Restauración ambiental del entorno del polígono Francolí (Tarragona)

El objeto de este proyecto es la restauración ambiental del entorno del polígono Francolí. Para ello se va a llevar a cabo una recuperación del medio litoral para la reubicación de inflamables en el muelle de la Química. El problema fundamental es que dicha reubicación no es posible debido a que el muelle se encuentra en un estado de saturación. Además las instalaciones necesitarían una remodelación para poder asegurar el servicio. Como solución se ha decidido hacer una ampliación de dicho muelle. La ampliación afectará al muelle nº 4 debido a que se encuentra en el lugar a partir del cuál se pretende aumentar la explanada. Por ello el proyecto incluye el traslado provisional del mismo durante las obras y su posterior incorporación al muelle inicial ya ampliado. En resumen, el presente proyecto tiene por objeto la descripción y valoración de las obras e instalaciones a realizar para la ampliación del Muelle de la Química, realizado con cámaras amortiguadoras de oleaje, en el puerto de Tarragona.

Estambul, la huella de Bizancio

Descripción y análisis de la arquitectura y el arte en la ciudad turca.

Los Ángeles

Descripción y análisis de la arquitectura y el arte contemporaneo en la ciudad californiana.

Estudio de la modelización de la localización de deformaciones en el hormigón

El objetivo del trabajo fin de máster ha sido el estudio de la capacidad de los modelos de daño escalar en reproducir la localización de deformaciones en el hormigón. Para ello se ha utilizado un modelo de daño local con el ablandamiento regularizado (aproximación de fisura difusa) y un modelo de daño no local con formulación integral. Los análisis numéricos se han realizado con el código de elementos finitos Code-Aster. Las actividades realizadas en el trabajo fin de máster han sido: - resumen de los modelos existentes para la reproducción del fallo material. - descripción y estudio del comportamiento de un modelo de daño local "solo tracción" para el hormigón. - regularización del ablandamiento en el modelo de daño local para el modo de fractura tipo I. - descripción de los modelos de daño no local, en particular la formulación de gradiente implícito. - estudio del comportamiento del modelo de daño no local para el ensayo de extensión uniaxial. - aplicación de los modelos de daño local y no local a ensayos tridimensionales. Los elementos más destacables del trabajo son: - Construir un modelo de fisura difusa a partir del modelo de daño local “solo tracción” existente en Code-Aster. Para ello se ha derivado la pendiente de la rama de ablandamiento en la ley tensión-deformación uniaxial en función de los parámetros : (1) densidad de área de energía de fractura y (2) tamaño característico de la malla. - Estudio del comportamiento del modelo de daño no local en el ensayo de extensión uniaxial. En particular estudiar la influencia que los parámetros l (longitud característica de la formulación no local) y m (pendiente de la rama de ablandamiento en la ley tensión-deformación uniaxial) en la disipación del modelo.

MOVPE growth of III-V semiconductors on silicon for third generation solar cells

Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.

Parallel Virtual Urban Workshops A “resasonable-cost” methodology for academic internationalization in problem-solving oriented postgraduate subjects

Descripción y análisis critic de una metodología de taller de posgrado a realizar entre dos universidades en idioma ingles y con el apoyo de las nuevas tecnologías

A Comparative Analysis of Hedging in a Corpus of Two Written Legal Discourse Genres

