On roof geometry for urban wind energy exploitation in high-rise buildings

The European program HORIZON2020 aims to have 20% of electricity produced by renewable sources. The building sector represents 40% of the European Union energy consumption. Reducing energy consumption in buildings is therefore a priority for energy efficiency. The present investigation explores the most adequate roof shapes compatible with the placement of different types of small wind energy generators on high-rise buildings for urban wind energy exploitation. The wind flow around traditional state-of-the-art roof shapes is considered. In addition, the influence of the roof edge on the wind flow on high-rise buildings is analyzed. These geometries are investigated, both qualitatively and quantitatively, and the turbulence intensity threshold for horizontal axis wind turbines is considered. The most adequate shapes for wind energy exploitation are identified, studying vertical profiles of velocity, turbulent kinetic energy and turbulence intensity. Curved shapes are the most interesting building roof shapes from the wind energy exploitation point of view, leading to the highest speed-up and the lowest turbulence intensity.

Urban wind energy: empirical optimization of high-rise building roof shape for the wind energy exploitation

El programa Europeo HORIZON2020 en Futuras Ciudades Inteligentes establece como objetivo que el 20% de la energía eléctrica sea generada a partir de fuentes renovables. Este objetivo implica la necesidad de potenciar la generación de energía eólica en todos los ámbitos. La energía eólica reduce drásticamente las emisiones de gases de efecto invernadero y evita los riesgos geo-políticos asociados al suministro e infraestructuras energéticas, así como la dependencia energética de otras regiones. Además, la generación de energía distribuida (generación en el punto de consumo) presenta significativas ventajas en términos de elevada eficiencia energética y estimulación de la economía. El sector de la edificación representa el 40% del consumo energético total de la Unión Europea. La reducción del consumo energético en este área es, por tanto, una prioridad de acuerdo con los objetivos "20-20-20" en eficiencia energética. La Directiva 2010/31/EU del Parlamento Europeo y del Consejo de 19 de mayo de 2010 sobre el comportamiento energético de edificaciones contempla la instalación de sistemas de suministro energético a partir de fuentes renovables en las edificaciones de nuevo diseño. Actualmente existe una escasez de conocimiento científico y tecnológico acerca de la geometría óptima de las edificaciones para la explotación de la energía eólica en entornos urbanos. El campo tecnológico de estudio de la presente Tesis Doctoral es la generación de energía eólica en entornos urbanos. Específicamente, la optimization de la geometría de las cubiertas de edificaciones desde el punto de vista de la explotación del recurso energético eólico. Debido a que el flujo del viento alrededor de las edificaciones es exhaustivamente investigado en esta Tesis empleando herramientas de simulación numérica, la mecánica de fluidos computacional (CFD en inglés) y la aerodinámica de edificaciones son los campos científicos de estudio. El objetivo central de esta Tesis Doctoral es obtener una geometría de altas prestaciones (u óptima) para la explotación de la energía eólica en cubiertas de edificaciones de gran altura. Este objetivo es alcanzado mediante un análisis exhaustivo de la influencia de la forma de la cubierta del edificio en el flujo del viento desde el punto de vista de la explotación energética del recurso eólico empleando herramientas de simulación numérica (CFD). Adicionalmente, la geometría de la edificación convencional (edificio prismático) es estudiada, y el posicionamiento adecuado para los diferentes tipos de aerogeneradores es propuesto. La compatibilidad entre el aprovechamiento de las energías solar fotovoltaica y eólica también es analizado en este tipo de edificaciones. La investigación prosigue con la optimización de la geometría de la cubierta. La metodología con la que se obtiene la geometría óptima consta de las siguientes etapas: - Verificación de los resultados de las geometrías previamente estudiadas en la literatura. Las geometrías básicas que se someten a examen son: cubierta plana, a dos aguas, inclinada, abovedada y esférica. - Análisis de la influencia de la forma de las aristas de la cubierta sobre el flujo del viento. Esta tarea se lleva a cabo mediante la comparación de los resultados obtenidos para la arista convencional (esquina sencilla) con un parapeto, un voladizo y una esquina curva. - Análisis del acoplamiento entre la cubierta y los cerramientos verticales (paredes) mediante la comparación entre diferentes variaciones de una cubierta esférica en una edificación de gran altura: cubierta esférica estudiada en la literatura, cubierta esférica integrada geométricamente con las paredes (planta cuadrada en el suelo) y una cubierta esférica acoplada a una pared cilindrica. El comportamiento del flujo sobre la cubierta es estudiado también considerando la posibilidad de la variación en la dirección del viento incidente. - Análisis del efecto de las proporciones geométricas del edificio sobre el flujo en la cubierta. - Análisis del efecto de la presencia de edificaciones circundantes sobre el flujo del viento en la cubierta del edificio objetivo. Las contribuciones de la presente Tesis Doctoral pueden resumirse en: - Se demuestra que los modelos de turbulencia RANS obtienen mejores resultados para la simulación del viento alrededor de edificaciones empleando los coeficientes propuestos por Crespo y los propuestos por Bechmann y Sórensen que empleando los coeficientes estándar. - Se demuestra que la estimación de la energía cinética turbulenta del flujo empleando modelos de turbulencia RANS puede ser validada manteniendo el enfoque en la cubierta de la edificación. - Se presenta una nueva modificación del modelo de turbulencia Durbin k — e que reproduce mejor la distancia de recirculación del flujo de acuerdo con los resultados experimentales. - Se demuestra una relación lineal entre la distancia de recirculación en una cubierta plana y el factor constante involucrado en el cálculo de la escala de tiempo de la velocidad turbulenta. Este resultado puede ser empleado por la comunidad científica para la mejora del modelado de la turbulencia en diversas herramientas computacionales (OpenFOAM, Fluent, CFX, etc.). - La compatibilidad entre las energías solar fotovoltaica y eólica en cubiertas de edificaciones es analizada. Se demuestra que la presencia de los módulos solares provoca un descenso en la intensidad de turbulencia. - Se demuestran conflictos en el cambio de escala entre simulaciones de edificaciones a escala real y simulaciones de modelos a escala reducida (túnel de viento). Se demuestra que para respetar las limitaciones de similitud (número de Reynolds) son necesarias mediciones en edificaciones a escala real o experimentos en túneles de viento empleando agua como fluido, especialmente cuando se trata con geometrías complejas, como es el caso de los módulos solares. - Se determina el posicionamiento más adecuado para los diferentes tipos de aerogeneradores tomando en consideración la velocidad e intensidad de turbulencia del flujo. El posicionamiento de aerogeneradores es investigado en las geometrías de cubierta más habituales (plana, a dos aguas, inclinada, abovedada y esférica). - Las formas de aristas más habituales (esquina, parapeto, voladizo y curva) son analizadas, así como su efecto sobre el flujo del viento en la cubierta de un edificio de gran altura desde el punto de vista del aprovechamiento eólico. - Se propone una geometría óptima (o de altas prestaciones) para el aprovechamiento de la energía eólica urbana. Esta optimización incluye: verificación de las geometrías estudiadas en el estado del arte, análisis de la influencia de las aristas de la cubierta en el flujo del viento, estudio del acoplamiento entre la cubierta y las paredes, análisis de sensibilidad del grosor de la cubierta, exploración de la