Respuesta de puentes ante acciones sísmicas

El presente estudio tiene por objetivo la estimación, para un puente real, de la probabilidad anual de que dicha estructura sobrepase unos determinados estados límites utilizando el método SAC/FEMA. El estudio incorpora tanto los aspectos sismológicos, que llevan a establecer el movimiento probable que afectará a la estructura, como el modelado detallado de la misma y el estudio de su respuesta a dicho movimiento. El estudio de peligrosidad necesario para el desarrollo de la metodología anterior lleva a obtener los espectros de peligrosidad uniforme asociados a probabilidades de excedencia 2%, 10% y 50% en 50 años, y seleccionar en bases de datos registros coherentes con los correspondientes movimientos. Éstos niveles de solicitación se comparan con los equivalentes según el borrador de la Norma de Construcción Sismorresistente: Parte de Puentes (NCSE Puentes 2006), y se ponen de manifiesto las diferencias encontradas.

Diseño de un sistema automático de medida de la constante de Planck en diodos LED

En este proyecto fin de carrera se ha diseñado y construido un equipo de medida automático que permite realizar la medida de la constante de Planck utilizando los principios de Funcionamiento de los diodos LED. El equipo de medida es totalmente automático gracias a la utilización de una placa controladora Arduino MEGA 2560, que se encarga de realizar la iluminación secuencial de cada LED, medir sus tensiones de funcionamiento, y de realizar los cálculos necesarios para hallar la constante de Planck. Todos los datos se muestran por una pantalla LCD de 16 caracteres por 2 lineas. Para comprender el funcionamiento del sistema de medida automático se ha realizado un estudio detallado de cada uno de los sistemas que componen el equipo de medida. Se ha explicado el funcionamiento teórico de los diodos LED y el funcionamiento de los semiconductores. Se ha explicando los diversos tipos de semiconductores que se utilizan para los LED y las modificaciones que se les aplica para mejorar su eficiencia. Para poder comprender en qué consiste la constante de Planck se ha explicado los principios teóricos en que se basa, y se ha realizado una pequeña demostración de su cálculo. Una vez visto todos los principios teóricos se ha pasado a realizar la explicación de cada uno de los grandes bloques que componen el sistema de medida automático. Estos bloques son la placa controladora Arduino, el sistema de iluminación LED, el sistema de control mecánico de LEDs, la pantalla LCD, el sistema de interrupciones y el sistema de alimentación. Para poder observar el espectro de emisión de cada uno de los LED se ha utilizado un analizador de espectros óptico (OSA), el cual ha sido explicado con detenimiento. El código de programación de Arduino ha sido explicado en forma de diagrama de flujo para una mayor facilidad de comprensión. Se ha desarrollado un manual de usuario para facilitar el uso del sistema a cualquier usuario, en el que se ha introducido un ejemplo completo de funcionamiento. ABSTRACT. In this final Project has designed and built an automatic measuring equipment which is able to measure the Planck`s constant using the operation principles of the LEDs. The measuring equipment is fully automated thanks to the use of an Arduino Mega 2560 controller board, which is responsible for conducting sequential illumination of each LED, measure their operating voltages, and perform the necessary calculations of find the Planck constant. All data is displayed by a LCD screen 16 character by 2 lines. To understand the operation of the automatic measuring system has been made a detailed study of each of the systems that make the measurement equipment. It develops the theoretical performance of the LED and the operation of semiconductors. It explains the different types of semiconductors that are used for LEDs and the changes applied to improve efficiency. In order to understand what is the Planck constant has been explained the theoretical principles in which it is based, and a small demonstration of its calculation has been performed. After seeing all the theoretical principles has been made the explanation of each of the main blocks that compose the automatic measuring system. These blocks are the Arduino controller board, LED lighting system, the mechanical control system LEDs, LCD screen, the interrupt system and feeding system. To observe the emission spectrum of each of the LED has been used optical spectrum analyzer (OSA), which has been explained in detail. The Arduino programming code has been explained in flowchart form for an easy understanding. It has developed a manual to facilitate the use of system to any user, which has introduced a complete example of operation.