Esta tesis doctoral, que es la culminación de mis estudios de doctorado impartidos por el Departamento de Lingüística Aplicada a la Ciencia y a la Tecnología de la Universidad Politécnica de Madrid, aborda el análisis del uso de la matización (hedging) en el lenguaje legal inglés siguiendo los postulados y principios de la análisis crítica de género (Bhatia, 2004) y empleando las herramientas de análisis de córpora WordSmith Tools versión 6 (Scott, 2014). Como refleja el título, el estudio se centra en la descripción y en el análisis contrastivo de las variedades léxico-sintácticas de los matizadores del discurso (hedges) y las estrategias discursivas que con ellos se llevan a cabo, además de las funciones que éstas desempeñan en un corpus de sentencias del Tribunal Supremo de EE. UU., y de artículos jurídicos de investigación americanos, relacionando, en la medida posible, éstas con los rasgos determinantes de los dos géneros, desde una perspectiva socio-cognitiva. El elemento innovador que ofrece es que, a pesar de los numerosos estudios que se han podido realizar sobre los matizadores del discurso en el inglés general (Lakoff, 1973; Hübler, 1983; Clemen, 1997; Markkanen and Schröder, 1997; Mauranen, 1997; Fetzer 2010; y Finnegan, 2010 entre otros) académico (Crompton, 1997; Meyer, 1997; Skelton, 1997; Martín Butragueňo, 2003) científico (Hyland, 1996a, 1996c, 1998c, 2007; Grabe and Kaplan, 1997; Salager-Meyer, 1997 Varttala, 2001) médico (Prince, 1982; Salager-Meyer, 1994; Skelton, 1997), y, en menor medida el inglés legal (Toska, 2012), no existe ningún tipo de investigación que vincule los distintos usos de la matización a las características genéricas de las comunicaciones profesionales. Dentro del lenguaje legal, la matización confirma su dependencia tanto de las expectativas a macro-nivel de la comunidad de discurso, como de las intenciones a micro-nivel del escritor de la comunicación, variando en función de los propósitos comunicativos del género ya sean éstos educativos, pedagógicos, interpersonales u operativos. El estudio pone de relieve el uso predominante de los verbos modales epistémicos y de los verbos léxicos como matizadores del discurso, estos últimos divididos en cuatro tipos (Hyland 1998c; Palmer 1986, 1990, 2001) especulativos, citativos, deductivos y sensoriales. La realización léxico-sintáctica del matizador puede señalar una de cuatro estrategias discursivas particulares (Namsaraev, 1997; Salager-Meyer, 1994), la indeterminación, la despersonalización, la subjectivisación, o la matización camuflada (camouflage hedging), cuya incidencia y función varia según género. La identificación y cuantificación de los distintos matizadores y estrategias empleados en los diferentes géneros del discurso legal puede tener implicaciones pedagógicos para los estudiantes de derecho no nativos que tienen que demostrar una competencia adecuada en su uso y procesamiento. ABSTRACT This doctoral thesis, which represents the culmination of my doctoral studies undertaken in the Department of Linguistics Applied to Science and Technology of the Universidad Politécnica de Madrid, focusses on the analysis of hedging in legal English following the principles of Critical Genre Analysis (Bhatia, 2004), and using WordSmith Tools version 6 (Scott, 2014) corpus analysis tools. As the title suggests, this study centers on the description and contrastive analysis of lexico-grammatical realizations of hedges and the discourse strategies which they can indicate, as well as the functions they can carry out, in a corpus of U.S. Supreme Court opinions and American law review articles. The study relates realization, incidence and function of hedging to the predominant generic characteristics of the two genres from a socio-cognitive perspective. While there have been numerous studies on hedging in general English (Lakoff, 1973; Hübler, 1983; Clemen, 1997; Markkanen and Schröder, 1997; Mauranen, 1997; Fetzer 2010; and Finnegan, 2010 among others) academic English (Crompton, 1997; Meyer, 1997; Skelton, 1997; Martín Butragueňo, 2003) scientific English (Hyland, 1996a, 1996c, 1998c, 2007; Grabe and Kaplan, 1997; Salager-Meyer, 1997 Varttala, 2001) medical English (Prince, 1982; Salager-Meyer, 1994; Skelton, 1997), and, to a lesser degree, legal English (Toska, 2012), this study is innovative in that it links the different realizations and functions of hedging to the generic characteristics of a particular professional communication. Within legal English, hedging has been found to depend on not only the macro-level expectations of the discourse community for a specific genre, but also on the micro-level intentions of the author of a communication, varying according to the educational, pedagogical, interpersonal or operative purposes the genre may have. The study highlights the predominance of epistemic modal verbs and lexical verbs as hedges, dividing the latter into four types (Hyland, 1998c; Palmer, 1986, 1990, 2001): speculative, quotative, deductive and sensorial. Lexical-grammatical realizations of hedges can signal one of four discourse strategies (Namsaraev, 1997; Salager-Meyer, 1994), indetermination, depersonalization, subjectivization and camouflage hedging, as well as fulfill a variety of functions. The identification and quantification of the different hedges and hedging strategies and functions in the two genres may have pedagogical implications for non-native law students who must demonstrate adequate competence in the production and interpretation of hedged discourse.