influencia de las proporciones geométricas de la cubierta y el edificio, e investigación del efecto de las edificaciones circundantes (considerando diferentes alturas de los alrededores) sobre el flujo del viento en la cubierta del edificio objetivo. Las investigaciones comprenden el análisis de la velocidad, la energía cinética turbulenta y la intensidad de turbulencia en todos los casos. ABSTRACT The HORIZON2020 European program in Future Smart Cities aims to have 20% of electricity produced by renewable sources. This goal implies the necessity to enhance the wind energy generation, both with large and small wind turbines. Wind energy drastically reduces carbon emissions and avoids geo-political risks associated with supply and infrastructure constraints, as well as energy dependence from other regions. Additionally, distributed energy generation (generation at the consumption site) offers significant benefits in terms of high energy efficiency and stimulation of the economy. The buildings sector represents 40% of the European Union total energy consumption. Reducing energy consumption in this area is therefore a priority under the "20-20-20" objectives on energy efficiency. The Directive 2010/31/EU of the European Parliament and of the Council of 19 May 2010 on the energy performance of buildings aims to consider the installation of renewable energy supply systems in new designed buildings. Nowadays, there is a lack of knowledge about the optimum building shape for urban wind energy exploitation. The technological field of study of the present Thesis is the wind energy generation in urban environments. Specifically, the improvement of the building-roof shape with a focus on the wind energy resource exploitation. Since the wind flow around buildings is exhaustively investigated in this Thesis using numerical simulation tools, both computational fluid dynamics (CFD) and building aerodynamics are the scientific fields of study. The main objective of this Thesis is to obtain an improved (or optimum) shape of a high-rise building for the wind energy exploitation on the roof. To achieve this objective, an analysis of the influence of the building shape on the behaviour of the wind flow on the roof from the point of view of the wind energy exploitation is carried out using numerical simulation tools (CFD). Additionally, the conventional building shape (prismatic) is analysed, and the adequate positions for different kinds of wind turbines are proposed. The compatibility of both photovoltaic-solar and wind energies is also analysed for this kind of buildings. The investigation continues with the buildingroof optimization. The methodology for obtaining the optimum high-rise building roof shape involves the following stages: - Verification of the results of previous building-roof shapes studied in the literature. The basic shapes that are compared are: flat, pitched, shed, vaulted and spheric. - Analysis of the influence of the roof-edge shape on the wind flow. This task is carried out by comparing the results obtained for the conventional edge shape (simple corner) with a railing, a cantilever and a curved edge. - Analysis of the roof-wall coupling by testing different variations of a spherical roof on a high-rise building: spherical roof studied in the litera ture, spherical roof geometrically integrated with the walls (squared-plant) and spherical roof with a cylindrical wall. The flow behaviour on the roof according to the variation of the incident wind direction is commented. - Analysis of the effect of the building aspect ratio on the flow. - Analysis of the surrounding buildings effect on the wind flow on the target building roof. The contributions of the present Thesis can be summarized as follows: - It is demonstrated that RANS turbulence models obtain better results for the wind flow around buildings using the coefficients proposed by Crespo and those proposed by Bechmann and S0rensen than by using the standard ones. - It is demonstrated that RANS turbulence models can be validated for turbulent kinetic energy focusing on building roofs. - A new modification of the Durbin k — e turbulence model is proposed in order to obtain a better agreement of the recirculation distance between CFD simulations and experimental results. - A linear relationship between the recirculation distance on a flat roof and the constant factor involved in the calculation of the turbulence velocity time scale is demonstrated. This discovery can be used by the research community in order to improve the turbulence modeling in different solvers (OpenFOAM, Fluent, CFX, etc.). - The compatibility of both photovoltaic-solar and wind energies on building roofs is demonstrated. A decrease of turbulence intensity due to the presence of the solar panels is demonstrated. - Scaling issues are demonstrated between full-scale buildings and windtunnel reduced-scale models. The necessity of respecting the similitude constraints is demonstrated. Either full-scale measurements or wind-tunnel experiments using water as a medium are needed in order to accurately reproduce the wind flow around buildings, specially when dealing with complex shapes (as solar panels, etc.). - The most adequate position (most adequate roof region) for the different kinds of wind turbines is highlighted attending to both velocity and turbulence intensity. The wind turbine positioning was investigated for the most habitual kind of building-roof shapes (flat, pitched, shed, vaulted and spherical). - The most habitual roof-edge shapes (simple edge, railing, cantilever and curved) were investigated, and their effect on the wind flow on a highrise building roof were analysed from the point of view of the wind energy exploitation. - An optimum building-roof shape is proposed for the urban wind energy exploitation. Such optimization includes: state-of-the-art roof shapes test, analysis of the influence of the roof-edge shape on the wind flow, study of the roof-wall coupling, sensitivity analysis of the roof width, exploration of the aspect ratio of the building-roof shape and investigation of the effect of the neighbouring buildings (considering different surrounding heights) on the wind now on the target building roof. The investigations comprise analysis of velocity, turbulent kinetic energy and turbulence intensity for all the cases.

Effects of high hydrostatic pressure on rheological and termal properties of chickpea Cicer arietinum L. flour slurry and heat-induced paste.

Thermorheological changes in high hydrostatic pressure (HHP)-treated chickpea flour (CF) slurries were studied as a function of pressure level (0.1, 150, 300, 400, and 600 MPa) and slurry concentration (1:5, 1:4, 1:3, and 1:2 flour-to-water ratios). HHP-treated slurries were subsequently analyzed for changes in properties produced by heating, under both isothermal and non-isothermal processes. Elasticity (G′) of pressurized slurry increased with pressure applied and concentration. Conversely, heat-induced CF paste gradually transformed from solid-like behavior to liquid-like behavior as a function of moisture content and pressure level. The G′ and enthalpy of the CF paste decreased with increasing pressure level in proportion with the extent of HHP-induced starch gelatinization. At 25 °C and 15 min, HHP treatment at 450 and 600 MPa was sufficient to complete gelatinization of CF slurry at the lowest concentration (1:5), while more concentrated slurries would require higher pressures and temperature during treatment or longer holding times. Industrial relevance Demand for chickpea gel has increased considerably in the health and food industries because of its many beneficial effects. However, its use is affected by its very difficult handling. Judicious application of high hydrostatic pressure (HHP) at appropriate levels, adopted as a pre-processing instrument in combination with heating processes, is presented as an innovative technology to produce a remarkable decrease in thermo-hardening of heat-induced chickpea flour paste, permitting the development of new chickpea-based products with desirable handling properties and sensory attributes.

