Similarities and Differences in Barrel Vaults of Traditional and Stately Houses in the Historic Centre of Arequipa, Perú

The traditional architecture of the centre of the city of Arequipa has been analyzed by comparing floor-plans of houses from the eighteenth and nineteenth centuries in order to explain the reasons behind the arrangement of their constructional elements and the evolution of said elements and floor-plans. The historic centre of Arequipa, a city located in the South of Perú, South America (Latitude 16°23' South, Longitude 71 °31' West), is based on a ground plan from 1540 that was set during the city's Spanish foundation. It was declared Patrimony of the Humanity by UNESCO. The manorial architecture is widely known for its decorated fronts and one-of-a-kind designs, but its differences with respect to the popular architecture are not based exclusively on decorative aspects. Peru's colonial period finished around 1825, but the barrel-vault, construction style continued in Arequipa through 1868, when an earthquake destroyed the city. Thereafter, the vaults were replaced by roofs made of rails, with cinders made out of the lava stone. The stately houses belonged to the founding families who settled around the main square on forty nine blocks that formed a square-grid, street layout. Also belonging to this category are the houses of landlords and traders from post-colonial times.

Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.

The Irregular Ribbed Vault of the Sacristy of the Cathedral of Saint-Jean Baptiste in Perpignan

The vault of the sacristy of the Cathedral of Saint-Jean Baptiste in Perpignan (France), constructed by the Majorcan architect Guillem Sagrera between 1433 and 1447, is an outstanding, yet strikingly unknown, example of rib vaulting. This paper analyzes the overall construction of the form of the vault, characterized by its highly irregular perimeter, with particular attention to an isolated decorated corbel which solves the problem of the wall support of a group of six ribs and is in stark contrast with the rest of the supports, which are completely unadorned. Given the extreme rigour of Sagrera in all his works (and this one in particular), this apparent “capriccio” must be justified not only by decorative or formal requirements, but also by the constructive logic of Gothic vaulting system

La transformación de la morada: una investigación sobre los invariantes arquitectónicos en la vivienda contemporánea

Le Corbusier denominó la nueva casa como la "machine à habiter / máquina de habitar", adaptándola a la revolución industrial que desde el inicio del siglo XX estaba cambiando el mundo. La casa, entendida como una máquina, sería un objeto útil, fabricado mediante el ensamblaje de piezas industrializadas al igual que un coche, un avión o un barco. Pero más adelante, en el prólogo del libro ‘Precisiones’, titulado ‘Prólogo americano’. Le Corbusier traslada sus ideas después del viaje a las Américas, escritas en el barco de regreso a Europa y en ellas encontramos la prueba más evidente de que algo está cambiando en él. En este nuevo enfoque contribuyen probablemente muchas cosas, tal vez algunas nunca lleguemos a saberlas, pero entre las que con toda probabilidad lo hacen de forma decisiva, están algunos de sus viajes. Norte de África, España o América del Sur. En los suburbios de Buenos Aires o en Río, llenos de casas hechas de plancha ondulada, sin corazón y sin alma, y que, a pesar de todo, tienen uno y otra; Le Corbusier recibe una lección de arquitectura que nunca olvidará y que le llevará a decir: “he visto una vivienda obrera de plancha ondulada, pero muy bien puesta, en la cual un rosal adornaba la puerta. Era todo un poema de los tiempos modernos” O bien “busco con verdadero afán esas casas que son casas de hombres y no casas de arquitectos". Al final de su vida, libre de un compromiso político o de una atadura excesivamente estricta con la construcción; sus propuestas son más orgánicas y no tan estructurales, basta ver la Cabanon que se construye para él y su mujer. En este trabajo; iniciado sobre la base de la conferencia que Martin Heidegger pronuncia el 5 de agosto de 1951 en Darmstadt, “Bauen Wohnen Denken”, apoyándose en el escrito de Santa Teresa de Cepeda (1515-1582), y guiados por sus siete Moradas del “Castillo Interior”, escrito del año 1577; se estudia la transformación de la casa y la invariancia de la morada. La casa posee uno de los mayores poderes de integración para los pensamientos, los recuerdos y los sueños del hombre. La casa en la vida del hombre, suplanta contingencias, multiplica sus consejos de continuidad. Sin ella el hombre sería un ser disperso. Es cuerpo y alma. Es el primer mundo del ser humano... Y siempre, en sus sueños, la casa es una gran cuna, como nos dice Bachelard. Ha habido una evidente evolución del concepto de vivienda, a lo largo del tiempo pero aún así todas las moradas siguen siendo reflejo de sus habitantes. La casa y la morada son dos cosas distintas. Cuando un hombre hace suya una casa, encuentra su morada. ABSTRACT Le Corbusier named the new house as the "machine à habiter / machine for living", adapting it to the industrial revolution that was changing the world from the beginning of the twentieth century. The house, resembled as a machine, was a useful object made by the assembly of industrial pieces like a car, an airplane or a boat. But later, after his trip to the Americas, and reflected at the preface, 'American Prologue', of his book called 'Clarifications', Le Corbusier evolved his ideas into a new way of thinking. Wrote on the boat back to Europe, the lines written in this book are the clear evidence that something has changed in him. We might never get to know all of the variables that influenced his new approach, but we can be certain that the trips to South America, North Africa and Spain played a pivotal role on the evolution of his thinking. In the suburbs of Buenos Aires or Rio, where he was exposed to roughly made houses, without any heart or soul, but nevertheless owned by men, Le Corbusier learnt an unforgettable lesson. Hence, he would retrospect: "I saw a corrugated iron worker house, but very well decorated with a rosebush garnishing the front door. It was a poem of the modern times" or "I deeply look forward for those houses that are people’s homes not architect’s ones". At the end of his life, free of political commitment or an overly strict attachment to the construction, his proposals are more organic and less structural, as represented by the Cabanon built for himself and his wife. In this paper, based on Martin’s Heidegger conference in Darmstadt “Bauen Wohnen Denken” (august 5th of 1951) and supported by Santa Teresa de Cepeda’s (1515-1582) letter and her Seven Mansions of the Interior Castle, transformation and invariance is studied. The house has one of the greatest powers of integration for the thoughts, memories and dreams of men. The house, in the life of an individual, overcome men contingencies and multiplies men advice for continuity. Without it, men would be a dispersed human being. The house is body and soul. It is the first world of the human being ... And always, in his dreams, “the house is a large cradle”, as said by Bachelard. There has been a clear evolution of the concept of housing over time. But after all, the house still remains as a reflection of its inhabitants. When a man makes a house his own, we can conclude, he has found what he can call his “morada”.