Atomistic modeling of Ge damage accumulation, amorphization and solid phase epitaxial regrowth

En los últimos años, el Ge ha ganado de nuevo atención con la finalidad de ser integrado en el seno de las existentes tecnologías de microelectrónica. Aunque no se le considera como un canddato capaz de reemplazar completamente al Si en el futuro próximo, probalemente servirá como un excelente complemento para aumentar las propiedades eléctricas en dispositivos futuros, especialmente debido a su alta movilidad de portadores. Esta integración requiere de un avance significativo del estado del arte en los procesos de fabricado. Técnicas de simulación, como los algoritmos de Monte Carlo cinético (KMC), proporcionan un ambiente atractivo para llevar a cabo investigación y desarrollo en este campo, especialmente en términos de costes en tiempo y financiación. En este estudio se han usado, por primera vez, técnicas de KMC con el fin entender el procesado “front-end” de Ge en su fabricación, específicamente la acumulación de dañado y amorfización producidas por implantación iónica y el crecimiento epitaxial en fase sólida (SPER) de las capas amorfizadas. Primero, simulaciones de aproximación de clisiones binarias (BCA) son usadas para calcular el dañado causado por cada ión. La evolución de este dañado en el tiempo se simula usando KMC sin red, o de objetos (OKMC) en el que sólamente se consideran los defectos. El SPER se simula a través de una aproximación KMC de red (LKMC), siendo capaz de seguir la evolución de los átomos de la red que forman la intercara amorfo/cristalina. Con el modelo de amorfización desarrollado a lo largo de este trabajo, implementado en un simulador multi-material, se pueden simular todos estos procesos. Ha sido posible entender la acumulación de dañado, desde la generación de defectos puntuales hasta la formación completa de capas amorfas. Esta acumulación ocurre en tres regímenes bien diferenciados, empezando con un ritmo lento de formación de regiones de dañado, seguido por una rápida relajación local de ciertas áreas en la fase amorfa donde ambas fases, amorfa y cristalina, coexisten, para terminar en la amorfización completa de capas extensas, donde satura el ritmo de acumulación. Dicha transición ocurre cuando la concentración de dañado supera cierto valor límite, el cual es independiente de las condiciones de implantación. Cuando se implantan los iones a temperaturas relativamente altas, el recocido dinámico cura el dañado previamente introducido y se establece una competición entre la generación de dañado y su disolución. Estos efectos se vuelven especialmente importantes para iones ligeros, como el B, el cual crea dañado más diluido, pequeño y distribuido de manera diferente que el causado por la implantación de iones más pesados, como el Ge. Esta descripción reproduce satisfactoriamente la cantidad de dañado y la extensión de las capas amorfas causadas por implantación iónica reportadas en la bibliografía. La velocidad de recristalización de la muestra previamente amorfizada depende fuertemente de la orientación del sustrato. El modelo LKMC presentado ha sido capaz de explicar estas diferencias entre orientaciones a través de un simple modelo, dominado por una única energía de activación y diferentes prefactores en las frecuencias de SPER dependiendo de las configuraciones de vecinos de los átomos que recristalizan. La formación de maclas aparece como una consecuencia de esta descripción, y es predominante en sustratos crecidos en la orientación (111)Ge. Este modelo es capaz de reproducir resultados experimentales para diferentes orientaciones, temperaturas y tiempos de evolución de la intercara amorfo/cristalina reportados por diferentes autores. Las parametrizaciones preliminares realizadas de los tensores de activación de tensiones son también capaces de proveer una buena correlación entre las simulaciones y los resultados experimentales de velocidad de SPER a diferentes temperaturas bajo una presión hidrostática