Technology and characterization of GaN-HEMTs devices: high temperature and trapping effects

Los transistores de alta movilidad electrónica basados en GaN han sido objeto de una extensa investigación ya que tanto el GaN como sus aleaciones presentan unas excelentes propiedades eléctricas (alta movilidad, elevada concentración de portadores y campo eléctrico crítico alto). Aunque recientemente se han incluido en algunas aplicaciones comerciales, su expansión en el mercado está condicionada a la mejora de varios asuntos relacionados con su rendimiento y habilidad. Durante esta tesis se han abordado algunos de estos aspectos relevantes; por ejemplo, la fabricación de enhancement mode HEMTs, su funcionamiento a alta temperatura, el auto calentamiento y el atrapamiento de carga. Los HEMTs normalmente apagado o enhancement mode han atraído la atención de la comunidad científica dedicada al desarrollo de circuitos amplificadores y conmutadores de potencia, ya que su utilización disminuiría significativamente el consumo de potencia; además de requerir solamente una tensión de alimentación negativa, y reducir la complejidad del circuito y su coste. Durante esta tesis se han evaluado varias técnicas utilizadas para la fabricación de estos dispositivos: el ataque húmedo para conseguir el gate-recess en heterostructuras de InAl(Ga)N/GaN; y tratamientos basados en flúor (plasma CF4 e implantación de F) de la zona debajo de la puerta. Se han llevado a cabo ataques húmedos en heteroestructuras de InAl(Ga)N crecidas sobre sustratos de Si, SiC y zafiro. El ataque completo de la barrera se consiguió únicamente en las muestras con sustrato de Si. Por lo tanto, se puede deducir que la velocidad de ataque depende de la densidad de dislocaciones presentes en la estructura, ya que el Si presenta un peor ajuste del parámetro de red con el GaN. En relación a los tratamientos basados en flúor, se ha comprobado que es necesario realizar un recocido térmico después de la fabricación de la puerta para recuperar la heteroestructura de los daños causados durante dichos tratamientos. Además, el estudio de la evolución de la tensión umbral con el tiempo de recocido ha demostrado que en los HEMTs tratados con plasma ésta tiende a valores más negativos al aumentar el tiempo de recocido. Por el contrario, la tensión umbral de los HEMTs implantados se desplaza hacia valores más positivos, lo cual se atribuye a la introducción de iones de flúor a niveles más profundos de la heterostructura. Los transistores fabricados con plasma presentaron mejor funcionamiento en DC a temperatura ambiente que los implantados. Su estudio a alta temperatura ha revelado una reducción del funcionamiento de todos los dispositivos con la temperatura. Los valores iniciales de corriente de drenador y de transconductancia medidos a temperatura ambiente se recuperaron después del ciclo térmico, por lo que se deduce que dichos efectos térmicos son reversibles. Se han estudiado varios aspectos relacionados con el funcionamiento de los HEMTs a diferentes temperaturas. En primer lugar, se han evaluado las prestaciones de dispositivos de AlGaN/GaN sobre sustrato de Si con diferentes caps: GaN, in situ SiN e in situ SiN/GaN, desde 25 K hasta 550 K. Los transistores con in situ SiN presentaron los valores más altos de corriente drenador, transconductancia, y los valores más bajos de resistencia-ON, así como las mejores características en corte. Además, se ha confirmado que dichos dispositivos presentan gran robustez frente al estrés térmico. En segundo lugar, se ha estudiado el funcionamiento de transistores de InAlN/GaN con diferentes diseños y geometrías. Dichos dispositivos presentaron una reducción casi lineal de los parámetros en DC en el rango de temperaturas de 25°C hasta 225°C. Esto se debe principalmente a la dependencia térmica de la movilidad electrónica, y también a la reducción de la drift velocity con la temperatura. Además, los transistores con mayores longitudes de puerta mostraron una mayor reducción de su funcionamiento, lo cual se atribuye a que la drift velocity disminuye más considerablemente con la temperatura cuando el campo eléctrico es pequeño. De manera similar, al aumentar la distancia entre la puerta y el drenador, el funcionamiento del HEMT presentó una mayor reducción con la temperatura. Por lo tanto, se puede deducir que la degradación del funcionamiento de los HEMTs causada por el aumento de la temperatura depende tanto de la longitud de la puerta como de la distancia entre la puerta y el drenador. Por otra parte, la alta densidad de potencia generada en la región activa de estos transistores conlleva el auto calentamiento de los mismos por efecto Joule, lo cual puede degradar su funcionamiento y Habilidad. Durante esta tesis se ha desarrollado un simple método para la determinación de la temperatura del canal basado en medidas eléctricas. La aplicación de dicha técnica junto con la realización de simulaciones electrotérmicas han posibilitado el estudio de varios aspectos relacionados con el autocalentamiento. Por ejemplo, se han evaluado sus efectos en dispositivos sobre Si, SiC, y zafiro. Los transistores sobre SiC han mostrado menores efectos gracias a la mayor conductividad térmica del SiC, lo cual confirma el papel clave que desempeña el sustrato en el autocalentamiento. Se ha observado que la geometría del dispositivo tiene cierta influencia en dichos efectos, destacando que la distribución del calor generado en la zona del canal depende de la distancia entre la puerta y el drenador. Además, se ha demostrado que la temperatura ambiente tiene un considerable impacto en el autocalentamiento, lo que se atribuye principalmente a la dependencia térmica de la conductividad térmica de las capas y sustrato que forman la heterostructura. Por último, se han realizado numerosas medidas en pulsado para estudiar el atrapamiento de carga en HEMTs sobre sustratos de SiC con barreras de AlGaN y de InAlN. Los resultados obtenidos en los transistores con barrera de AlGaN han presentado una disminución de la corriente de drenador y de la transconductancia sin mostrar un cambio en la tensión umbral. Por lo tanto, se puede deducir que la posible localización de las trampas es la región de acceso entre la puerta y el drenador. Por el contrario, la reducción de la corriente de drenador observada en los dispositivos con barrera de InAlN llevaba asociado un cambio significativo en la tensión umbral, lo que implica la existencia de trampas situadas en la zona debajo de la puerta. Además, el significativo aumento del valor de la resistencia-ON y la degradación de la transconductancia revelan la presencia de trampas en la zona de acceso entre la puerta y el drenador. La evaluación de los efectos del atrapamiento de carga en dispositivos con diferentes geometrías ha demostrado que dichos efectos son menos notables en aquellos transistores con mayor longitud de puerta o mayor distancia entre puerta y drenador. Esta dependencia con la geometría se puede explicar considerando que la longitud y densidad de trampas de la puerta virtual son independientes de las dimensiones del dispositivo. Finalmente se puede deducir que para conseguir el diseño óptimo durante la fase de diseño no sólo hay que tener en cuenta la aplicación final sino también la influencia que tiene la geometría en los diferentes aspectos estudiados (funcionamiento a alta temperatura, autocalentamiento, y atrapamiento de carga). ABSTRACT