8 resultados para Frank Uwe Laysiepen (Ulay)
em Universidad Politécnica de Madrid
Resumo:
Frank O. Gehry. Desarrollo del concurso del Museo Guggenheim de Bilbao. Recursos y Estrategias Gráficas empleadas en la adjudicación del concurso. Frank O. Gehry. Museo Guggenheim Bilbao. Concurso Junio 1991. Coodje Van Bruggen, en su libro sobre el Museo Guggenheim de Bilbao, publicado por el propio museo y la Fundación que lleva su nombre en el año 1997, nos informa que, en el año 1991 se convoca concurso restringido por la Fundación Guggenheim, para la realización del proyecto de un Museo que se erigiese como satélite de una de las mayores colecciones de arte contemporáneo del mundo, la de la Fundación Solomon Guggenheim. Se realizará una exposición de las circunstancias que llevaron a la elección del proyecto de F. O. Gehry como ganador en el proceso de selección del concurso. Se pretenden desvelar las hipótesis que, después de un largo trayecto, hacen viable la ubicación del museo en la ciudad de Bilbao, y no en otras ciudades de nuestro país, o incluso en otros países, y como, la figura del arquitecto F. O. Gehry con diferentes estrategias proyectuales, apoyadas en diferentes planteamientos gráficos y modelísticos, siempre al servicio de los requisitos de la propiedad, derrota a sus contrincantes arquitectos en el concurso, y es capaz de llevar a cabo la construcción del citado museo. Se hará hincapié, y se prestará especial importancia y explicación, a los desarrollos gráficos y modelísticos desarrollados por el arquitecto F. O. Gehry para el desarrollo de la propuesta arquitectónica en sus diferentes fases ejecutorias, hasta la presentación de los documentos del proyecto a ejecutar, y posteriormente se contrastarán las intenciones y los conceptos arquitectónicos manejados en la documentación gráfica elaborada, en relación a la obra ejecutada y la relación de la obra ejecutada con la ciudad de Bilbao. Se analizará e investigará en las circunstancias que llevaron a la Fundación Guggenheim, después de un amplio periodo de tiempo de inactividad fuera de su sede de New York, y coincidiendo con el relevo de Thomas Messer como director del museo, por Thomas Krens en 1987, a plantear una política de expansión de sus sedes como museos satélites o franquicias, pero siempre controladas por la sede central ubicada en el Museo Guggenheim de New York diseñado por F. LL. Wright. En la actualidad, ésta política de expansión de la colección de la Fundación Guggenheim sigue latente. En otro orden de importancia se analizará, de manera escueta, el paralelismo existente en la gestación del Museo Guggenheim de New York y la figuras de Solomon Guggenheim, la baronesa Hilla Rebay, Harry Frank?y el arquitecto F. LL. Wright, y la gestación del Museo Guggenheim de Bilbao y las figuras de Thomas Krens?y el arquitecto F. O. Gehry. Se incluirán en la comunicación imágenes explicativas de los desarrollos gráficos realizados por los arquitectos en la presentación del concurso, así como imágenes de transformación y desarrollo de éstas hasta la conclusión con imágenes explicativas de la obra construida.
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Análisis y descripción de la arquitectura residencial del arquitecto.
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Análisis y descripción de los espacios públicos del arquitecto.
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Frank Lloyd Wright, 90 años
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The aim of this work is to provide an overview on the recent advances in the selective area growth (SAG) of (In)GaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. The first three sections deal with the basic growth mechanisms of GaN SAG and the emission control in the entire ultraviolet to infrared range, including approaches for white light emission, using InGaN disks and thick segments on axial nanocolumns. SAG of axial nanostructures is eveloped on both GaN/sapphire templates and GaN-buffered Si(111). As an alternative to axial nanocolumns, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods. Finally, section 5 reports on the SAG of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the templates is strongly reduced as indicated by a dramatic improvement of the optical properties. In the case of SAG on nonpolar (11-22) templates, the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of these nanostructures.
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Frank Lloyd Wright