Silicon micromachined waveguide components at 0.75 to 1.1 THz

Silicon micromachined waveguide components operating in the WM-250 (WR-1) waveguide band (0.75 to 1.1 THz) are measured. Through lines are used to characterize the waveguide loss with and without an oxide etch to reduce the surface roughness. A sidewall roughness of 100nm is achieved, enabling a waveguide loss of 0.2dB/mm. A 1THz band-pass filter is also measured to characterize the precision of fabrication process. A 1.8% shift in frequency is observed and can be accounted for by the 0.5deg etch angle and 2um expansion of the features by the oxide etch. The measured filter has a 13% 3dB bandwidth and 2.5dB insertion loss through the passband.

Low-cost manufacturing by fused filament fabrication of microwave waveguide passive devices for space applications

Presentación en poster de impresión 3D de guias de onda.

Ku band waveguide diplexer design for satellite communication. Implementation by additive manufacturing and experimental characterization

Gran cantidad de servicios de telecomunicación tales como la distribución de televisión o los sistemas de navegación están basados en comunicaciones por satélite. Del mismo modo que ocurre en otras aplicaciones espaciales, existe una serie de recursos clave severamente limitados, tales como la masa o el volumen. En este sentido, uno de los dispositivos pasivos más importantes es el diplexor del sistema de alimentación de la antena. Este dispositivo permite el uso de una única antena tanto para transmitir como para recibir, con la consiguiente optimización de recursos que eso supone. El objetivo principal de este trabajo es diseñar un diplexor que cumpla especificaciones reales de comunicaciones por satélite. El dispositivo consiste en dos estructuras filtrantes unidas por una bifurcación de tres puertas. Además, es imprescindible utilizar tecnología de guía de onda para su implementación debido a los altos niveles de potencia manejados. El diseño del diplexor se lleva a cabo dividiendo la estructura en diversas partes, con el objetivo de que todo el proceso sea factible y eficiente. En primer lugar, se han desarrollado filtros con diferentes respuestas – paso alto, paso bajo y paso banda – aunque únicamente dos de ellos formarán el diplexor. Al afrontar su diseño inicial, se lleva a cabo un proceso de síntesis teórica utilizando modelos circuitales. A continuación, los filtros se optimizan con técnicas de diseño asistido por ordenador (CAD) full-wave, en concreto mode matching. En este punto es esencial analizar las estructuras y su simetría para determinar qué modos electromagnéticos se están propagando realmente por los dispositivos, para así reducir el esfuerzo computacional asociado. Por último, se utiliza el Método de los Elementos Finitos (FEM) para verificar los resultados previamente obtenidos. Una vez que el diseño de los filtros está terminado, se calculan las dimensiones correspondientes a la bifurcación. Finalmente, el diplexor al completo se somete a un proceso de optimización para cumplir las especificaciones eléctricas requeridas. Además, este trabajo presenta un novedoso valor añadido: la implementación física y la caracterización experimental tanto del diplexor como de los filtros por separado. Esta posibilidad, impracticable hasta ahora debido a su elevado coste, se deriva del desarrollo de las técnicas de manufacturación aditiva. Los prototipos se imprimen en plástico (PLA) utilizando una impresora 3D de bajo coste y posteriormente se metalizan. El uso de esta tecnología conlleva dos limitaciones: la precisión de las dimensiones geométricas (±0.2 mm) y la conductividad de la pintura metálica que recubre las paredes internas de las guías de onda. En este trabajo se incluye una comparación entre los valores medidos y simulados, así como un análisis de los resultados experimentales. En resumen, este trabajo presenta un proceso real de ingeniería: el problema de diseñar un dispositivo que satisfaga especificaciones reales, las limitaciones causadas por el proceso de fabricación, la posterior caracterización experimental y la obtención de conclusiones.

Particle Patterning on Lithium Niobate waveguides via photovoltaic tweezers

Successful micro and nano-particle patterning on iron doped lithium niobate waveguides using photovoltaic fields is reported. This technique previously used in bulk crystals is here applied to waveguide configuration. Well defined particle patterns are obtained using two types of planar waveguides (by proton exchanged and swift heavy ion irradiation) and metallic and dielectric neutral particles. The use of waveguide configuration has allowed a reduction of the light exposure time until 3 s, two orders of magnitude smaller than typical values used in bulk.

Inorganic Photovoltaics - Planar and Nanostructured Devices

Since its invention in the 1950s, semiconductor solar cell technology has evolved in great leaps and bounds. Solar power is now being considered as a serious leading contender for replacing fossil fuel based power generation. This article reviews the evolution and current state, and potential areas of near future research focus, of leading inorganic materials based solar cells, including bulk crystalline, amorphous thin-films, and nanomaterials based solar cells. Bulk crystalline silicon solar cells continue to dominate the solar power market, and continued efforts at device fabrication improvements, and device topology advancements are discussed. III-V compound semiconductor materials on c-Si for solar power generation are also reviewed. Developments in thin-film based solar cells are reviewed, with a focus on amorphous silicon, copper zinc tin sulfide, cadmium telluride, as well as nanostructured Cadmium telluride. Recent developments in the use of nano-materials for solar power generation, including silicon and gallium arsenide nanowires, are also reviewed.

A source reconstruction technique for planar arrays of wide slots

A method to reconstruct the excitation coefficients of wide-slot arrays from near-field data is presented. The plane wave spectrum (PWS) is used for reconstruction, and the shape of the field distribution on a wide slot is considered in the calculation of the PWS. The proposed algorithm is validated through the reconstruction of the excitation coefficients of a wide-slot array with element failures from the simulated nearfield data. The element failures are clearly located by the proposed algorithm