GaN-based high electron mobility transistors have been under extensive research due to the excellent electrical properties of GaN and its related alloys (high carrier concentration, high mobility, and high critical electric field). Although these devices have been recently included in commercial applications, some performance and reliability issues need to be addressed for their expansion in the market. Some of these relevant aspects have been studied during this thesis; for instance, the fabrication of enhancement mode HEMTs, the device performance at high temperature, the self-heating and the charge trapping. Enhancement mode HEMTs have become more attractive mainly because their use leads to a significant reduction of the power consumption during the stand-by state. Moreover, they enable the fabrication of simpler power amplifier circuits and high-power switches because they allow the elimination of negativepolarity voltage supply, reducing significantly the circuit complexity and system cost. In this thesis, different techniques for the fabrication of these devices have been assessed: wet-etching for achieving the gate-recess in InAl(Ga)N/GaN devices and two different fluorine-based treatments (CF4 plasma and F implantation). Regarding the wet-etching, experiments have been carried out in InAl(Ga)N/GaN grown on different substrates: Si, sapphire, and SiC. The total recess of the barrier was achieved after 3 min of etching in devices grown on Si substrate. This suggests that the etch rate can critically depend on the dislocations present in the structure, since the Si exhibits the highest mismatch to GaN. Concerning the fluorine-based treatments, a post-gate thermal annealing was required to recover the damages caused to the structure during the fluorine-treatments. The study of the threshold voltage as a function of this annealing time has revealed that in the case of the plasma-treated devices it become more negative with the time increase. On the contrary, the threshold voltage of implanted HEMTs showed a positive shift when the annealing time was increased, which is attributed to the deep F implantation profile. Plasma-treated HEMTs have exhibited better DC performance at room temperature than the implanted devices. Their study at high temperature has revealed that their performance decreases with temperature. The initial performance measured at room temperature was recovered after the thermal cycle regardless of the fluorine treatment; therefore, the thermal effects were reversible. Thermal issues related to the device performance at different temperature have been addressed. Firstly, AlGaN/GaN HEMTs grown on Si substrate with different cap layers: GaN, in situ SiN, or in situ SiN/GaN, have been assessed from 25 K to 550 K. In situ SiN cap layer has been demonstrated to improve the device performance since HEMTs with this cap layer have exhibited the highest drain current and transconductance values, the lowest on-resistance, as well as the best off-state characteristics. Moreover, the evaluation of thermal stress impact on the device performance has confirmed the robustness of devices with in situ cap. Secondly, the high temperature performance of InAlN/GaN HEMTs with different layouts and geometries have been assessed. The devices under study have exhibited an almost linear reduction of the main DC parameters operating in a temperature range from room temperature to 225°C. This was mainly due to the thermal dependence of the electron mobility, and secondly to the drift velocity decrease with temperature. Moreover, HEMTs with large gate length values have exhibited a great reduction of the device performance. This was attributed to the greater decrease of the drift velocity for low electric fields. Similarly, the increase of the gate-to-drain distance led to a greater reduction of drain current and transconductance values. Therefore, this thermal performance degradation has been found to be dependent on both the gate length and the gate-to-drain distance. It was observed that the very high power density in the active region of these transistors leads to Joule self-heating, resulting in an increase of the device temperature, which can degrade the device performance and reliability. A simple electrical method have been developed during this work to determine the channel temperature. Furthermore, the application of this technique together with the performance of electro-thermal simulations have enabled the evaluation of different aspects related to the self-heating. For instance, the influence of the substrate have been confirmed by the study of devices grown on Si, SiC, and Sapphire. HEMTs grown on SiC substrate have been confirmed to exhibit the lowest self-heating effects thanks to its highest thermal conductivity. In addition to this, the distribution of the generated heat in the channel has been demonstrated to be dependent on the gate-to-drain distance. Besides the substrate and the geometry of the device, the ambient temperature has also been found to be relevant for the self-heating effects, mainly due to the temperature-dependent thermal conductivity of the layers and the substrate. Trapping effects have been evaluated by means of pulsed measurements in AlGaN and InAIN barrier devices. AlGaN barrier HEMTs have exhibited a de crease in drain current and transconductance without measurable threshold voltage change, suggesting the location of the traps in the gate-to-drain access region. On the contrary, InAIN barrier devices have showed a drain current associated with a positive shift of threshold voltage, which indicated that the traps were possibly located under the gate region. Moreover, a significant increase of the ON-resistance as well as a transconductance reduction were observed, revealing the presence of traps on the gate-drain access region. On the other hand, the assessment of devices with different geometries have demonstrated that the trapping effects are more noticeable in devices with either short gate length or the gate-to-drain distance. This can be attributed to the fact that the length and the trap density of the virtual gate are independent on the device geometry. Finally, it can be deduced that besides the final application requirements, the influence of the device geometry on the performance at high temperature, on the self-heating, as well as on the trapping effects need to be taken into account during the device design stage to achieve the optimal layout.

High-level characteristics of or-and independent and-parallelism in prolog

Although studies of a number of parallel implementations of logic programming languages are now available, their results are difficult to interpret due to the multiplicity of factors involved, the effect of each of which is difficult to sepárate. In this paper we present the results of a high-level simulation study of or- and independent and-parallelism with a wide selection of Prolog programs that aims to determine the intrinsic amount of parallelism, independently of implementation factors, thus facilitating this separation. We expect this study will be instrumental in better understanding and comparing results from actual implementations, as shown by some examples provided in the paper. In addition, the paper examines some of the issues and tradeoffs associated with the combination of and- and or-parallelism and proposes reasonable solutions based on the simulation data obtained.

