Electronic damage in quartz (c-SiO2) by MeV ion irradiations: Potentiality for optical waveguiding applications

The damage induced on quartz (c-SiO2) by heavy ions (F, O, Br) at MeV energies, where electronic stopping is dominant, has been investigated by RBS/C and optical methods. The two techniques indicate the formation of amorphous layers with an isotropic refractive index (n = 1.475) at fluences around 1014 cm−2 that are associated to electronic mechanisms. The kinetics of the process can be described as the superposition of linear (possibly initial Poisson curve) and sigmoidal (Avrami-type) contributions. The coexistence of the two kinetic regimes may be associated to the differential roles of the amorphous track cores and preamorphous halos. By using ions and energies whose maximum stopping power lies inside the crystal (O at 13 MeV, F at 15 MeV and F at 30 MeV) buried amorphous layer are formed and optical waveguides at the sample surface have been generated.

UPM Activities on the STLs processing (Task 6.2) and the generation of DPA cross section library up to 150 MeV (Task 4.1)

Generation of a complete damage energy and dpa cross section library up to 150 MeVbased on JEFF- 3.1.1 and suitable approximations (UPM) Postprocessing of photonuclear libraries (by CCFE) and thermal scattering  tables (by UPM) at the backend of the calculational system (CCFE/UPM)

In-situ and Ex-situ characterization of III-V semiconductor materials and solar cells upon 10 MEV proton irradiation

In this work we present the results and analysis of a 10 MeV proton irradiation experiment performed on III-V semiconductor materials and solar cells. A set of representative devices including lattice-matched InGaP/GaInAs/Ge triple junction solar cells and single junction GaAs and InGaP component solar cells and a Ge diode were irradiated for different doses. The devices were studied in-situ before and after each exposure at dark and 1 sun AM0 illumination conditions, using a solar simulator connected to the irradiation chamber through a borosilicate glass window. Ex-situ characterization techniques included dark and 1 sun AM0 illumination I-V measurements. Furthermore, numerical simulation of the devices using D-AMPS-1D code together with calculations based on the TRIM software were performed in order to gain physical insight on the experimental results. The experiment also included the proton irradiation of an unprocessed Ge solar cell structure as well as the irradiation of a bare Ge(100) substrate. Ex-situ material characterization, after radioactive deactivation of the samples, includes Raman spectroscopy and spectral reflectivity.

Estudio de la evolución de las fases de hidratación de cementos con adición de cenizas de fondo mediante mediante caracterización eléctrica y DRX

La caracterización eléctrica de materiales polifásicos cuya composición evoluciona en el tiempo permite el estudio de los fenómenos implicados. Para obtener resultados adecuados con cambios rápidos es necesario establecer un compromiso entre el rango de frecuencias seleccionado y el tiempo de medida. Los cementos evolucionan muy rápidamente en los primeros minutos de hidratación, por tanto la caracterización de los productos formados requiere la utilización de técnicas versátiles con elevada sensibilidad. También, tanto la velocidad de hidratación como los productos formados se modifican cuando se sustituye parcialmente el clinker por adiciones, como las cenizas volantes o las escorias. En el presente trabajo se utiliza la caracterización eléctrica para evaluar el comportamiento durante la hidratación de cementos con sustitución parcial de cenizas de fondo, procedentes de centrales térmicas de carbón. Actualmente estos subproductos se envían mayoritariamente a vertederos, lo que hace muy interesante su valorización como constituyente del cemento. Distintos cementos, con adición parcial de cenizas de fondo, han sido analizados en comparación con cementos equivalentes con cenizas volantes y con un cemento sin adición. Por último, la caracterización eléctrica se ha complementado con el análisis evolutivo de los compuestos cristalinos mediante difracción de rayos X.