aplicada. Los estudios presentados en esta tesis han ayudado a alcanzar un mejor entendimiento de los mecanismos de producción de dañado, su evolución, amorfización y SPER para Ge, además de servir como una útil herramienta para continuar el trabajo en este campo. In the recent years, Ge has regained attention to be integrated into existing microelectronic technologies. Even though it is not thought to be a feasible full replacement to Si in the near future, it will likely serve as an excellent complement to enhance electrical properties in future devices, specially due to its high carrier mobilities. This integration requires a significant upgrade of the state-of-the-art of regular manufacturing processes. Simulation techniques, such as kinetic Monte Carlo (KMC) algorithms, provide an appealing environment to research and innovation in the field, specially in terms of time and funding costs. In the present study, KMC techniques are used, for the first time, to understand Ge front-end processing, specifically damage accumulation and amorphization produced by ion implantation and Solid Phase Epitaxial Regrowth (SPER) of the amorphized layers. First, Binary Collision Approximation (BCA) simulations are used to calculate the damage caused by every ion. The evolution of this damage over time is simulated using non-lattice, or Object, KMC (OKMC) in which only defects are considered. SPER is simulated through a Lattice KMC (LKMC) approach, being able to follow the evolution of the lattice atoms forming the amorphous/crystalline interface. With the amorphization model developed in this work, implemented into a multi-material process simulator, all these processes can be simulated. It has been possible to understand damage accumulation, from point defect generation up to full amorphous layers formation. This accumulation occurs in three differentiated regimes, starting at a slow formation rate of the damage regions, followed by a fast local relaxation of areas into the amorphous phase where both crystalline and amorphous phases coexist, ending in full amorphization of extended layers, where the accumulation rate saturates. This transition occurs when the damage concentration overcomes a certain threshold value, which is independent of the implantation conditions. When implanting ions at relatively high temperatures, dynamic annealing takes place, healing the previously induced damage and establishing a competition between damage generation and its dissolution. These effects become specially important for light ions, as B, for which the created damage is more diluted, smaller and differently distributed than that caused by implanting heavier ions, as Ge. This description successfully reproduces damage quantity and extension of amorphous layers caused by means of ion implantation reported in the literature. Recrystallization velocity of the previously amorphized sample strongly depends on the substrate orientation. The presented LKMC model has been able to explain these differences between orientations through a simple model, dominated by one only activation energy and different prefactors for the SPER rates depending on the neighboring configuration of the recrystallizing atoms. Twin defects formation appears as a consequence of this description, and are predominant for (111)Ge oriented grown substrates. This model is able to reproduce experimental results for different orientations, temperatures and times of evolution of the amorphous/crystalline interface reported by different authors. Preliminary parameterizations for the activation strain tensors are able to also provide a good match between simulations and reported experimental results for SPER velocities at different temperatures under the appliance of hydrostatic pressure. The studies presented in this thesis have helped to achieve a greater understanding of damage generation, evolution, amorphization and SPER mechanisms in Ge, and also provide a useful tool to continue research in this field.