Tutoriales multimedia para sistemas de telecomunicación

Este Proyecto Fin de Carrera está destinado a la ilustración y aprendizaje del uso de varios dispositivos de los laboratorios del Departamento de Ingeniería Audiovisual y Comunicaciones, de la Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica de Telecomunicación, de la Universidad Politécnica de Madrid, en forma de vídeos tutoriales basados en mediciones y prácticas habituales de las asignaturas del departamento para que puedan ser utilizados por los alumnos de la escuela como apoyo a las explicaciones del profesor en ocasiones puntuales. En concreto se han realizado hasta seis vídeos tutoriales en los que se explica: el diseño de un circuito impreso y la creación y fabricación de éste. Por otro lado, también se ha explicado el fenómeno del ruido de fase y cómo es el proceso de su medida, como una de las muchas características de un analizador de espectros. A modo de análisis, se ha realizado otro tutorial acerca de la modulación en FM, sus características y sus aplicaciones. Por último se ha hecho un estudio del comportamiento de un analizador de redes, exponiendo su funcionamiento y explicando su proceso de calibración. Para la realización de estos tutoriales se han utilizado diferentes aplicaciones sobre creación de vídeos multimedia, animación, producción de audio y narración. En especial se han usado: Sprint-Layout 5.0, Adobe Flash Professional CS5.5, Camtasia studio 7, Corel VideoStudio Pro X4, Loquendo TTS7 y WinPlot. Para el apartado de las grabaciones de las diferentes escenas se ha necesitado el uso de distintos instrumentos de medida del laboratorio tales como: analizador de espectros, analizador de redes, generador de señal, generador de funciones, osciloscopio y otros equipos adicionales como: cámara de vídeo y trípode del departamento. Para la composición de los diferentes tutoriales se ha comenzado creando un guion, para cada uno de ellos, estableciendo la aparición de las imágenes, vídeos, y locución. A continuación se exponen los diferentes temas en los que se han basado estos tutoriales de laboratorio, uno a uno. ABSTRACT. This Project is destined to learn the use of several devices at the laboratory of “Ingeniería Audiovisual y Comunicaciones” Department at “Escuela Universitaria de Ingeniería técnica de Telecomunicaciones” of “Universidad Politécnica de Madrid”, on the way as tutorial videos base on the subjects from this department to be used by the college students as help of the teacher’s explanations. In this project you will find up to six tutorial videos, showing: printed circuit design, printed circuit board manufacture. You can also find an explanation about the phenomenon of phase noise and how it’s its measurement process, as one of the many features of a spectrum analyzer. Another tutorial video is based on FM modulation, its features and applications. The last tutorial explains the networks analyzer functionalities and its calibration process. To carry out these tutorials different applications have been used to create multimedia videos, animation, audio production and storytelling. Such as Sprint Layout 5.0, Camtasia 7.0, Corel VideoStudio Pro X4, Adobe Flash Professional CS5.5, Loquendo TTS7 y WinPlot. About the recording side of the different scenes, several equipment have been required at the laboratory, such as spectrums analyzer, signal generator, oscilloscope, function generator, network analyzer and other additional devices, such as: a video camera with its tripod. The composition of the different tutorials has begun creating a script, for each of them, setting the times of appearance of images, video, speech and music. After this abstract, the different topics of the tutorials are showed, one by one.

Clasificación de pimentones por índices de calidad espectrofotométricos. (Técnicas espectrofotométricas para la determinación de la calidad del pimentón).

Existe la necesidad de disponer de sistemas objetivos y rápidos para la determinación de la calidad de los productos agrícolas. Los sistemas ópticos y espectrofotométricos se han presentado como muy válidos para estos fines en muchos productos (Mohsenin, 1984) (tomates, peras, manzanas, patatas, carnes, huevos...) esto justifica el uso de estos métodos sobre nuevos materiales. Las restricciones impuestas a los colorantes artificiales por las nuevas legislaciones favorecen el consumo de colorantes de origen natural, como el pimentón. Es necesario encontrar un sistema rápido y eficaz que determine la calidad de este producto de creciente interés, (Mínguez, 1992; Conrad, 1987; Nagle 1979; Navarro y Costa, 1993 ). Además existen graves problemas en la comercialización de este producto por la poca transparencia del mercado. Se han producido, en los últimos años, importaciones de pimentón de Marruecos de muy baja calidad y precio, que se mezclaban con pequeñas proporciones de pimentón de humo, comercializándose como pimentón de alta calidad y a precios similares al pimentón producido en la Vera por el sistema tradicional, lo que supone un fraude. Es por tanto necesario encontrar un sistema que discrimine producto de alta calidad ( con color atractivo, alto nivel de carotenoides y alta estabilidad ) de pimentones de baja calidad o dañados ( por exceso de calor durante el secado, enranciamiento, etc.). El objetivo de este trabajo ha sido segregar diversas calidades de pimentón, para esto se disponía de pimentones procedentes de Extremadura, de líneas seleccionadas obtenidas por el SIA, secados por el método tradicional (humo) y con estufa, incluyendo muestras que presentan daños por quemado. Sin ningún conocimiento previo se ha trabajado sobre espectros de reflexión en VIS y NIR a los que se han aplicado ciertas transformaciones para la obtención de variables que fueran capaces de discriminar pimentones secados con humo de los secados con estufa y de los quemados. Realizando reiterados estudios estadísticos se ha llegado a establecer algunas variables útiles en la separación de estas tres clases, para ambos rangos del espectro.

