Mies van der Rohe's Illinois Institute of Technology: Analysis and History of a Compositive Development = El IIT de Mies van der Rohe: análisis e historia de un proceso compositivo

The Illinois Institute of Technology (iit) campus, Chicago, by architect Ludwig Mies van der Rohe, is often considered as a transitional work, usually acknowledged as significant for the reorientation of his professional career after he emigrated to the United States. Moreover, its favorable recognition today is somehow indicative of its relevance as a model for urban intervention in the contemporary American city and for contemporary city planning in general, not to mention the profound impact that it had on the cityscape of Chicago. However, today we know it was rather the result of a close collaboration between he and Ludwig Hilberseimer —later on, to be completed with Alfred Caldwell— who merged their personal ideas and expertise in the design for the first time. In addition to this, when one tries to locate the design within its own historical context and evaluate the sources of its approach to it, some contradictions arise. The major impact of the images produced by Mies to promote its realization —widely disseminated in most contemporary architectural periodicals— probably outshined the particular circumstances in which the design was conceived. In fact, it would never be materialized as originally presented, but it was, instead, continuously reworked according to land availability in the site —a circumstance often ignored by subsequent architectural critic, that enthusiastically praised the design even before it was fully completed. One of the main consequences of looking at iit from such a standpoint is that, when historically contextualized, one can appreciate that, due to the urban scale of its implementation process, the design had to face a complex reality very different to that initially planned by the architect, often far from his actual possibilities of intervention. Such approach is in contradiction with the common description of the design as a ‘tabula rasa’ that allegedly would have been formulated on the basis of a full denial of its context. On the contrary, the ever-changing circumstances of the design motivated a necessary re-interpretation of the relation between its executed fragments, in order to keep the original identity of the whole in an ever-changing context. This situation implied a continuous transformation of the design by means of a steady re-composition of its elements: as the number of completed buildings increased in its successive stages, their relation to their site-specific context changed, in a very particular process that these lines try to delineate. Requiring decades to be erected, neither of its authors would ever see the design finished as planned, partially because of the difficulties in acquiring the extension of land that it required. Considering the study of this process as able to provide a valuable gateway to understand the urban discourse that the architects entailed, the aim of these lines is to analyze the problems that the iit campus design had to face. As a starting point, a relationship between practice and theory in the activity of the authors implied in iit campus design has been assumed. Far from being interrupted during World War ii, strong historical evidence can be found to infer that both were developed in parallel. Consequently, the historical sequence of the preserved testimonies has been put into context, as well as their transformation while Mies remained in charge for the campus Master Plan. Notably, when seen from this perspective, some ideas already expressed during his previous European practice were still present during the design process. Particularly, Mies's particular understanding of certain architectural concepts — such as those of ‘order’ and ‘structure’—can be traced paralleling the theories about urban planning from his collaborators, a fact that possibly facilitated the campus successful development. The study of the way these ideas were actually redeveloped and modified in the American urban context, added to the specific process of the implementation of iit campus design, sheds a new light for a critical interpretation of the reasons that made it possible, and of the actual responsibility of Mies's collaborators in its overall development and final completion. RESUMEN El campus del Illinois Institute of Technology (iit) de Chicago, obra del arquitecto Ludwig Mies van der Rohe, es a menudo