Plan de implantación de una línea de tranvía en Valladolid

El trabajo consiste en la realización de un plan de implantación de un sistema tranviario en la ciudad de Valladolid. El documento memoria del plan se estructura según las fases de planificación de una actuación en transporte público: descripción y diagnóstico territorial, formulación de fines y objetivos, generación de un total de 8 alternativas, selección de alternativas mediante métodos multicriterio y evaluación de la rentabilidad socioeconómica de la inversión. Además, se incluyeron aspectos de sostenibilidad y planeamiento colaborativo en las distintas fases del proceso. Se empleó un software de Sistemas de Información Geográfica como herramienta básica para el diagnóstico y la evaluación multicriterio de las alternativas.

Plan de remodelación del sistema de transporte colectivo de Logroño

El proyecto tenía como objeto resolver ciertas ineficiencias del sistema actual así como la adaptación a cambios de la estructura urbana de la ciudad de Logroño. Para ello se siguieron las distintas fases de un proceso de planificación (descripción y diagnóstico del territorio y el sistema actual, formulación de fines y objetivos, generación de alternativas, selección de alternativas). Además, se incluyó un análisis económico así como unas directrices para la puesta en marcha del plan.

Invención e innovación tecnológica en el ciclismo en España a través de la documentación de patentes : 1826-1929

El objetivo general de esta investigación consiste en sacar a la luz un conjunto de documentos, los documentos de patentes presentadas en España, sobre un tema concreto, la bicicleta y el ciclismo, y durante un periodo determinado, 1826-1929, presentes en la Oficina Española de Patentes y Marcas (OEPM), organizando esta documentación para su posterior utilización por la comunidad científica. Para ello se han identificado y sistematizado las patentes referidas a la bicicleta, presentadas entre 1826 y 1929, realizando tablas de frecuencia que permitan extraer datos de su incidencia en la invención en el periodo considerado. Ello ha permitido conocer una serie de datos de los inventores, que, en definitiva son los creadores del desarrollo tecnológico en este campo, extrayendo, ordenando y categorizando la información sobre lugar de origen, tipo de inventor (empresa o particular), sexo, práctica de colaboración y profesión. Finalmente se ha estudiado el tipo de inventos, mostrando los sectores en los que se producen las invenciones, identificando si se han puesto en práctica, y determinando aspectos tales como su carácter de invención incremental, su posible consideración como invento raro y curioso, y su coexistencia con una marca registrada. El trabajo se inicia con la introducción seguida de un apartado en el que se presenta el marco teórico en el que se desarrolla la investigación, en una doble vía: en primer lugar el contexto de los documentos de patente, su relación con la innovación y su utilidad como fuentes de información, y en segundo lugar el marco de la invención en el ciclismo, presentando las fases esenciales de la evolución de la bicicleta (capítulo 2). En el marco metodológico (capítulo 3) se explican fuentes y metodología, presentando a continuación el diseño de la investigación, que se resume como sigue: 1- Determinación del universo de datos, 2- Consulta en el Archivo Histórico de la OEPM, 3- Diseño y creación de la base de datos propia, 4- Consulta de los expedientes y toma de imágenes, 5- Tratamiento y análisis de los datos, 6- Búsqueda de información en fuentes para patentes extranjeras, y 7- Consulta a la base de datos de Marcas de la OEPM. El capítulo 4 está dedicado a la investigación propiamente dicha, estructurado en tres grandes bloques. El primero recoge las cuantificaciones tabuladas del total de patentes y el análisis de determinados aspectos generales como la cronología de la invención y diversas comparaciones con resultados obtenidos en otros trabajos. El segundo bloque está centrado en los estudios de solicitantes de patentes, protagonistas de las invenciones. De ellos se contemplan una serie de datos extraídos de los expedientes, y posteriormente tabulados y cuantificados: su procedencia geográfica, su adscripción como empresas o solicitantes particulares, y sus datos de colaboración, finalizando el bloque con un apartado que dedicamos a la innovación