Comportamiento bajo cargas estáticas de sistemas provisionales de protección de borde realizados con elementos de acero = Behavior under static loads of temporary edge protection systems built with steel elements

La norma UNE-EN 13374 “Sistemas provisionales de protección de borde. Especificaciones del producto, métodos de ensayo” (1) clasifica los sistemas provisionales de protección de borde (SPPB) en tres clases (A, B y C), en función del ángulo de la superficie de trabajo y de la altura de caída de la persona a proteger. Los sistemas clase A son los indicados cuando la inclinación de la superficie de trabajo es menor de 10º. La norma establece los requisitos de flecha y de resistencia de los SPPB. Los requisitos se pueden comprobar tanto analítica como experimentalmente. El objetivo del trabajo ha sido la evaluación del comportamiento de los SPPB utilizados habitualmente en las obras y establecer los cambios necesarios para que cumplan con la norma UNE-EN 13374. Para ello se han evaluado analítica y experimentalmente tres SPPB clase A, fabricados con acero S235. Los resultados obtenidos muestran que, el sistema empleado de forma habitual en obras no supera los requisitos de la norma ni analítica ni experimentalmente. El tercer sistema supera los requisitos con las dos metodologías de análisis. El segundo sistema supera los requisitos cuando la evaluación se realiza analíticamente pero no cuando la vía utilizada es la experimental.

Electromagnetic Instability Studies in Fusion Plasmas Edge

Este trabajo esta dedicado al estudio de las estructuras macroscópicas conocidas en la literatura como filamentos o blobs que han sido observadas de manera universal en el borde de todo tipo de dispositivos de fusión por confinamiento magnético. Estos filamentos, celdas convectivas elongadas a lo largo de las líneas de campo que surgen en el plasma fuertemente turbulento que existe en este tipo de dispositivos, parecen dominar el transporte radial de partículas y energía en la región conocida como Scrape-off Layer, en la que las líneas de campo dejan de estar cerradas y el plasma es dirigido hacia la pared sólida que forma la cámara de vacío. Aunque el comportamiento y las leyes de escala de estas estructuras son relativamente bien conocidos, no existe aún una teoría generalmente aceptada acerca del mecanismo físico responsable de su formación, que constituye una de las principales incógnitas de la teoría de transporte del borde en plasmas de fusión y una cuestión de gran importancia práctica en el desarrollo de la siguiente generación de reactores de fusión (incluyendo dispositivos como ITER y DEMO), puesto que la eficiencia del confinamiento y la cantidad de energía depositadas en la pared dependen directamente de las características del transporte en el borde. El trabajo ha sido realizado desde una perspectiva eminentemente experimental, incluyendo la observación y el análisis de este tipo de estructuras en el stellarator tipo heliotrón LHD (un dispositivo de gran tamaño, capaz de generar plasmas de características cercanas a las necesarias en un reactor de fusión) y en el stellarator tipo heliac TJ-II (un dispositivo de medio tamaño, capaz de generar plasmas relativamente más fríos pero con una accesibilidad y disponibilidad de diagnósticos mayor). En particular, en LHD se observó la generación de filamentos durante las descargas realizadas en configuración de alta _ (alta presión cinética frente a magnética) mediante una cámara visible ultrarrápida, se caracterizó su comportamiento y se investigó, mediante el análisis estadístico y la comparación con modelos teóricos, el posible papel de la Criticalidad Autoorganizada en la formación de este tipo de estructuras. En TJ-II se diseñó y construyó una cabeza de sonda capaz de medir simultáneamente las fluctuaciones electrostáticas y electromagnéticas del plasma. Gracias a este nuevo diagnóstico se pudieron realizar experimentos con el fin de determinar la presencia de corriente paralela a través de los filamentos (un parámetro de gran importancia en su modelización) y relacionar los dos tipos de fluctuaciones por primera vez en un stellarator. Así mismo, también por primera vez en este tipo de dispositivo, fue posible realizar mediciones simultáneas de los tensores viscoso y magnético (Reynolds y Maxwell) de transporte de cantidad de movimiento. ABSTRACT This work has been devoted to the study of the macroscopic structures known in the literature as filaments or blobs, which have been observed universally in the edge of all kind of magnetic confinement fusion devices. These filaments, convective cells stretching along the magnetic field lines, arise from the highly turbulent plasma present in this kind of machines and seem to dominate radial transport of particles and energy in the region known as Scrapeoff Layer, in which field lines become open and plasma is directed towards the solid wall of the vacuum vessel. Although the behavior and scale laws of these structures are relatively well known, there is no generally accepted theory about the physical mechanism involved in their formation yet, which remains one of the main unsolved questions in the fusion plasmas edge transport theory and a matter of great practical importance for the development of the next generation of fusion reactors (including ITER and DEMO), since efficiency of confinement and the energy deposition levels on the wall are directly dependent of the characteristics of edge transport. This work has been realized mainly from an experimental perspective, including the observation and analysis of this kind of structures in the heliotron stellarator LHD (a large device capable of generating reactor-relevant plasma conditions) and in the heliac stellarator TJ-II (a medium-sized device, capable of relatively colder plasmas, but with greater ease of access and diagnostics availability). In particular, in LHD, the generation of filaments during high _ discharges (with high kinetic to magnetic pressure ratio) was observed by means of an ultrafast visible camera, and the behavior of this structures was characterized. Finally, the potential role of Self-Organized Criticality in the generation of filaments was investigated. In TJ-II, a probe head capable of measuring simultaneously electrostatic and electromagnetic fluctuations in the plasma was designed and built. Thanks to this new diagnostic, experiments were carried out in order to determine the presence of parallel current through filaments (one of the most important parameters in their modelization) and to related electromagnetic (EM) and electrostatic (ES) fluctuations for the first time in an stellarator. As well, also for the first time in this kind of device, measurements of the viscous and magnetic momentum transfer tensors (Reynolds and Maxwell) were performed.