considerado como una obra de transición que, por lo general, ha venido siendo reconocida como relevante para la reorientación de su carrera profesional posterior a su exilio en los Estados Unidos. El reconocimiento del que goza el proyecto es indicativo, de algún modo, de su importancia como modelo para la intervención urbana en la ciudad norteamericana contemporánea y el planeamiento de la ciudad contemporánea en general, sin olvidar el profundo impacto que ha tenido sobre el paisaje urbano de Chicago. Sin embargo, hoy sabemos que el resultado se benefició de su estrecha colaboración con Ludwig Hilberseimer y se completaría más tarde con la de Alfred Caldwell, quienes unieron sus ideas y experiencia profesional en el proyecto por primera vez. Asimismo, cuando se intenta ubicar el proyecto dentro de su propio contexto histórico y evaluar los criterios de su manera de abordarlo, surgen algunas contradicciones. El considerable impacto de las imágenes producidas por Mies para impulsar su ejecución —ampliamente difundidas en la mayoría de publicaciones de arquitectura de la época— probablemente eclipsó las particulares circunstancias en las que el proyecto fue concebido. De hecho, nunca llegó a materializarse tal y como fue inicialmente presentado. Por contra, fue reelaborado de manera continua, de acuerdo a la disponibilidad de suelo en el emplazamiento; una circunstancia a menudo ignorada por la crítica posterior, que elogió con entusiasmo el proyecto antes siquiera de que fuese terminado. Una de las principales consecuencias de contemplar el iit desde semejante punto de vista es que, una vez contextualizada históricamente su puesta en obra, se puede apreciar que el arquitecto tuvo que enfrentarse a una compleja realidad urbana muy diferente a la inicialmente prevista —probablemente debido a la escala del proyecto— a menudo lejos de sus posibilidades reales de intervención. Este enfoque contradice la descripción habitual del proyecto como una ‘tabula rasa’, que supuestamente se habría formulado sobre la base de una negación completa de su contexto. Por el contrario, las circunstancias cambiantes del proyecto obligaron una necesaria reinterpretación de la relación entre sus frag mentos ejecutados, con el fin de mantener la identidad original del conjunto en un contexto en constante cambio. Esta situación implicó una continua transformación del proyecto por medio de una permanente re-composición de sus elementos: según se incrementaba el número de edificios construidos en las etapas sucesivas de desarrollo del conjunto, variaba su relación con el contexto específico en que se emplazaban, en un proceso muy particular que estas líneas tratan de perfilar. Al necesitar décadas para ser levantado, ninguno de sus autores vería el conjunto terminado según lo planificado, en parte debido a las dificultades para la adquisición de la extensión de suelo que demandaba. Asumiendo que el estudio de este proceso es capaz de proporcionar una valiosa puerta de entrada para elucidar el discurso urbano asumido por los Mies, el objetivo de estas líneas es analizar los problemas a los que el proyecto del campus del iit tuvo que enfrentarse. Como punto de partida, se ha supuesto una relación entre la práctica y la teoría en la actividad de los autores implicados en el proyecto del campus del iit. Lejos de interrumpirse durante la Segunda Guerra Mundial, existen evidencias históricas sólidas para deducir que ambas vertientes se desarrollaron en paralelo. En consecuencia, se ha contextualizado la secuencia histórica de los testimonios conservados, así como su transformación durante el periodo en que Mies estuvo a cargo del Plan General del campus. Significativamente, al ser contempladas bajo esta perspectiva, algunas ideas ya expresadas durante su práctica europea anterior resultan aún presentes durante la redacción del proyecto. En concreto, se puede trazar un paralelismo entre la comprensión particular de Mies de ciertos conceptos arquitectónicos —como los de ‘orden’ y ‘estructura’— y las teorías sobre el urbanismo de sus colaboradores, hecho que posiblemente facilitó el exitoso desarrollo del proyecto. El estudio de la manera en que estas ideas fueron reelaboradas y modificadas en el contexto urbano estadounidense, sumado al proceso específico de su aplicación en el proyecto del campus del iit, arroja una nueva luz para una interpretación crítica tanto de las razones que lo hicieron posible, como del papel real que los colaboradores de Mies tuvieron en su desarrollo y ejecución final.