Tecnología de la información y las comunicaciones: perspectiva científica

Las tecnologías de la información y las comunicaciones cubren en nuestros días uno de los espectros más amplios de conocimiento tecnológico existente dentro del extenso campo conocido hoy como de las tecnologías emergentes, nuevas tecnologías o tecnologías punta. Su amplio desarrollo se ha debido, como será detallado más adelante, a su capacidad de servir, por una parte, de soporte básico para el desarrollo de casi todo el resto de las otras tecnologías y, por otra, a su propia capacidad de incidir directamente sobre un amplio segmento socioeconómico con amplias repercusiones, no sólo sobre su propia área de trabajo, sino sobre muchas otras como la Economía, la Calidad de Vida de los ciudadanos e, incluso, sobre el Medio Ambiente. Todo ello ha hecho que, en las últimas décadas, una gran parte del esfuerzo de investigación y desarrollo de los países más avanzados se haya centrado en este segmento tecnológico, sin que los periódicos altibajos a que se ha visto sometido el Sistema Ciencia y Tecnología a lo largo de estos años hayan apenas afectado a su ritmo de crecimiento. Sus repercusiones que serán analizadas brevemente en las próximas páginas, han alcanzado un nivel tal que hoy es imposible hablar de una sociedad desarrollada sin detallar su nivel tecnológico en este área. Por ello resulta imprescindible el realizar un estudio lo más detallado posible de cuál es la situación presente de las tecnologías de la información y las comunicaciones y de cuáles son las tendencias para un próximo futuro, si se pretende hacer un planteamiento realista de la evolución global de la tecnología considerada ésta en un sentido amplio y dependiente, como ya se ha dicho antes, de la evolución de éstas.

Detección de azúcares en vinos y mostos mediante espectrofotometría en NIR.

En el proceso de vinificación un aspecto de vital importancia es el control periódico de la concentración de azúcares durante la etapa de fermentación del mosto. Los métodos tradicionales de análisis en laboratorio, si bien son suficientemente precisos, conllevan un importante gasto de material y tiempo, y sólo proporcionan medidas discretas a lo largo del proceso de fermentación. En investigaciones recientes se ha aplicado el NIR espectrofotometría en el infrarrojo cercano a la predicción de los azúcares en distintos productos agrícolas (Bellón, V. l993, en manzanas; Barreiro. P. 1996, en tomates. El objetivo de este trabajo fue el desarrollo de un modelo de estimación del contenido de azúcares disueltos en el mosto, y el establecimiento de un sistema de predicción de la evolución de la fermentación. Mediante un espectrofotómetro con detector en el área del infrarrojo cercano (NIR) y un la medida de la transmisión de luz conducida por fibras ópticas, se adquirieron los datos espectrales de los mostos y vinos en fermentación controlada. Análisis matemáticos y estadísticos posteriores (transformación de los espectros, análisis de componentes principales y regresiones multilineales condujeron al establecimiento del modelo de estimación de los azúcares (con precisión de ±2,5 g/1). Los modelos desarrollados permiten la implantación de un sistema de toma de datos continuo en las cubas de fermentación de una bodega, para el control sistemático en tiempo real del proceso de elaboración del vino.

Aplicación de imagen hiperespectral para observar el efecto de la salinidad en hojas de lechuga.

