Effects of radiation losses on very lean methane/air flames propagating upward in a vertical tube

The stationary upward propagation of a very lean methane/air flame in a long vertical tube open at the bottom and closed at the top is simulated numerically using a single overall chemical reaction to model combustion and assuming an optically thin gas and a transparent or non-reflecting tube wall to approximately account for radiation losses from CO2CO2 and H2OH2O. Buoyancy plays a dominant role in the propagation of these flames and causes a large region of low velocity of the burnt gas relative to the flame to appear below the flame front when the equivalence ratio is decreased. The size of this region scales with the radius of the tube, and its presence enhances the effect of radiation losses, which would be otherwise negligible for a standard flammability tube, given the small concentration of radiating species. Heat conduction is found to be important in the low velocity region and to lead to a conduction flux from the flame to the burnt gas that causes extinction at the flame tip for a value of the equivalence ratio near the flammability limit experimentally measured in the standard tube. The effect of radiation losses decreases with the radius of the tube. Numerical results and order-of-magnitude estimates show that, in the absence of radiation, a very lean flame front fails to propagate only after recirculation of the burnt gas extends to its reaction region and drastically changes its structure. This condition is not realized for the standard flammability tube, but it seems to account for the flammability limit measured in a tube of about half the radius of the standard tube.

Effects of soil management in vineyard on soil physical and chemical characteristics

Cover crops in Mediterranean vineyards are scarcely used due to water competition between the cover crop and the grapevine; however, bare soil management through tillage or herbicides tends to have negative effects on the soil over time (organic matter decrease, soil structure and soil fertility degradation, compaction, etc). The objective of this study was to understand how soil management affects soil fertility, compaction and infiltration over time. To this end, two bare soil techniques were compared, tillage (TT) and total herbicide (HT) with two cover crops; annual cereal (CT) and annual grass (AGT), established for 8 years. CT treatment showed the highest organic matter content, having the biggest amount of biomass incorporated into the soil. The annual adventitious vegetation in TT treatment (568 kg dry matter ha-1) that was incorporated into the soil, kept the organic matter content higher than HT levels and close to AGT level, in spite of the greater aboveground annual biomass production of this treatment (3632 kg dry matter ha-1) whereas only its roots were incorporated into the soil. TT presented the highest bulk density under the tractor track lines and a greatest resistance to penetration (at 0.2 m depth). AGT presented bulk density values (upper 0.4 m) lower than TT and penetration resistance in CT lower (at 0.20 m depth) than TT too. Effects of soil management in vineyard on soil physical and chemical characteristics - ResearchGate. Available from: http://www.researchgate.net/publication/268520480_Effects_of_soil_management_in_vineyard_on_soil_physical_and_chemical_characteristics [accessed May 20, 2015].

Design and Simulation of Deep Nanometer SRAM Cells under Energy, Mismatch, and Radiation Constraints