femenina, que consideramos una línea de investigación interés. El tercer bloque, el más amplio de todos, está dedicado a la descripción y análisis de los datos referidos a los propios inventos, puesto que es la aplicación de los inventos lo que marca el desarrollo tecnológico de la máquina bicicleta, y su consiguiente evolución histórica y social. Se estructura asimismo en varias secciones. La primera es la más amplia, donde se muestran y explican los datos que tienen que ver con la adscripción de los inventos a sectores temáticos, es decir, que desarrolla las funciones o componentes de la bicicleta que han sido objeto de invención. Los apartados siguientes muestran datos y consideraciones sobre las patentes puestas en práctica, las invenciones incrementales, los inventos curiosos, y las patentes con posible marca registrada de su nombre. Finalmente, las conclusiones del estudio, el establecimiento de posibles líneas abiertas de investigación, la relación de fuentes consultadas y los anexos cerrarán la exposición de esta tesis. ABSTRACT The main goal of this research thesis is to shed light on a specific documentary record: patents presented in Spain, regarding a specific theme: bicycles and cycling, within a given period: 1826-1929. This record is organized for the ulterior use by the scientific community. In order to carry out this goal, the mentioned patents have been identified and systematized, and analyzed for frequency in order to infer the incidence of its invention in the period under consideration. This has brought to light some information on the inventors which are, after all, the creators in the technological development of that field. Their bibliographical information: origin, type of inventor (company or individual), gender, collaboration behavior and profession. Finally, the type of inventions has been studied, showing the sectors in which inventions are produced, whether these were transferred to practice, and other key information like the incremental nature of their invention, their possible consideration as ‘rare or curious invention’, and their coexistence with a registered trademark. This thesis is organized with an initial introduction, after which a section outlines the theoretical framework for the research along two axes: first the context of the patent documents, their relation with innovation and their usefulness as information sources; second, the invention of cycling and the development phases of bicycles. In the methodological section the sources and methodology are explained and reasoned, followed by the research design: 1-determination of the data universe, 2-consultation at the historical archive of the OEPM (National Patent Office), 3-design and creation of a database, 3-analysis of the files and image catchment, 5-treatment and analysis of data, 6-browsing of source information for foreign patents, and 7-consultation of the trademark information at the OEPM. Chapter 4 is dedicated to research itself, in three main sections. The first one has the quantification of the patent total in tables and the analysis of specific overall chronological aspects of the invention, and some comparisons with the results obtained in other research. The second section is centered on the studies of patent requests and inventors. Some data extracted from the files has been systematized: geographical origin, adscriptions as companies or individuals, and their collaboration data, ending with a sub-section on women’s invention, which we consider an interesting research line. The third section, the biggest one of them all, is dedicated to the description and analysis of the data referred to the inventions themselves, because it is the application of the inventions which constitutes the technological development of the bicycle, and therefore its historical and social evolution. It is also structured in various sub-sections. The first one is the longest one, with information regarding the thematic typology of the inventions: functions and bicycle components which are innovated. The other ensuing subsections study patents which were actually incorporated and used, incremental inventions, curious inventions and patents with possible associated trademarks. Finally, the study conclusions, the establishment of lines of potential further research, the references used, and the annexes which culminate the thesis exposition.