InN/GaN heterojunction electrical behavior

Indium nitride (InN) has been the subject of intense research in recent years. Some of its most attractive features are its excellent transport properties such as its small band edge electron effective mass, high electron mobilities and peak drift velocities, and high frequency transient drift velocity oscillations [1]. These suggest enormous potential applications for InN in high frequency electronic devices. But to date the high unintentional bulk electron concentration (n~1018 cm-3) of undoped InN samples and the surface electron accumulation layer make it a hard task to create a reliable metalsemiconductor Schottky barrier. Some attempts have been made to overcome this problem by means of material oxidation [2] or deposition of insulators [3]. In this work we present a way to obtain an electrical rectification behaviour by means of heterojunction growth. Due to the big band gap differences among nitride semiconductors, it’s possible to create a structure with high band offsets. In InN/GaN heterojunctions, depending on the GaN doping, the magnitude of conduction and valence band offset are critical parameters which allow distinguishing among different electrical behaviours. The earliest estimate of the valence band offset at an InN–GaN heterojunction in a wurtzite structure was measured to be ~0.85 eV [4], while the Schottky barrier heights were determined to be ~ 1,4 eV [5].We grew In-face InN layer with varying thickness (between 150 nm and 1 mm) by plasma assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) on GaNntemplates (GaN/Al2O3), with temperatures ranging between 300°C and 450°C. The different doping in GaN template (Si doping, Fe doping and Mg doping) results in differences in band alignments of the two semiconductors changing electrical barriers for carriers and consequently electrical conduction behaviour. The processing of the devices includes metallization of the ohmic contacts on InN and GaN, for which we used Ti/Al/Ni/Au. Whereas an ohmic contact on InN is straightforward, the main issue was the fabrication of the contact on GaN due to the very low decomposition temperature of InN. A standard ohmic contact on GaN is generally obtained by high temperature rapid thermal annealing (RTA), typically done between 500ºC and 900ºC[6]. In this case, the limitation due to the presence of In-face InN imposes an upper limit on the temperature for the thermal annealing process and ohmic contact formation of about 450°C. We will present results on the morphology of the InN layers by X-Ray diffraction and SEM, and electrical measurements, in particular current-voltage and capacitance-voltage characteristics.