La salinización en suelos de cultivos es un fenómeno muy relevante en el Sureste español que se produce por el empleo de aguas de riego salinas o de mala calidad. La lechuga (Lactuca sativa L.) es uno de los cultivos hortícolas de mayor implantación en esta área, destinándose principalmente para consumo en fresco y en productos cuarta gama. La salinidad puede afectar a la productividad y calidad del cultivo, sin embargo, en determinadas concentraciones investigaciones previas muestran que la salinidad puede favorecer la conservación de las hojas tras el corte, disminuyendo los procesos de degradación enzimática y el desarrollo de microorganismos. El objetivo del presente trabajo es evaluar la viabilidad de la imagen hiperespectral (400 a 1000 nm) para identificar la influencia del estrés salino en lechuga ?baby? recién recolectada. Para ello, se han adquirido imágenes de 40 hojas de diferentes lechugas sometidas a tres soluciones salinas diferentes y a una solución control. Dichas imágenes fueron sometidas a preprocesado de espectros (suavizado con el algoritmo Savitsky-Golay + normalización SNV), combinado con Análisis de Componentes Principales. Las imágenes virtuales de scores generadas con el modelo muestran diferencias progresivas en los valores asignados a los píxeles de las imágenes a medida que aumenta la concentración salina de la solución aplicada al cultivo. Se observa cómo la solución salina afecta a la hoja cambiando la coloración de las zonas medias, posiblemente debido a la concentración de solutos. La interpretación de los loadings de estos modelos permite conocer cómo afecta la salinidad al comportamiento espectral de las hojas. La imagen hiperespectral puede tener un gran potencial para identificar los límites de salinidad tolerados y evitar concentraciones tóxicas que afecten negativamente la vida útil de las hortalizas de hoja. Este conocimiento permitirá desarrollar índices multiespectrales capaces de identificar hojas afectadas por salinidad durante su cultivo y procesado postcosecha.

Aplicación de la imagen hiperespectral para la detección de contaminación microbiana en espinaca fresca envasada.

La seguridad alimentaria de hortalizas de hoja puede verse comprometida por contaminaciones microbianas, lo que ha motivado la promoción mundial de normas de seguridad en la producción, el manejo poscosecha y el procesado. Sin embargo, en los últimos años las hortalizas han estado implicadas en brotes de Escherichia coli, Salmonella spp y Listeria monocytogenes, lo que obliga a plantear investigaciones que posibiliten la detección de contaminación por microorganismos con técnicas rápidas, no destructivas y precisas. La imagen hiperespectral integra espectroscopia e imagen para proporcionar información espectral y espacial de la distribución de los componentes químicos de una muestra. Los objetivos de este estudio fueron optimizar un sistema de visión hiperespectral y establecer los procedimientos de análisis multivariante de imágenes para la detección temprana de contaminación microbiana en espinacas envasadas (Spinacia oleracea). Las muestras de espinacas fueron adquiridas en un mercado local. Se sometieron a la inoculación mediante la inmersión en suspensiones con poblaciones iniciales de 5 ó 7 unidades logarítmicas de ufc de una cepa no patógena de Listeria innocua. Después de 15 minutos de inoculación por inmersión, las hojas fueron envasadas asépticamente. Se consideró un tratamiento Control-1 no inoculado, sumergiendo las espinacas en una solución tampón (agua de peptona) en lugar de en solución inoculante, y un tratamiento Control-2 en el que las hojas no se sometieron a ninguna inmersión. Las muestras se almacenaron a 8ºC y las mediciones se realizaron 0, 1, 3, 6 y 9 días después de inocular. Cada día se determinaron los recuentos microbianos y se adquirieron las imágenes con una cámara VIS-NIR (400-1000 nm). Sobre los gráficos de dispersión de los scores de PC1 y PC2 (análisis de componentes principales computados sobre las imágenes hiperespectrales considerando el rango de 500-940 nm) se reconocieron diferentes patrones que se identificaron con niveles de degradación; así se seleccionaron píxeles que conformaron las clases de no degradados, semi-degradados y degradados. Se consideraron los espectros promedio de cada clase para asignar los píxeles anónimos a una de las tres clases. Se calculó la distancia SAM (Spectral Angle Mapper) entre el espectro promedio de cada categoría y cada espectro anónimo de las imágenes. Cada píxel se asignó a la clase a la que se calcula la distancia mínima. En general, las imágenes con los porcentajes más altos de píxeles levemente degradados y degradados correspondieron a contenidos microbiológicos superiores a 5 unidades logarítmicas de ufc.