Sobre viajes y estructuras

Ensayo sobre la importancia del viaje en la formación del arquitecto e ingeniero en el ámbito de las estructuras.

Idas y venidas. Los viajes de arquitectura en España entre 1920 y 1960

Esta tesis se propone indagar en las vias por las que la arquitectura española cambió en el periodo comprendido entre 1920 y 1960 y el papel que los viajes tuvieron en dicho cambio. La investigación busca demostrar que, junto a otros factores como la llegada de revistas y libros y las conferencias de arquitectos de la talla de Le Corbusier, Gropius, Mendelsohn, Neutra o Aalto, los viajes tuvieron un papel clave en el proceso de apertura de miras y que provocó que, bien a traves de lo publicado en las revistas por los “arquitectos viajeros” o por el reflejo que tuvo lo conocido fuera de nuestras fronteras en proyectos y obras concretas, un buen numero de arquitectos, que no tuvieron la posibilidad de viajar, pudieron conocer que existía una realidad muy distinta a la que los profesores en la Escuela les habían enseñado o a la que estaban acostumbrados a ver en otros arquitectos de generaciones anteriores basada, en buena medida, en la recuperación de un estilo propio nacional centrandose en los historicismos. A lo largo de la investigación trataremos de ver que efecto produjo la apertura de fronteras y que papel tuvieron los viajes en dicho proceso. También nos centraremos en comprobar hasta qué punto cambió la manera de ver la arquitectura de los protagonistas del viaje y de aquellos que recibieron la información por ellos encontrada. Veremos cómo dicha información es cuantificable, clasificable y demostrable en propuestas concretas. Será importante ver que motivó su salida, que buscaban y que encontraron así como, entre las influencias recibidas, cuales tuvieron un mayor calado: las propuestas europeas o las americanas, y dentro de las primeras, las holandesas, las alemanas o las francesas. Los objetivos que se persigue conseguir son: contribuir a un mayor conocimiento de la arquitectura entre 1920 y 1960 a través de las conexiones internacionales y el ensanchamiento de horizontes, recopilar, clasificar y analizar todo el material obtenido relacionando los viajes con las biografías de los arquitectos protagonistas, estudiar qué interesa a los arquitectos españoles cuando van fuera y porqué (será importante ver quiénes de entre los arquitectos son más abiertos a las corrientes europeas y que motivó su salida en busca de nuevos lenguajes), ordenar las reflexiones que exponen los arquitectos a la vuelta de sus viajes y ver en que propuestas y de qué forma los arquitectos plasman lo encontrado en su búsqueda en el extranjero. Para conseguir estos objetivos estructuraremos la investigación en tres bloques: En el primero de ellos nos centraremos en profundizar como era la arquitectura española a principios del siglo XX. Para poder entender mejor las transformaciones que los viajes provocaron será necesario conocer cuál era la arquitectura predominante en estos años que, como veremos, consistía en la búsqueda de un estilo nacional propio dirigiendo su mirada al pasado. También veremos cómo un grupo de arquitectos (Palacios, Flórez, Torres Balbás o Anasagasti) fueron pioneros en el deseo de mirar fuera de nuestras fronteras así como dedicaremos especial atención a cómo era la formación en la Escuela. El segundo capítulo, que abarca desde principios de los años 20 hasta la Guerra Civil, tratará de demostrar la importancia que tuvo en el proceso de permeabilidad frente a las corrientes extranjeras los viajes que los arquitectos realizaron y que, sumados a la llegada de revistas y las visitas de los principales arquitectos modernos, provocaron una primera apertura como respuesta a los historicismos predominantes. Entre los arquitectos viajeros destacaremos las figuras de Fernando García Mercadal (incidiendo en su importancia como difusor de la arquitectura moderna), Rafael Bergamín, Ramón Sánchez Arcas y Luis Lacasa. También nos detendremos en ver la importancia que tuvieron las exposiciones (con especial atención a la de Artes Decorativas de París de 1925 y la de la Deutscher Werkbund en Stuttgart en 1927) que se realizaron estos años y como llegó la información a nuestro país. El tercer y último capítulo arranca con el periodo de posguerra, una época de transición pues los viajes que se realizaron fueron escasos y en la mayoría de las ocasiones no se llevaron a cabo en busca de nuevos caminos. Veremos cómo tras la Guerra y de la mano de la dictadura se produce, de la misma forma que en la Alemania nazi, una vuelta al interés por los historicismos de principios de siglo. Para entender mejor este periodo haremos un repaso a la obra de Luis Gutiérrez Soto por ser explicativa de lo cambiante de las corrientes arquitectónicas de estos años. Tras el análisis de los sucedido en posguerra nos dedicaremos a analizar, de la misma forma que en el primer periodo, la manera en que se produjo el rechazo al estilo nacional de nuevo gracias a la llegada de libros y revistas, lo publicado por las revistas españolas, las visitas de arquitectos de prestigio así como los viajes de un grupo de arquitectos que, de manera individual, salieron al extranjero en busca de apoyo, de referencias en los que cimentar su arquitectura. De este grupo, por la importancia que los propios protagonistas dieron al hecho de viajar como complemento a su formación y por la manera en la que reflejaron lo aprendido en proyectos concretos destacamos a Francisco de Asís Cabrero, Miguel Fisac, Ramón Vázquez Molezún y Francisco Javier Sáenz de Oiza. De nuevo, igual que en el primer capítulo finalizaremos la investigación dedicando un apartado a las exposiciones (fundamentalmente la Interbau de Berlín de 1957) celebradas en estos años. Para finalizar estableceremos las conclusiones que nos llevarán a comprobar hasta qué punto la arquitectura española en los periodos previo y posterior a la guerra cambió y en qué medida tuvieron importancia los viajes que los arquitectos españoles realizaron al extranjero en dicho cambio… ABSTRACT This thesis aims to look at the ways which Spanish architecture changed in the period between 1920 and 1960, and the way it was