Bibliography of Spanish Muslim Art 1939-1946

Bibliography of Spanish Muslim Art 1939-1946

Research on wide-bandgap intermediate band solar cells and development of experimental techniques for their characterization

El trabajo que ha dado lugar a esta Tesis Doctoral se enmarca en la invesitagación en células solares de banda intermedia (IBSCs, por sus siglas en inglés). Se trata de un nuevo concepto de célula solar que ofrece la posibilidad de alcanzar altas eficiencias de conversión fotovoltaica. Hasta ahora, se han demostrado de manera experimental los fundamentos de operación de las IBSCs; sin embargo, esto tan sólo has sido posible en condicines de baja temperatura. El concepto de banda intermedia (IB, por sus siglas en inglés) exige que haya desacoplamiento térmico entre la IB y las bandas de valencia y conducción (VB and CB, respectivamente, por sus siglas en inglés). Los materiales de IB actuales presentan un acoplamiento térmico demasiado fuerte entre la IB y una de las otras dos bandas, lo cual impide el correcto funcionamiento de las IBSCs a temperatura ambiente. En el caso particular de las IBSCs fabricadas con puntos cuánticos (QDs, por sus siglas en inglés) de InAs/GaAs - a día de hoy, la tecnología de IBSC más estudiada - , se produce un rápido intercambio de portadores entre la IB y la CB, por dos motivos: (1) una banda prohibida estrecha (< 0.2 eV) entre la IB y la CB, E^, y (2) la existencia de niveles electrónicos entre ellas. El motivo (1) implica, a su vez, que la máxima eficiencia alcanzable en estos dispositivos es inferior al límite teórico de la IBSC ideal, en la cual E^ = 0.71 eV. En este contexto, nuestro trabajo se centra en el estudio de IBSCs de alto gap (o banda prohibida) fabricadsas con QDs, o lo que es lo mismo, QD-IBSCs de alto gap. Hemos fabricado e investigado experimentalmente los primeros prototipos de QD-IBSC en los que se utiliza AlGaAs o InGaP para albergar QDs de InAs. En ellos demostramos une distribución de gaps mejorada con respecto al caso de InAs/GaAs. En concreto, hemos medido valores de E^ mayores que 0.4 eV. En los prototipos de InAs/AlGaAs, este incremento de E^ viene acompaado de un incremento, en más de 100 meV, de la energía de activación del escape térmico. Además, nuestros dispositivos de InAs/AlGaAs demuestran conversión a la alza de tensión; es decir, la producción de una tensión de circuito abierto mayor que la energía de los fotones (dividida por la carga del electrón) de un haz monocromático incidente, así como la preservación del voltaje a temperaura ambiente bajo iluminación de luz blanca concentrada. Asimismo, analizamos el potencial para detección infrarroja de los materiales de IB. Presentamos un nuevo concepto de fotodetector de infrarrojos, basado en la IB, que hemos llamado: fotodetector de infrarrojos activado ópticamente (OTIP, por sus siglas en inglés). Nuestro novedoso dispositivo se basa en un nuevo pricipio físico que permite que la detección de luz infrarroja sea conmutable (ON y OFF) mediante iluminación externa. Hemos fabricado un OTIP basado en QDs de InAs/AlGaAs con el que demostramos fotodetección, bajo incidencia normal, en el rango 2-6/xm, activada ópticamente por un diodoe emisor de luz de 590 nm. El estudio teórico del mecanismo de detección asistido por la IB en el OTIP nos lleva a poner en cuestión la asunción de quasi-niveles de Fermi planos en la zona de carga del espacio de una célula solar. Apoyados por simuaciones a nivel de dispositivo, demostramos y explicamos por qué esta asunción no es válida en condiciones de corto-circuito e iluminación. También llevamos a cabo estudios experimentales en QD-IBSCs de InAs/AlGaAs con la finalidad de ampliar el conocimiento sobre algunos aspectos de estos dispositivos que no han sido tratados aun. En particular, analizamos el impacto que tiene el uso de capas de disminución de campo (FDLs, por sus siglas en inglés), demostrando su eficiencia para evitar el escape por túnel de portadores desde el QD al material anfitrión. Analizamos la relación existente entre el escape por túnel y la preservación del voltaje, y proponemos las medidas de eficiencia cuántica en función de la tensión como una herramienta útil para evaluar la limitación del voltaje relacionada con el túnel en QD-IBSCs. Además, realizamos medidas de luminiscencia en función de la temperatura en muestras de InAs/GaAs y verificamos que los resltados obtenidos están en coherencia con la separación de los quasi-niveles de Fermi de la IB y la CB a baja temperatura. Con objeto de contribuir a la capacidad de fabricación y