Modelización de las propiedades radiativas e interacción de láseres ultraintensos con la materia

Desde el año 2004 el código ARWEN ha sido utilizado con éxito para simular y diseñar experimentos relacionados con blancos para fusión por confinamiento inercial [146], astrofísica de laboratorio [145], plasmas como amplificadores de láseres de rayos X [107] o plasmas creados por láser para la medición de espectros de transmisión. Para la realización de estas simulaciones es necesario, además de métodos de alto orden precisos y que presenten buenas propiedades conservativas, conocer ciertas propiedades de los plasmas. En el caso de la fluidodinámica y la conducción electrónica necesitaremos conocer la ecuación de estado [94, 49, 36], y para el transporte de la radiación será preciso disponer de los datos de absorción y emisión [104, 95, 40]. Hasta el año 2009 ARWEN dependía de códigos externos para la generación de estas tablas de opacidad, careciendo de control sobre los métodos empleados para su generación. Además estos códigos asumían equilibrio local termodinámico (LTE), limitando su validez a rangos de alta densidad y baja temperatura. En el marco de esta tesis se ha desarrollado el código BIGBART para la generación de tablas detalladas de opacidad y emisividad para su uso en el módulo de transporte de radiación. De esta forma el grupo dispondrá de su propia herramienta de generación de propiedades radiativas. El código desarrollado es capaz de tratar plasmas en estado fuera de equilibrio (non-LTE) mediante el modelo colisional-radiativo, extendiendo así el rango de validez de las tablas generadas. El trabajo desarrollado para implementar un código LTE/non-LTE estacionario es el siguiente Cálculo de estructura y datos atómicos. Se ha acoplado en código FAC a BIGBART, incorporando la capacidad para generar potenciales atómicos para una configuración y el cálculo de funciones de onda de electrones en orbitales ligados y libres. Aproximaciones y métodos para la obtención de tasas y secciones eficaces de procesos. Se han incluido y programado los modelos implementados en FAC para el cálculo de secciones eficaces de fotoionización, y tasas de decaimiento de emisión espontánea y autoionización. Además se ha incluido el modelo Plane-Wave Born (PWBA) para el cálculo de las secciones eficaces de ionización y excitación colisional. Modelos para la obtención de la distribución de estados iónicos dentro del plasma. Se ha programado un solver LTE basado en la ecuación de Saha-Boltzmann con efectos de ionización por presión debida a los iones adyacentes. También se ha implementado un modelo non-LTE colisionalradiativo para la resolución del sistema de ecuaciones que nos permite obtener la densidad de estados iónicos fuera de equilibrio. Modelo non-LTE RADIOM. Se ha implementado el modelo RADIOM para aproximar efectos de no-equilibrio mediante cálculos LTE a una temperatura equivalente, menor o igual que la temperatura electrónica real. Cálculo de las propiedades espectrales de absorción y emisión. Se han implementado los modelos para el cálculo de los perfiles espectrales de absorción y emisión para procesos entre niveles ligados, ligado-libre y librelibre. Aprovechando el trabajo realizado en este sentido, durante el transcurso de esta tesis se amplió el código BIGBART para tratar problemas con dependencia temporal. La extensión para tratar este tipo de problemas se orientó a la simulación numérica de la interacción de láseres ultra intensos en el rango XUV/rayos X. Para ello, además de adaptar el modelo non-LTE colisionalradiativo se incluyeron procesos adicionales asociados a la interacción de la materia con fotones altamente energéticos. También se han incluido modelos para el cálculo de las propiedades ópticas, y por ende las propiedades dieléctricas de la materia irradiada, de gran interés en algunas aplicaciones novedosas de estos láseres intensos. Debido a la naturaleza fuertemente fuera de equilibrio en la interacción de fotones de alta energía con la materia, se incluyó el tratamiento de la distribución de electrones libres fuera de equilibrio en la aproximación de Fokker-Planck, tanto para condiciones degeneradas como no degeneradas. El trabajo desarrollado en el código non-LTE con dependencia temporal es el siguiente Procesos asociados a láseres intensos XUV/rayos X. Se ha implementado el cálculo de procesos radiativos estimulados de absorción y emisión por el láser. También se han incluido procesos asociados a la creación de vacantes en capas internas electrónicas (Shake), además de doble autoionización y doble fotoionización. Cálculo de propiedades ópticas y dieléctricas en blancos sólidos. Se ha implementado un modelo para la absorción por bremsstrahlung inverso en blancos en estado sólido. Con el coeficiente de extinción debido a procesos de fotoabsorción resonante, fotoionización y bremsstrahlung inverso se obtiene el ´ındice de refracción mediante la relación de Kronig-Kramers. Electrones fuera de equilibrio. Se ha tratado la evolución de la distribución de electrones, cuando no está justificado asumir que es