La fiabilidad está pasando a ser el principal problema de los circuitos integrados según la tecnología desciende por debajo de los 22nm. Pequeñas imperfecciones en la fabricación de los dispositivos dan lugar ahora a importantes diferencias aleatorias en sus características eléctricas, que han de ser tenidas en cuenta durante la fase de diseño. Los nuevos procesos y materiales requeridos para la fabricación de dispositivos de dimensiones tan reducidas están dando lugar a diferentes efectos que resultan finalmente en un incremento del consumo estático, o una mayor vulnerabilidad frente a radiación. Las memorias SRAM son ya la parte más vulnerable de un sistema electrónico, no solo por representar más de la mitad del área de los SoCs y microprocesadores actuales, sino también porque las variaciones de proceso les afectan de forma crítica, donde el fallo de una única célula afecta a la memoria entera. Esta tesis aborda los diferentes retos que presenta el diseño de memorias SRAM en las tecnologías más pequeñas. En un escenario de aumento de la variabilidad, se consideran problemas como el consumo de energía, el diseño teniendo en cuenta efectos de la tecnología a bajo nivel o el endurecimiento frente a radiación. En primer lugar, dado el aumento de la variabilidad de los dispositivos pertenecientes a los nodos tecnológicos más pequeños, así como a la aparición de nuevas fuentes de variabilidad por la inclusión de nuevos dispositivos y la reducción de sus dimensiones, la precisión del modelado de dicha variabilidad es crucial. Se propone en la tesis extender el método de inyectores, que modela la variabilidad a nivel de circuito, abstrayendo sus causas físicas, añadiendo dos nuevas fuentes para modelar la pendiente sub-umbral y el DIBL, de creciente importancia en la tecnología FinFET. Los dos nuevos inyectores propuestos incrementan la exactitud de figuras de mérito a diferentes niveles de abstracción del diseño electrónico: a nivel de transistor, de puerta y de circuito. El error cuadrático medio al simular métricas de estabilidad y prestaciones de células SRAM se reduce un mínimo de 1,5 veces y hasta un máximo de 7,5 a la vez que la estimación de la probabilidad de fallo se mejora en varios ordenes de magnitud. El diseño para bajo consumo es una de las principales aplicaciones actuales dada la creciente importancia de los dispositivos móviles dependientes de baterías. Es igualmente necesario debido a las importantes densidades de potencia en los sistemas actuales, con el fin de reducir su disipación térmica y sus consecuencias en cuanto al envejecimiento. El método tradicional de reducir la tensión de alimentación para reducir el consumo es problemático en el caso de las memorias SRAM dado el creciente impacto de la variabilidad a bajas tensiones. Se propone el diseño de una célula que usa valores negativos en la bit-line para reducir los fallos de escritura según se reduce la tensión de alimentación principal. A pesar de usar una segunda fuente de alimentación para la tensión negativa en la bit-line, el diseño propuesto consigue reducir el consumo hasta en un 20 % comparado con una célula convencional. Una nueva métrica, el hold trip point se ha propuesto para prevenir nuevos tipos de fallo debidos al uso de tensiones negativas, así como un método alternativo para estimar la velocidad de lectura, reduciendo el número de simulaciones necesarias. Según continúa la reducción del tamaño de los dispositivos electrónicos, se incluyen nuevos mecanismos que permiten facilitar el proceso de fabricación, o alcanzar las prestaciones requeridas para cada nueva generación tecnológica. Se puede citar como ejemplo el estrés compresivo o extensivo aplicado a los fins en tecnologías FinFET, que altera la movilidad de los transistores fabricados a partir de dichos fins. Los efectos de estos mecanismos dependen mucho del layout, la posición de unos transistores afecta a los transistores colindantes y pudiendo ser el efecto diferente en diferentes tipos de transistores. Se propone el uso de una célula SRAM complementaria que utiliza dispositivos pMOS en los transistores de paso, así reduciendo la longitud de los fins de los transistores nMOS y alargando los de los pMOS, extendiéndolos a las células vecinas y hasta los límites de la matriz de células. Considerando los efectos del STI y estresores de SiGe, el diseño propuesto mejora los dos tipos de transistores, mejorando las prestaciones de la célula SRAM complementaria en más de un 10% para una misma probabilidad de fallo y un mismo consumo estático, sin que se requiera aumentar el área. Finalmente, la radiación ha sido un problema recurrente en la electrónica para aplicaciones espaciales, pero la reducción de las corrientes y tensiones de los dispositivos actuales los está volviendo vulnerables al ruido generado por radiación, incluso a nivel de suelo. Pese a que tecnologías como SOI o FinFET reducen la cantidad de energía colectada por el circuito durante el impacto de una partícula, las importantes variaciones de proceso en los nodos más pequeños va a