Towards high-level execution primitives for and-parallelism: preliminary results

Most implementations of parallel logic programming rely on complex low-level machinery which is arguably difflcult to implement and modify. We explore an alternative approach aimed at taming that complexity by raising core parts of the implementation to the source language level for the particular case of and-parallelism. Therefore, we handle a signiflcant portion of the parallel implementation mechanism at the Prolog level with the help of a comparatively small number of concurrency-related primitives which take care of lower-level tasks such as locking, thread management, stack set management, etc. The approach does not eliminate altogether modiflcations to the abstract machine, but it does greatly simplify them and it also facilitates experimenting with different alternatives. We show how this approach allows implementing both restricted and unrestricted (i.e., non fork-join) parallelism. Preliminary experiments show that the amount of performance sacriflced is reasonable, although granularity control is required in some cases. Also, we observe that the availability of unrestricted parallelism contributes to better observed speedups.

Luciano Kulczewski, arquitecto: Eclecticismo y procesos modernizadores en el Chile de la primera mitad del siglo XX

Esta investigación tiene por fin poner en valor la obra del arquitecto chileno Luciano Kulczewski, profesional que cumplió un rol clave y distintivo en la primera mitad del siglo XX, considerado como un período crucial para el desarrollo de la arquitectura nacional, ya que es el momento en que se produce el advenimiento de la modernidad en el país. Si bien su figura goza de un gran reconocimiento, solamente una parte de su obra es (re)conocida por la historiografía nacional. Su labor en el libre ejercicio de la profesión, como asimismo los distintos cargos administrativos y políticos que desempeñó en su vida, hacían suponer un corpus más amplio, como finalmente se pudo constatar en este estudio. El amplio catastro documentado permitió fehacientemente identificar el rol y el significado que esta obra cumpliera en la transición que hizo posible dejar atrás los valores impuesto por el Academicismo, para incorporar los procesos de modernización en los distintos ámbitos de la arquitectura. Por tanto, el quehacer de Kulczewski se reveló como ejemplar y paradigmático. Una de las ilustraciones más elocuentes a este respecto fue la precursora realización de edificios en altura para uso residencial. Esta tipología lo obligó a trabajar con nuevos materiales y técnicas constructivas, junto a la necesidad de introducir las modernas tecnologías que estos portentos arquitectónicos requerían para su funcionamiento, como era el uso de ascensores y los sistemas de calefacción centralizada. El estudio del contexto urbano de sus obras permitió dar cuenta también de los procesos que estaban convirtiendo a las principales ciudades del país en urbes ‘modernas’. En este ámbito, destaca la nueva concepción urbanística que llegaba vinculada a los barrios-jardín, que contrariamente a lo establecido por el urbanismo tradicional, implicó inéditas maneras de articular la ciudad y el empleo de nuevas tipologías residenciales. Estas concepciones de ciudad encontraron eco principalmente en las urbanizaciones que se estaban realizando en las nuevas comunas de la capital, contexto elegido por el arquitecto para llevar a cabo algunos innovadores conjuntos habitacionales, hoy considerados modélicos, y que estaban destinados a un nuevo estrato social empoderado y demandante: la clase media. Su particular preocupación por las cuestiones sociales, las que entraron en crisis con el devenir del siglo XX, lo llevaron a desarrollar una activa vida política, que culminó con un importante puesto administrativo en el primer Gobierno Radical que tuvo lugar en el país. Desde esa posición, pudo gestionar y dar solución apropiada a la urgente necesidad de viviendas obreras que requería el país, creando los primeros edificios colectivos destinados a este grupo social. Esto a la vez supuso un acercamiento más sustancial a las nuevas propuestas vinculadas al Movimiento Moderno. En conclusión, su quehacer hizo eco de los estilos vanguardistas y modernos que arribaron provenientes de Europa, pero reconociendo las realidades propias del país, de tal forma que la apropiación, y no la reproducción, fue su sello. En este proceso de adecuación al medio local, los modelos foráneos se desprenderán de muchas de sus principios rectores originales, lo que sumado a la impronta de un imaginario propio y original, convierten a sus creaciones en un caso singular en el contexto del la arquitectura chilena. ABSTRACT This research aims to add value to the work of Chilean architect Luciano Kulczewski, a professional who accomplished a key and distinctive role in the first half of the twentieth century, which is considered as a crucial period for the development of the Chilean architecture, since it corresponds to the arrive of Modernity in this country. While his figure is widely recognized, only a portion of his oeuvre is known (or acknowledged) by national historiography. Because of his work as a freelance professional and another administrative and political position he held in his life, it is possible to assume a larger corpus, as it was finally confirmed by this study. The copious documented cadastre allowed convincingly to identify the role and significance that this work fulfilled in the transition that made possible leaving behind the values imposed by Academicism, and thus to incorporate the modernization processes in the different fields of architecture. Therefore, the work of Kulczewski revealed itself as exemplary and paradigmatic. One of the most eloquent illustrations to this regard was the pioneering construction of high-rise buildings with a residential purpose. This typology drove him to work with new materials and constructive techniques, alongside with the need of introducing new modern technologies required by these architectonical advances for its operations, like the use of elevators and central heating systems. The study of the urban context of his work allowed also accounting the processes the major cities of the country went through in order to become 'modern' cities. In this context, it stands out the new urban conception linked to the idea of garden city, which was contrary to the practices of the traditional urbanism, and that implied new ways of articulating the city and that the use of new residential typologies. These urban notions were mainly echoed in the urbanizations that were made in the new districts of the city, scenario chosen by the architect for the concretion of innovative housing projects, nowadays thought as paradigmatic, and that were oriented for a new empowered and demanding social group: the middle class. His particular concern for social issues, which ones came into crisis with the arrival of the twentieth century, led him to take an active political role, culminating with an important administrative position in the first Radical Government that took place in the country. From that position, he could manage and provide adequate solutions to the urgent worker’s housing needs that required the country, creating the first collective buildings for this social group. This supposed a more substantial approach to new proposals of the Modern Movement. To conclude, his oeuvre was influenced by the avant-garde and modern styles that arrived from Europe, but with the proper adjustments to the local requirements, so that it is possible to say that appropriation more than reproduction was his hallmark. In this process, these features were transformed in order to get more flexibility for their adaptation to the Chilean needs that added to a personal and peculiar imaginary, which transformed his works into a unique case in the national architecture history.