Maxwelliana o de Fermi-Dirac, mediante la aproximación de Fokker-Planck para la colisión entre electrones libres. En la resolución de la ecuación de Fokker-Planck se han incluido los procesos inelásticos por colisiones con iones y términos fuente por interacción con el láser y otros procesos. ABSTRACT Since 2004 the ARWEN code has been successfully used to simulate and design targets for inertial confinement fusion experiments [146], laboratory astrophysics [145], plasmas as X-ray lasers amplifiers [107] or laser created plasmas for measuring transmission spectra. To perform these simulations it is necessary, in addition to high order precise methods with good conservative properties, to know certain properties of plasmas. For fluid dynamic and electronic conduction we need to know the equation of state [94, 49, 36], and for radiation transport it will be necessary to have the data of the absorption and emission [104, 95, 40]. Until 2009 ARWEN depended on external codes to generate these opacity tables, lacking of control over the methods used for their generation. Besides, these codes assumed local thermodynamic equilibrium (LTE), limiting their validity ranges to high densities and low temperatures. As part of this thesis it has been developed the BIGBART code for generating detailed opacity and emissivity tables for use in the radiation transport module. This group will have its own tool for the generation of radiative properties. The developed code is capable of treating plasmas out of equilibrium (non-LTE) by means of a collisional-radiative model, extending the range of validity of the generated tables. The work to implement an LTE/non-LTE steady-state code is as follows Calculation of structure and atomic data. the FAC code was coupled to BIGBART, incorporating the ability to generate atomic potentials for calculating configuration wave functions for bound and free electrons. Approaches and methods for obtaining cross sections and processes rates. We have included and reprogrammed in Fortran the models implemented in FAC for calculation of photoionization cross sections and decay rates of spontaneous emission and autoionization. We also included the Plane- Wave Born (PWBA) model to calculate the cross sections of ionization and collisional excitation. Models for the obtention of the distribution of ionic states within the plasma. We programmed a LTE solver based on the Saha-Boltzmann equation with pressure ionization effects due to adjacent ions. It has also been implemented a non-LTE collisional-radiative model for solving the system of equations that allows us to obtain the density of ionic states out of equilibrium. Non-LTE RADIOM model. We have implemented the non-LTE RADIOM model to approximate non-equilibrium effects with LTE data at an equivalent temperature, lower or equal to the actual electronic temperature. Calculation of the spectral absorption and emission properties. Models have been implemented for the calculation of the spectral profiles of absorption and emission processes between bound levels, free-bound and free-free. Taking advantage of the work done in this direction throughout the course of this thesis the code BIGBART was extended to treat time-dependent problems. The extension to treat such problems is oriented to the numerical simulation of the interaction of ultra intense lasers in the XUV/X-ray range. For this range, in addition to adapting the non-LTE collisional-radiative model, additional processes associated with the interaction of matter with high energy photons. We also included models for calculation of the optical properties, and therefore the dielectric properties of the irradiated material, of great interest in some novel applications of these intense lasers. Due to the strong non-equilibrium nature of the interaction of high energy photons with matter, we included the treatment of the distribution of free electrons out of equilibrium in the Fokker-Planck approximation for both degenerate and non-degenerate conditions. The work in the non-LTE time-dependent code is as follows Processes associated with intense XUV/X-ray lasers. We have implemented the calculation of stimulated radiative processes in absorption and emission. Also we included processes associated with the creation of electronic vacancies in inner shells (Shake), double autoionization and double photoionization. Calculation of optical and dielectric properties in solid targets. We have implemented a model for inverse bremsstrahlung absorption in solid targets. With the extinction coefficient from resonant photoabsorption, photoionization and inverse bremsstrahlung the refractive index is obtained by the Kramers-Kronig relation. Electrons out of equilibrium. We treat the evolution of the electron distribution, when it is not justified to assume a Maxwellian or Fermi-Dirac distribution, by the Fokker-Planck approximation for collisions between electrons. When solving the Fokker-Planck equation we included inelastic collision processes with ions and source terms by interaction with the laser and other processes.