caracterización del Instituto de Energía Solar de la Universidad Politécnica de Madrid (IES-UPM), hemos participado en la instalación y puesta en marcha de un reactor de epitaxia de haz molecular (MBE, por sus siglas en inglés) y el desarrollo de un equipo de caracterización de foto y electroluminiscencia. Utilizando dicho reactor MBE, hemos crecido, y posteriormente caracterizado, la primera QD-IBSC enteramente fabricada en el IES-UPM. ABSTRACT The constituent work of this Thesis is framed in the research on intermediate band solar cells (IBSCs). This concept offers the possibility of achieving devices with high photovoltaic-conversion efficiency. Up to now, the fundamentals of operation of IBSCs have been demonstrated experimentally; however, this has only been possible at low temperatures. The intermediate band (IB) concept demands thermal decoupling between the IB and the valence and conduction bands. Stateof- the-art IB materials exhibit a too strong thermal coupling between the IB and one of the other two bands, which prevents the proper operation of IBSCs at room temperature. In the particular case of InAs/GaAs quantum-dot (QD) IBSCs - as of today, the most widely studied IBSC technology - , there exist fast thermal carrier exchange between the IB and the conduction band (CB), for two reasons: (1) a narrow (< 0.2 eV) energy gap between the IB and the CB, EL, and (2) the existence of multiple electronic levels between them. Reason (1) also implies that maximum achievable efficiency is below the theoretical limit for the ideal IBSC, in which EL = 0.71 eV. In this context, our work focuses on the study of wide-bandgap QD-IBSCs. We have fabricated and experimentally investigated the first QD-IBSC prototypes in which AlGaAs or InGaP is the host material for the InAs QDs. We demonstrate an improved bandgap distribution, compared to the InAs/GaAs case, in our wide-bandgap devices. In particular, we have measured values of EL higher than 0.4 eV. In the case of the AlGaAs prototypes, the increase in EL comes with an increase of more than 100 meV of the activation energy of the thermal carrier escape. In addition, in our InAs/AlGaAs devices, we demonstrate voltage up-conversion; i. e., the production of an open-circuit voltage larger than the photon energy (divided by the electron charge) of the incident monochromatic beam, and the achievement of voltage preservation at room temperature under concentrated white-light illumination. We also analyze the potential of an IB material for infrared detection. We present a IB-based new concept of infrared photodetector that we have called the optically triggered infrared photodetector (OTIP). Our novel device is based on a new physical principle that allows the detection of infrared light to be switched ON and OFF by means of an external light. We have fabricated an OTIP based on InAs/AlGaAs QDs with which we demonstrate normal incidence photodetection in the 2-6 /xm range optically triggered by a 590 nm light-emitting diode. The theoretical study of the IB-assisted detection mechanism in the OTIP leads us to questioning the assumption of flat quasi-Fermi levels in the space-charge region of a solar cell. Based on device simulations, we prove and explain why this assumption is not valid under short-circuit and illumination conditions. We perform new experimental studies on InAs/GaAs QD-IBSC prototypes in order to gain knowledge on yet unexplored aspects of the performance of these devices. Specifically, we analyze the impact of the use of field-damping layers, and demonstrate this technique to be efficient for avoiding tunnel carrier escape from the QDs to the host material. We analyze the relationship between tunnel escape and voltage preservation, and propose voltage-dependent quantum efficiency measurements as an useful technique for assessing the tunneling-related limitation to the voltage preservation of QD-IBSC prototypes. Moreover, we perform temperature-dependent luminescence studies on InAs/GaAs samples and verify that the results are consistent with a split of the quasi-Fermi levels for the CB and the IB at low temperature. In order to contribute to the fabrication and characterization capabilities of the Solar Energy Institute of the Universidad Polite´cnica de Madrid (IES-UPM), we have participated in the installation and start-up of an molecular beam epitaxy (MBE) reactor and the development of a photo and electroluminescence characterization set-up. Using the MBE reactor, we have manufactured and characterized the first QD-IBSC fully fabricated at the IES-UPM.