effected by travelling . The research will demonstrate that, together with other factors, such as the arrival of magazines, books, conferences and architects like Le Corbusier, Gropius, Mendelsohn, Neutra or Aalto, travelling played a key role in architecture. Also, it changed the way we look at architecture. Travelling, thanks to the published journals by "travelling architects” and the influence that they had - known beyond our borders in projects and concrete works, caused the arrival of a new type of architects. Even those who were not able to travel, knew that there was a very different reality than the reality the teachers at the school had taught them. Also, the “new reality” was different from the one that they were used to seeing in other architects of earlier generations, based mainly on the recovery of a national style focused on historicism. Throughout the investigation I will try to show the effect that the opening of borders and travelling had on this process. We will also focus on checking how it changed the way we see the architecture, from the point of view of the protagonists of the travels and those who received the information . We will see how that information is quantifiable and demonstrably classifiable into concrete proposals. It will be important to see which led to their departure. They sought and found among the influences, which had a major impact: the proposed European or American, and within the first, Dutch, German or French. The objectives to be achieved are: To contribute to a better understanding of architecture between 1920 to 1960 by the international connections, and widening the horizon. To collect, classify and analyze all obtained materials related to travelling with biographies of architects protagonists. To study what the interests of the Spanish architects were when they went abroad and why ( it will be important to see who among those architects were more open to European trends and prompted their departures for new languages). To order reflections exhibited by architects around his travels and to see what proposals and how architects reflected what they found in their search abroad. To achieve these objectives we will structure this research in three areas: In the first one, we will focus on how the Spanish architecture in the early twentieth century was. To better understand the changes that travelling caused it is necessary to understand that the predominant architecture in these years was in pursuit of its own national style, directing its gaze to the past, like we shall see. We will also see how a group of architects (Palacios, Flórez, Torres Balbás or Anasagasti) pioneered by looking beyond our borders and devote special attention to how the training was in the School. The second chapter, ranging from early 20s to the Civil War, will try to demonstrate the importance that travelling had in the process of diffusion currents. That, together with the arrival of magazines and visits by leading modern architects, led to a first opening in architecture, in response to the prevailing historicism. Among the travelers we highlight architects like Fernando García Mercadal (stressing his importance as a disseminator of modern architecture), Rafael Bergamín, Ramón Sánchez Arcas and Luis Lacasa. We will also stop to see the importance of exhibitions (with special attention to the Decorative Arts in Paris in 1925 and the Deutscher Werkbund in Stuttgart in 1927) that were held over the years and how the information came to our country . The third and final chapter starts with the post war period, a time of transition for the travels, which were scarce and in most cases were not conducted on new roads. We will see that after the war and with the dictatorship, a return to interest in historicism of the century occurred, just as in Nazi Germany. For better understanding of this period we will review the work of Luis Gutiérrez Soto. His work is explanatory of the changing of architectural trends over these years. After analyzing the case in post war, we turn to analyze, in the same way as in the first period, the manner in which rejection occurred in national style again with the arrival of books and magazines. Visits by prestigious architects and group travels of architects who, individually, went abroad in search of support, references on which to base their architecture. In this group of architects, due to the importance that the protagonists gave to the act of traveling to improve their training and the way in which they reflected what they learned in practical projects, I include Francisco de Asís Cabrero, Miguel Fisac, Ramon Vazquez Molezún and Francisco Javier Saenz de Oiza. Again, as in the first chapter, we will conclude the investigation dedicating a section to the exhibitions held in these years (mainly Interbau Berlin, 1957). Finally establishing conclusions lead us to see how far the Spanish architecture in the pre- and post -war periods changed and how much the trips were important to Spanish architects who performed abroad on the change...

Diario de viajes del segundo grupo, formado por los alumnos Higuera, Vindrell, Gestera, Rolando y Pere

Expedición a Colmenar Viejo-Expedición a Asturias-Grupo Santa Bárbara

Análisis comparativo de la generación de viajes en hospitales públicos.

La implantación de un nuevo hospital incrementa el tráfico de la zona y cambia el uso del suelo de las áreas cercanas a su localización. Para el planificador resulta de gran utilidad la aplicación de modelos matemáticos para estimar los viajes generados y poder prevenir los impactos negativos. Este trabajo tiene como objetivo principal examinar la concentración de viajes generados en cuatro hospitales seleccionados de Madrid y cinco hospitales brasileños, utilizando los modelos del ?Institute of Transportation Engenieers? ITE, comparados con los modelos desarrollados y con los flujos reales. Una vez realizado el análisis y aplicada la metodología comparativa, se han obtenido unos resultados distantes para el caso de los flujos reales en Madrid. En cambio, para los hospitales brasileños los modelos planteados se pueden aprovechar, sobre todo para la estimación de los viajes en vehículo privado.