Empleo de la espectroscopia VIS NIR para la identificación de trazas de cacahuete en productos alimentarios en polvo

En el mundo existen ciertos grupos de población que muestran una hipersensibilidad a determinados alimentos, y cuya ingestión accidental desencadena, una respuesta del tipo “shock” anafiláctico. Esto ha obligado a las empresas alimentarias a estudiar de forma exhaustiva la gestión del riesgo de todos sus productos. El cacahuete es uno de los principales alérgenos en la industria. La espectroscopia NIR se ha utilizado recientemente para analizar la cantidad total de aceite y ácido grasos en cacahuete intacto (Sudaram y colaboradores, 2012). El objetivo de este trabajo es estudiar métodos no destructivos basados en espectroscopia para la detección de trazas de cacahuete en alimentos en polvo, como complemento al método genético reacción en cadena de la polimerasa en tiempo real (Real Time -PCR) desarrollado por el grupo de investigación TRADETBIO de la UCM, en el marco de colaboración en el Campus de Excelencia Internacional Moncloa. Los materiales utilizados fueron cacahuetes de cinco variedades de origen geográfico distinto y sometidas a diferentes tratamientos, proporcionadas por el Instituto de Materiales de Referencia CE, así como leche en polvo, cacao, harina de trigo, y cacahuete de diferentes marcas comerciales. Para todos ellos, se adquirieron dos series de espectros: en el infrarrojo cercano NIR (896-1686 nm), y los extraídos de imágenes hiperespectrales HIS (400-1000nm). La espectroscopia VIS se mostró sensible a las diferencias en el cacahuete en cuanto a su origen y/o tratamiento, ya que inducen cambios en el color, siendo inviable la separación entre los cacahuetes blanqueados, la leche y la harina en esta región espectral. Las principales diferencias entre los cacahuetes y el resto de ingredientes alimentarios se han encontrado en el rango NIR, específicamente en las longitudes de onda de (1207-1210 nm), relacionadas con una región de absorción de los lípidos. El infrarrojo permite 100% de segregación de cualquier tipo de cacahuete respecto al resto de los ingredientes alimentarios. La espectroscopia NIR combinada con las técnicas de imagen (hiperespectral o multiespectral) podría por tanto, ser aplicado para detectar trazas de cacahuetes en alimentos en polvo, no influyendo su origen y/o tratamiento, ya que es capaz de separar cualquier cacahuete del resto de los ingredientes alimentarios. Este método podría ser una técnica de cribado previo al método PCR de elevado coste.

Aeroacoustics in high speed trains

Este trabajo se centra en el estudio de problemas aeroacústicos en los trenes de alta velocidad. Se han considerado dos escenarios en los que las ondas de presión generadas son críticos para el confort de los pasajeros. Uno es el debido a las ondas de presión que genera el tren cuando entra y sale de un túnel, que a su vez producen saltos de presión de baja frecuencia en el tren (cuando se cruzan con él) y en los alrededores del túnel cuando alcanzan la salida. Se estudia este fenómeno, y se propone un sistema aeroelástico basado en el galope transversal para disminuir la energía de estas ondas, y se analiza la energía extraíble de las ondas utilizando cuerpos con diferentes secciones transversales [Sorribes-Palmer and Sanz-Andres, 2013]. La influencia de la geometría de los portales en la energía radiada hacia el exterior de túnel es analizada experimentalmente, prestando especial atención a las boquillas porosas. Las ondas de presión en el interior del túnel se han analizado mediante el método de las características. Se han realizado ensayos experimentales para estimar la energía reflejada hacia el interior del túnel al alcanzar las ondas de presión el portal de salida del túnel. Se ha estudiado la formación e interacción entre el portal del túnel y la onda de choque generada en los túneles de gran longitud y pequeña fricción. Se propone un método para describir de forma aproximada el ruido radiado al exterior. Por otro lado se ha estudiado el ruido de media y alta frecuencia de origen aerodinámico. Se ha estudiado la influencia del desprendimiento de la capa límite sobre el tren. Se propone una metodología basada en una sección de tren característica para predecir rápidamente el nivel de presión de sonido dentro y fuera del tren para todo el rango de frecuencias. Se han realizado medidas experimentales en vía de los espectros de presión sobre la superficie del tren, y de la transmisibilidad de las uniones entre estructura y revestimiento. Los resultados experimentales se han utilizado en los modelos vibroacústicos. El método de la sección del tren característica es especialmente útil a altas frecuencias cuando todo el tren se puede modelar mediante el ensamblaje de diferentes secciones características utilizando el análisis estadístico de la energía. ABSTRACT This work is focused on the study of aeroacoustic problems in high speed trains. We have considered two scenarios in which the pressure waves generated are critical for passengers comfort. The first one is due to the pressure waves generated by a train entering in a tunnel. These waves generate pressure gauges inside the train (when they find each other) and outside of the tunnel portals. This phenomenon has been studied, and an aeroelastic system based on transverse galloping to reduce the energy of these waves is proposed. The maximum extractable energy by using bodies with different cross-section shapes is analyzed. The influence of the portals geometry in the energy radiated outwards the tunnel is analyzed experimentally, with particular attention to the porous exits. The pressure waves inside the tunnel have been analyzed using the method of characteristics. Experimental tests to estimate the energy reflected into the tunnel when the pressure waves reach the tunnel portal have been performed. We have studied the generation and interaction between the tunnel portal and a shock wave generated in long tunnels with small friction. A method to describe in an approximated way the pressure radiated outside the tunnel is proposed. In the second scenario, middle and high frequency noise generated aerodynamically has been studied, including the influence of the detachment of the boundary layer around the train. A method based on a train section to quickly predict the sound pressure level inside and outside the train has been proposed. Experimental test have been performed on board to evaluate the pressure power spectra on the surface of the train, and the transmissibility of the junctions between the structure and trim. These experimental results have been used in the vibroacoustic models. The low frequency pressure waves generated with the train during the tunnel crossing has been identified in the pressure spectrum. The train characteristic section method is especially useful at high frequencies, when the whole train can be modeled by assembling different sections using the statistical energy analysis. The sound pressure level inside the train is evaluated inside and outside the tunnel.