afectar su inmunidad frente a la radiación. Se demuestra que los errores inducidos por radiación pueden aumentar hasta en un 40 % en el nodo de 7nm cuando se consideran las variaciones de proceso, comparado con el caso nominal. Este incremento es de una magnitud mayor que la mejora obtenida mediante el diseño de células de memoria específicamente endurecidas frente a radiación, sugiriendo que la reducción de la variabilidad representaría una mayor mejora. ABSTRACT Reliability is becoming the main concern on integrated circuit as the technology goes beyond 22nm. Small imperfections in the device manufacturing result now in important random differences of the devices at electrical level which must be dealt with during the design. New processes and materials, required to allow the fabrication of the extremely short devices, are making new effects appear resulting ultimately on increased static power consumption, or higher vulnerability to radiation SRAMs have become the most vulnerable part of electronic systems, not only they account for more than half of the chip area of nowadays SoCs and microprocessors, but they are critical as soon as different variation sources are regarded, with failures in a single cell making the whole memory fail. This thesis addresses the different challenges that SRAM design has in the smallest technologies. In a common scenario of increasing variability, issues like energy consumption, design aware of the technology and radiation hardening are considered. First, given the increasing magnitude of device variability in the smallest nodes, as well as new sources of variability appearing as a consequence of new devices and shortened lengths, an accurate modeling of the variability is crucial. We propose to extend the injectors method that models variability at circuit level, abstracting its physical sources, to better model sub-threshold slope and drain induced barrier lowering that are gaining importance in FinFET technology. The two new proposed injectors bring an increased accuracy of figures of merit at different abstraction levels of electronic design, at transistor, gate and circuit levels. The mean square error estimating performance and stability metrics of SRAM cells is reduced by at least 1.5 and up to 7.5 while the yield estimation is improved by orders of magnitude. Low power design is a major constraint given the high-growing market of mobile devices that run on battery. It is also relevant because of the increased power densities of nowadays systems, in order to reduce the thermal dissipation and its impact on aging. The traditional approach of reducing the voltage to lower the energy consumption if challenging in the case of SRAMs given the increased impact of process variations at low voltage supplies. We propose a cell design that makes use of negative bit-line write-assist to overcome write failures as the main supply voltage is lowered. Despite using a second power source for the negative bit-line, the design achieves an energy reduction up to 20% compared to a conventional cell. A new metric, the hold trip point has been introduced to deal with new sources of failures to cells using a negative bit-line voltage, as well as an alternative method to estimate cell speed, requiring less simulations. With the continuous reduction of device sizes, new mechanisms need to be included to ease the fabrication process and to meet the performance targets of the successive nodes. As example we can consider the compressive or tensile strains included in FinFET technology, that alter the mobility of the transistors made out of the concerned fins. The effects of these mechanisms are very dependent on the layout, with transistor being affected by their neighbors, and different types of transistors being affected in a different way. We propose to use complementary SRAM cells with pMOS pass-gates in order to reduce the fin length of nMOS devices and achieve long uncut fins for the pMOS devices when the cell is included in its corresponding array. Once Shallow Trench isolation and SiGe stressors are considered the proposed design improves both kinds of transistor, boosting the performance of complementary SRAM cells by more than 10% for a same failure probability and static power consumption, with no area overhead. While radiation has been a traditional concern in space electronics, the small currents and voltages used in the latest nodes are making them more vulnerable to radiation-induced transient noise, even at ground level. Even if SOI or FinFET technologies reduce the amount of energy transferred from the striking particle to the circuit, the important process variation that the smallest nodes will present will affect their radiation hardening capabilities. We demonstrate that process variations can increase the radiation-induced error rate by up to 40% in the 7nm node compared to the nominal case. This increase is higher than the improvement achieved by radiation-hardened cells suggesting that the reduction of process variations would bring a higher improvement.