Estrategias para el control microclimático del espacio entre edificaciones en clima cálido – húmedo

La presente investigación parte del problema en las zonas de clima cálido - húmedo en las cuales se producen impactos asociados a la incomodidad térmica producto de la intensa radiación solar, altas temperaturas y elevada humedad. Estos factores reducen la calidad de los espacios abiertos y desarrollan en la población una actitud de rechazo hacia el uso del microespacio urbano entre edificaciones en los desarrollos urbanos - conjuntos urbanos - , los mismos frecuentemente admiten soluciones que al parecer no contribuyen a la realización de las actividades comunes de esparcimiento de la población residente. Por lo tanto, el objetivo de la investigación es profundizar en la temática urbano - ambiental - social y el diseño urbano vinculada a la particularidad morfológica local, las condiciones microclimáticas, el uso del microespacio y los requerimientos de los usuarios. La finalidad de desarrollar estrategias de control microclimático del microespacio entre edificios en clima cálido - húmedo en búsqueda de soluciones óptimas que satisfagan las necesidades de los usuarios de los espacios exteriores en estas áreas residenciales. La investigación se centra en el estudio de las particularidades contextuales relacionadas con el microclima y las características urbanas - morfotipológicas, básicamente los factores microclimáticos (soleamiento y ventilación), los morfológicos y edificatorios y las características de las superficies (pavimentos). En coherencia con el objetivo propuesto el trabajo se desarrolla en cuatro fases: la primera aborda la revisión documental, literatura relevante e investigaciones relativas a la calidad ambiental, medio social, medio físico, el microespacio urbano, control y diseño sostenible, modelización proyectual y estrategias sostenibles; la segunda fase se refiere al marco contextual, características urbanas, datos climáticos locales, planes y procesos urbanos, tipologías y conformación urbana. En esta fase se describe el proceso de selección, análisis y evaluación urbano - ambiental de los casos de estudio (conjuntos residenciales). En la tercera fase se aborda el marco evaluativo y estudio de casos, consideraciones físicas, climáticas y valoración térmico - ambiental de los conjuntos residenciales seleccionados. En esta fase se aplican Técnicas Estadísticas y de Simulación Computacional y se analizan los resultados obtenidos. Finalmente, la cuarta fase propositiva incluye el establecimiento de Estrategias, Principios y Lineamientos de optimación térmica y se exponen las Conclusiones parciales de la tesis, alcances y perspectivas futuras. Finalmente, los resultados obtenidos en la investigación demuestran que el análisis en las experiencias de la realidad permiten comprobar que las situaciones y alteraciones ambientales sustanciales, los niveles de afectación térmica y las condiciones de confortabilidad e impacto derivan de las características urbanas, los componentes del microespacio y de las condiciones climáticas las cuales afectan el desarrollo de las actividades y el uso efectivo del microespacio entre edificios. El análisis de los factores morfo - climáticos incidentes y el estudio de los efectos de interacción contribuyen al establecimiento de Principios y Lineamientos para la evaluación y diseño sostenible del microespacio entre edificios y el uso correcto de los elementos del clima en estas áreas urbanas destinadas a la actividad social y al esparcimiento de la población residente. ABSTRACT This research starts from the problem of hot - humid climate zones where impacts related to thermal discomfort are produced as a result from the intense solar radiation and high temperatures and humidity. These factors reduce the quality of open spaces and people develop an attitude of rejection towards the use of urban microspace among buildings within urban developments - urban complexes - . Usually, these complexes admit solutions that apparently do not contribute to the achievement of common leisure activities in the resident dwellers. Therefore, the main purpose of this research is to deepen in the urban - environmental - social issue and urban design linked to the local morphological particularity, microclimate conditions, use of microspace and users’ requirements. In order to develop microclimate control strategies of microspace among buildings in hot - humid climate to look for optimal solutions that satisfy users’ needs of outdoors spaces in these residential areas. The research focuses in the study of contextual particularities related to microclimate and urban - morphotypological characteristics. Basically, microclimate (sunlight and ventilation), morphological and building factors as well as road surface characteristics. According to the proposed objective, this research is developed in four phases: the first one considers documentary review, relevant literature and researches related to environmental quality, social environment, physical environment, urban microspace, control and sustainable design, project modelling and sustainable strategies; while the second phase refers to contextual framework, urban characteristics, local climate data, plans and urban processes, typologies and urban structure. In this phase, the process of selection, analysis and urban - environmental evaluation of case studies (residential complexes) is described. The third phase approaches the assessment framework and case studies, physical and climate considerations as well as environmental - thermal evaluation of selected residential complexes. In this phase, statistical techniques and computational simulations are applied. Likewise, results obtained are analysed. Similarly, fourth and proposing phase includes the establishment of strategies, principles and guidelines of thermal optimization and partial conclusions of the thesis, scopes and future perspectives are exposed. Finally, from the results obtained, it is demonstrated that the analysis on reality experiences allow proving that situations and substantial environmental changes, levels of thermal affectations, comfort conditions and impact derive from urban characteristics, microspace components and from climate conditions which affect the development of activities and the effective use of microspace among buildings. The analysis of incidental morpho - climate factors and the study of interaction effects contribute to the establishment of principles and guidelines for the assessment and sustainable design of microspace among buildings as well as the correct use of climate elements in these urban areas oriented to social and leisure activities of resident population.

Near infrared high efficiency InAs/GaAsSb QDLEDs: band alignment and carrier recombination mechanisms

The development of high efficiency laser diodes (LD) and light emitting diodes (LED) covering the 1.0 to 1.55 μm region of the spectra using GaAs heteroepitaxy has been long pursued. Due to the lack of materials that can be grown lattice-macthed to GaAs with bandgaps in the 1.0 to 1.55 μm region, quantum wells (QW) or quantum dots (QD) need be used. The most successful approach with QWs has been to use InGaAs, but one needs to add another element, such as N, to be able to reach 1.3/1.5μm. Even though LDs have been successfully demonstrated with the QW approach, using N leads to problems with compositional homogeneity across the wafer, and limited efficiency due to strong non-radiative recombination. The alternative approach of using InAs QDs is an attractive option, but once again, to reach the longest wavelengths one needs very large QDs and control over the size distribution and band alignment. In this work we demonstrate InAs/GaAsSb QDLEDs with high efficiencies, emitting from 1.1 to 1.52 μm, and we analyze the band alignment and carrier loss mechanisms that result from the presence of Sb in the capping layer.

