be faster (more efficient) that the alternatives provided by other authors, and (b) it will be at least as precise and accurate as other studied solutions. To check this hypothesis I will conduct several experiments measuring the accuracy, the precision and the performance of my method. I will compare these results with the results generated by other methods of group recommendation. The experiments will be carried out using MovieLens and Netflix datasets.

Slow fashion and sustainability in Spain: How can local manufacturing improve sustainability and how do consumers respond?

"Slow Fashion" attempts to offset the demand for fast fashion and mass production (Fletcher, 2007). Consumers' response to sustainability-based practices is a limited discourse and studies for slow fashion concept are scarce. This study thus aims to enlighten the subject of how slow fashion concept could improve local economies and how Spanish consumers respond to such initiatives. This paper is based on an exploratory qualitative research for which focus group interviews including three group discussions with Spanish consumers were held. The data was examined by constant comparison analysis to present consumer insights. Moreover, a case study was conducted with a Spanish apparel brand. Saint Brissant was chosen since it manufactures in Spain to (i) ensure its products? high quality and (ii) to empower Spanish economy. This paper provides empirical insights. Even though local manufacturing was perceived to have a higher quality, Spanish consumers? behavioural intentions of using local brands were not high.Self-interest, mainly price and design, was recorded as the most influential purchase criteria. Furthermore, Saint Brissant case demonstrated that local manufacturing could boost local economies by creating workforce. However, governmental subsidies should be rearranged and consumers? perceptions should be improved to support local manufacturers in Spain.

Planificación Participativa en la gestión urbana local, identificación de factores claves y nuevas formas de participación? Seguimiento a 13 Alcaldías del Área Metropolitana de Santiago, Chile

La presente tesis se presenta como un continuo de investigaciones realizadas durante el proceso de desarrollo del Doctorado en torno al tema de la Participación Ciudadana en la Gestión Urbana Local. El Objetivo general de la tesis es verificar y evaluar la existencia de una planificación participativa en la gestión urbana local en Chile. Los objetivos específicos abordan los factores clave que facilitan y restringen los procesos participativos en la gestión urbana local, la factibilidad de desarrollar nuevas formas de participación en el medio local y los avances que se han registrado o no en materia de planificación y gestión participativa en Chile. La Metodología planteada es de tipo cualitativa y se centra en el estudio del caso: la RED de Alcaldías Pro-Participación del Área Metropolitana de Santiago. Se utilizan diversos instrumentos metodológicos básicamente cualitativos donde destaca la utilización de la Transparencia Activa con 2 consultas a los 13 municipios, entrevistas a los Directores de la Secretaría de Planificación, SECPLA, a Encargados de las Unidades de Participación y con algunos Asesores Urbanos. Paralelamente en el segundo semestre del año 2013 se llevo a cabo una observación directa de los cabildos territoriales realizados en el marco del proceso de actualización del Plan de Desarrollo Comunal. Por último se realizó un Focus Group con integrantes de los Consejos de la Sociedad Civil de modo de complementar los resultados de las entrevistas y las consultas a los municipios. Todo lo anterior complementado con una revisión documental en relación a la conceptualización de la participación, los tipos de participación, los actores que intervienen en el proceso y los mecanismos o herramientas que hacen posible el desarrollo de estos procesos. Finalmente los resultados esperados, en el marco de los objetivos y las hipótesis planteadas estaban básicamente enfocados en los desafíos que impone llevar adelante una gestión más participativa y transparente. ABSTRACT This thesis is presented as a continuum of the research conducted during the development of the doctorate process on the subject of Citizen Participation in Local Urban Management. Initially referring to the more specific field of urban planning and in this case in the more general context of local planning. The overall aim of the thesis is to verify and assess the existence of participatory planning in local urban management in Chile. The specific objectives address the key factors that facilitate and constrain participatory processes in local urban management, the feasibility of developing new forms of participation in the local environment and the progress that has been registered or not in participatory planning and management in Chile. The proposed methodology is a qualitative approach and focuses on the case study: A Pro-Participation mayors of Greater Santiago. Basically using different qualitative methodological tools which highlights the use of Active Transparency with 2 consultations to the 13 municipalities, interviews with the directors of the Planning Office, SECPLAN, directors or managers of Participation Units in those municipalities that had created one and some professionals in charge of the Urban Office. Parallel to those methodological tools in the second half of 2013 was held a direct observation of the territorial councils (Caboildos Territoriales) made under the PLADECO update process. Finally, a focus group was held with members of the Civil Society Council, COSOC that will complement the results of interviews and consultations with municipalities. All this with tools in the context of a review of documents related to the conceptualization of participation, types of participation, the actors involved in the process and the mechanisms and tools that make possible these participatory processes. Finally the expected results within the framework of the objectives and hypotheses were basically focused on identifying the elements that facilitate or constrain participatory processes and identify accordingly the challenges posed pursue a more participatory and transparent management.