Effects of physical exercise and hydration on homocysteine concentrations in physically active male adults = Efectos del ejercicio físico y la hidratación sobre las concentraciones de homocisteína en varones físicamente activos

La presente tesis analiza el efecto del ejercicio físico agudo y la hidratación sobre las concentraciones de homocisteína total (tHcy) y su relación con los parámetros implicados en el metabolismo de la homocisteína como el folato, la vitamina B12, y la creatina en una muestra de varones jóvenes físicamente activos. El trabajo se basa en los resultados del estudio realizado en la Facultad de Ciencias de la Actividad Física y del Deporte de la Universidad Politécnica de Madrid. Para el cual se contó con un total de 29 voluntarios sanos físicamente activos de la Comunidad de Madrid. Los principales resultados de esta tesis son: a) Las concentraciones de tHcy aumentaron después del ejercicio agudo tanto tras una prueba de intensidad máxima (VO2max) como una submáxima (65 % of VO2max) en varones físicamente activos independientemente de las sus concentraciones basales de tHcy. b) Las concentraciones de tHcy disminuyeron 2 h después del ejercicio físico aeróbico submáximo tras aplicar un protocolo de hidratación con una bebida para deportistas. c) Un adecuado protocolo de hidratación durante el ejercicio físico agudo previno el aumento de las concentraciones de tHcy hasta 2 h después del ejercicio. d) Las concentraciones de tHcy aumentaron a las 6 h tras la finalización del ejercicio únicamente en los test en los que no se siguió un protocolo de hidratación durante el ejercicio físico. e) A las 24 h tras el ejercicio, las concentraciones de tHcy volvieron a los niveles basales independientemente de si se aplicó un protocolo de hidratación durante el ejercicio o no. f) Es necesario aclarar si existen mecanismos subyacentes relacionados con el riesgo cardiovascular debido al aumento transitorio de las concentraciones de tHcy inducidas por el ejercicio agudo. Se necesitan más estudios que analicen la relación entre las concentraciones de tHcy después del ejercicio físico agudo y la implicación de la creatina, vitamina B12 y folato como parámetros relacionados en el metabolismo de la homocisteína. El efecto agudo del ejercicio físico aumenta las concentraciones de tHcy por encima de los valores recomendados; sin embargo, un adecuado protocolo de hidratación mantiene las concentraciones a niveles basales y previene el posterior aumento en una muestra de varones adultos físicamente activos. ABSTRACT The current thesis analyzes the effect of exercise and hydration on total homocysteine (tHcy) concentrations and the relationship with the implicated parameters, like folate, vitamin B12, and creatine in physically active male adults. The work is based on the results of the study conducted at the Faculty of Physical Activity and Sport Sciences of the Technical University of Madrid. A total of 29 physically active voluntary healthy males from the Region of Madrid were recruited. The main outcomes of this thesis are: a) tHcy concentrations increased after acute exercise with both, maximal (VO2max) and submaximal (65 % of VO2max) tests in physically active male subjects independently of their baseline tHcy status. b) After 2 h of rehydration with a sport drink, tHcy concentrations, which had previously increased during an acute exercise, decreased significantly, although they didn´t recover to baseline values. c) An adequate hydration protocol during acute aerobic submaximal exercise prevents the increase of tHcy concentrations and maintains these concentrations at baseline up to 2 h post-exercise. d) Serum tHcy concentrations increased after submaximal exercise when the hydration protocol during exercise was not applied. Furthermore, tHcy concentrations reached maximal values 6 h after the end of exercise. e) At 24 h, tHcy concentrations recovered baseline values independently whether or not there was a hydration protocol during exercise. f) There is a need to clarify the underlying mechanisms related to cardiovascular risk due to the transient increase of tHcy concentrations induced by acute exercise. Further research analayzing the relationship between tHcy concentrations after acute exercise and the implication of creatine, vitamin B12 and folate as related parameters in the homocysteine metabolism is needed. Finally, tHcy concentrations increased above the recommended values after an acute aerobic submaximal exercise; nevertheless, a good hydration protocol maintains tHcy concentrations at baseline and prevents the further increase in a sample of physically active male adults.