Natural ventilation in underground wine cellars

The main objective of this research is to promote passive thermal design techniques in the construction of wineries. Natural ventilation in underground cellars is analyzed, focusing on the entrance tunnel, the ventilation chimney and the cave. A monitoring system was designed in order to detect changes in the indoor conditions and outdoor air infiltration. Monitoring process was carried out during one year. Results show the influence of outside temperature, ventilation chimney and access tunnel on the conditions inside the underground cellar. During hot periods, natural ventilation has a negligible influence on the indoor ambience, despite the permanently open vents in the door and chimney. The tunnel and ventilation chimney work as a temperature regulator, dampening outside fluctuations. Forced ventilation is necessary when a high air exchange ratio is needed. During cold periods, there is greater instability as a result of increased natural ventilation. The temperature differences along the tunnel are reduced, reflecting a homogenization and mixing of the air. The ventilation flow is sufficient to modify the temperature and relative humidity of the cave. Forced ventilation is not necessary in this period. During the intermediate periods --autumn and spring-- occurs different behaviors based on time of day.

High-efficiency voltage regulator and stabilizer for outdoor lighting installations

This paper presents a high performance system of regulation and stabilization of luminous flux for public street lighting installations. Its purpose is to reduce the luminous flux of the luminaries efficiently by reducing their voltage supply, resulting in the improvement of energy efficiency in the installation. The system is basically composed of electromagnetic components which provide robustness and high-performance to the device, as well as minimum maintenance requirements. However, the voltage regulation is based on the application of voltage steps. Aging studies of the luminaries have been carried out to analyze the impact of this discrete voltage regulation. A specific prototype of this voltage and stabilizer regulator have been in operation in a real outdoor lighting installation for more than one year.

Ventilation system design and large scale fire tests

The design, construction and operation of the tunnels of M-30, the major ring road in the city of Madrid (Spain), represent a very interesting project in wich a wide variety of situations -geometrical, topographical, etc.- had to be covered, in variable conditions of traffic. For that reasons, the M-30 project is a remarkable technical challenge, which, after its completion, turned into an international reference. From the "design for safety" perspective, a holistic approach has been used to deal with new technologies, integration of systems and development of the procedures to reach the maximum level. However, one of the primary goals has been to achieve reasonable homogeneity characteristics which can permit operate a netword of tunels as one only infraestructure. In the case of the ventilation system the mentioned goals have implied innovative solutions and coordination efforts of great interest. Consequently, this paper describes the principal ideas underlying the conceptual solution developed focusing on the principal peculiarities of the project.

Effect of Stress Level on the High Temperature Deformation and Fracture Mechanisms of Ti-45Al-2Nb-2Mn-0.8 vol. pct TiB2: An In Situ Experimental Study

The effect of the applied stress on the deformation and crack nucleation and propagation mechanisms of a c-TiAl intermetallic alloy (Ti-45Al-2Nb-2Mn (at. pct)-0.8 vol. pct TiB2) was examined by means of in situ tensile (constant strain rate) and tensile-creep (constant load) experiments performed at 973 K (700 �C) using a scanning electron microscope. Colony boundary cracking developed during the secondary stage in creep tests at 300 and 400 MPa and during the tertiary stage of the creep tests performed at higher stresses. Colony boundary cracking was also observed in the constant strain rate tensile test. Interlamellar ledges were only found during the tensile-creep tests at high stresses (r>400 MPa) and during the constant strain rate tensile test. Quantitative measurements of the nature of the crack propagation path along secondary cracks and along the primary crack indicated that colony boundaries were preferential sites for crack propagation under all the conditions investigated. The frequency of interlamellar cracking increased with stress, but this fracture mechanism was always of secondary importance. Translamellar cracking was only observed along the primary crack.

Ventilation and FFFS fire tests for “Calle 30” road tunnels

Between 2003 and 2007 an urban network or road tunnels with a total constructed tubes length of 45 km was built in the city of Madrid. This amazing engineering work, known as "Calle 30 Project" counted with different kinds of tunnel typologies and ventilation systems. Due to the length of the tunnels and the impact of the work itself, the tunnels were endowed with a great variety of installations to provide the maximum levels of safety both for users and the infrastructure includieng, in some parts of the tunnel, fixed fire fighting system based on water mist. Whithin this framework a large-scale programme of fire tests was planned to study different aspects related to fire safety in the tunnels including the phenomena of the interaction between ventilation and extinguishing system. In addition, these large scale fire tests allowed fire brigades of the city of Madrid an opportunity to define operational procedures for specific fire fighting in tunnels and evaluate the possibilities of fixed fire fighting systems. The tests were carried out in the Center of Experimentation "San pedro of Anes" which includes a 600 m tunnel with a removable false ceiling for reproducing different ceiling heights and ventilation conditions (transverse and longitudinal ones). Interesting conclusions on the interaction of ventilation and water mist systems were obtained but also on other aspects including performance of water mist system in terms of reduction of gas temperatures or visibility conditions. This paper presents a description of the test's programme carried out and some previous results obtained.

Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs

GaN y AlN son materiales semiconductores piezoeléctricos del grupo III-V. La heterounión AlGaN/GaN presenta una elevada carga de polarización tanto piezoeléctrica como espontánea en la intercara, lo que genera en su cercanía un 2DEG de grandes concentración y movilidad. Este 2DEG produce una muy alta potencia de salida, que a su vez genera una elevada temperatura de red. Las tensiones de puerta y drenador provocan un stress piezoeléctrico inverso, que puede afectar a la carga de polarización piezoeléctrica y así influir la densidad 2DEG y las características de salida. Por tanto, la física del dispositivo es relevante para todos sus aspectos eléctricos, térmicos y mecánicos. En esta tesis se utiliza el software comercial COMSOL, basado en el método de elementos finitos (FEM), para simular el comportamiento integral electro-térmico, electro-mecánico y electro-térmico-mecánico de los HEMTs de GaN. Las partes de acoplamiento incluyen el modelo de deriva y difusión para el transporte electrónico, la conducción térmica y el efecto piezoeléctrico. Mediante simulaciones y algunas caracterizaciones experimentales de los dispositivos, hemos analizado los efectos térmicos, de deformación y de trampas. Se ha estudiado el impacto de la geometría del dispositivo en su auto-calentamiento mediante simulaciones electro-térmicas y algunas caracterizaciones eléctricas. Entre los resultados más sobresalientes, encontramos que para la misma potencia de salida la distancia entre los contactos de puerta y drenador influye en generación de calor en el canal, y así en su temperatura. El diamante posee une elevada conductividad térmica. Integrando el diamante en el dispositivo se puede dispersar el calor producido y así reducir el auto-calentamiento, al respecto de lo cual se han realizado diversas simulaciones electro-térmicas. Si la integración del diamante es en la parte superior del transistor, los factores determinantes para la capacidad disipadora son el espesor de la capa de diamante, su conductividad térmica y su distancia a la fuente de calor. Este procedimiento de disipación superior también puede reducir el impacto de la barrera térmica de intercara entre la capa adaptadora (buffer) y el substrato. La muy reducida conductividad eléctrica del diamante permite que pueda contactar directamente el metal de puerta (muy cercano a la fuente de calor), lo que resulta muy conveniente para reducir el auto-calentamiento del dispositivo con polarización pulsada. Por otra parte se simuló el dispositivo con diamante depositado en surcos atacados sobre el sustrato como caminos de disipación de calor (disipador posterior). Aquí aparece una competencia de factores que influyen en la capacidad de disipación, a saber, el surco atacado contribuye a aumentar la temperatura del dispositivo debido al pequeño tamaño del disipador, mientras que el diamante disminuiría esa temperatura gracias a su elevada conductividad térmica. Por tanto, se precisan capas de diamante relativamente gruesas para reducer ele efecto de auto-calentamiento. Se comparó la simulación de la deformación local en el borde de la puerta del lado cercano al drenador con estructuras de puerta estándar y con field plate, que podrían ser muy relevantes respecto a fallos mecánicos del dispositivo. Otras simulaciones se enfocaron al efecto de la deformación intrínseca de la capa de diamante en el comportamiento eléctrico del dispositivo. Se han comparado los resultados de las simulaciones de la deformación y las características eléctricas de salida con datos experimentales obtenidos por espectroscopía micro-Raman y medidas eléctricas, respectivamente. Los resultados muestran el stress intrínseco en la capa producido por la distribución no uniforme del 2DEG en el canal y la región de acceso. Además de aumentar la potencia de salida del dispositivo, la deformación intrínseca en la capa de diamante podría mejorar la fiabilidad del dispositivo modulando la deformación local en el borde de la puerta del lado del drenador. Finalmente, también se han simulado en este trabajo los efectos de trampas localizados en la superficie, el buffer y la barrera. Las medidas pulsadas muestran que tanto las puertas largas como las grandes separaciones entre los contactos de puerta y drenador aumentan el cociente entre la corriente pulsada frente a la corriente continua (lag ratio), es decir, disminuir el colapse de corriente (current collapse). Este efecto ha sido explicado mediante las simulaciones de los efectos de trampa de superficie. Por su parte, las referidas a trampas en el buffer se enfocaron en los efectos de atrapamiento dinámico, y su impacto en el auto-calentamiento del dispositivo. Se presenta también un modelo que describe el atrapamiento y liberación de trampas en la barrera: mientras que el atrapamiento se debe a un túnel directo del electrón desde el metal de puerta, el desatrapamiento consiste en la emisión del electrón en la banda de conducción mediante túnel asistido por fonones. El modelo también simula la corriente de puerta, debida a la emisión electrónica dependiente de la temperatura y el campo eléctrico. Además, también se ilustra la corriente de drenador dependiente de la temperatura y el campo eléctrico. ABSTRACT GaN and AlN are group III-V piezoelectric semiconductor materials. The AlGaN/GaN heterojunction presents large piezoelectric and spontaneous polarization charge at the interface, leading to high 2DEG density close to the interface. A high power output would be obtained due to the high 2DEG density and mobility, which leads to elevated lattice temperature. The gate and drain biases induce converse piezoelectric stress that can influence the piezoelectric polarization charge and further influence the 2DEG density and output characteristics. Therefore, the device physics is relevant to all the electrical, thermal, and mechanical aspects. In this dissertation, by using the commercial finite-element-method (FEM) software COMSOL, we achieved the GaN HEMTs simulation with electro-thermal, electro-mechanical, and electro-thermo-mechanical full coupling. The coupling parts include the drift-diffusion model for the electron transport, the thermal conduction, and the piezoelectric effect. By simulations and some experimental characterizations, we have studied the device thermal, stress, and traps effects described in the following. The device geometry impact on the self-heating was studied by electro-thermal simulations and electrical characterizations. Among the obtained interesting results, we found that, for same power output, the distance between the gate and drain contact can influence distribution of the heat generation in the channel and thus influence the channel temperature. Diamond possesses high thermal conductivity. Integrated diamond with the device can spread the generated heat and thus potentially reduce the device self-heating effect. Electro-thermal simulations on this topic were performed. For the diamond integration on top of the device (top-side heat spreading), the determinant factors for the heat spreading ability are the diamond thickness, its thermal conductivity, and its distance to the heat source. The top-side heat spreading can also reduce the impact of thermal boundary resistance between the buffer and the substrate on the device thermal behavior. The very low electrical conductivity of diamond allows that it can directly contact the gate metal (which is very close to the heat source), being quite convenient to reduce the self-heating for the device under pulsed bias. Also, the diamond coated in vias etched in the substrate as heat spreading path (back-side heat spreading) was simulated. A competing mechanism influences the heat spreading ability, i.e., the etched vias would increase the device temperature due to the reduced heat sink while the coated diamond would decrease the device temperature due to its higher thermal conductivity. Therefore, relative thick coated diamond is needed in order to reduce the self-heating effect. The simulated local stress at the gate edge of the drain side for the device with standard and field plate gate structure were compared, which would be relevant to the device mechanical failure. Other stress simulations focused on the intrinsic stress in the diamond capping layer impact on the device electrical behaviors. The simulated stress and electrical output characteristics were compared to experimental data obtained by micro-Raman spectroscopy and electrical characterization, respectively. Results showed that the intrinsic stress in the capping layer caused the non-uniform distribution of 2DEG in the channel and the access region. Besides the enhancement of the device power output, intrinsic stress in the capping layer can potentially improve the device reliability by modulating the local stress at the gate edge of the drain side. Finally, the surface, buffer, and barrier traps effects were simulated in this work. Pulsed measurements showed that long gates and distances between gate and drain contact can increase the gate lag ratio (decrease the current collapse). This was explained by simulations on the surface traps effect. The simulations on buffer traps effects focused on illustrating the dynamic trapping/detrapping in the buffer and the self-heating impact on the device transient drain current. A model was presented to describe the trapping and detrapping in the barrier. The trapping was the electron direct tunneling from the gate metal while the detrapping was the electron emission into the conduction band described by phonon-assisted tunneling. The reverse gate current was simulated based on this model, whose mechanism can be attributed to the temperature and electric field dependent electron emission in the barrier. Furthermore, the mechanism of the device bias via the self-heating and electric field impact on the electron emission and the transient drain current were also illustrated.