Detección de fatiga en material compuesto por técnica no destructiva

El objetivo de este proyecto es evaluar una técnica de inspección de no contacto para relacionar el daño acumulado por fatiga en compuestos de fibra de carbono con su rugosidad superficial. El crecimiento en el uso y la producción de compuestos de fibra de carbono hace que el conocimiento de las diferentes propiedades como el daño en fatiga sean importantes para el futuro de la industria. El estudio de la fatiga del material se ha realizado aplicando espectros de carga variable de la industria aeronáutica, de carga variable, a probetas de fibra de carbono. La inspección de la rugosidad se realizó con un microscopio confocal tras cada tramo aplicado del espectro de carga. Por último se evaluaron la caída de la rigidez por fatiga y la variación de la rugosidad relacionada por los ciclos. Los resultados muestran que existe un aumento de ambas magnitudes a lo largo de los ciclos de carga. También se puede apreciar que hay una tendencia al relacionar la evolución de la rigidez y el aumento de la rugosidad. Esto da a entender que existe relación entre la rugosidad y la degradación interna del material a medida que la fatiga se hace presente en el mismo. Con todo ello los resultados confirman que se podrá desarrollar un método de inspección no destructivo y barato para el proceso de reemplazo de piezas de fibra de carbono.

Propiedades Ópticas de los Materiales Activos en Diodos Láser con Confinamiento Cuántico

En esta tesis se recoge el trabajo experimental realizado para la caracterización de las propiedades ópticas en diodos láser construidos con estructuras basadas en pozos cuánticos (QW) y puntos cuánticos (QD). Las propiedades que se han estudiado en estos dispositivos son los espectros de ganancia, ganancia diferencial, índice diferencial y factor de ensanchamiento de línea (LEF). La comprensión de estas propiedades es de especial importancia para el diseño de nuevos diodos láser destinados a ser utilizados en aplicaciones exigentes como son las comunicaciones ópticas o aplicaciones médicas. El estudio se ha llevado a cabo en muestras de diodos láser suministrados por diferentes fabricantes: Ferdinand Braun Institut für Hóchstfrequenztechnik, Thales Research and Technology y la Universidad de Würzburg. Debido a esto las muestras de los láseres se han suministrado en diferentes configuraciones, utilizándose tanto dispositivos con cavidades de área ancha como de tipo caballete (“ridge”). En los trabajos se ha realizado el diseño y la construcción de los montajes experimentales y la implementación de los métodos analíticos necesarios para el estudio de las diferentes muestras. En los montajes experimentales se han implementado procesos para el filtrado espacial de los modos laterales de la cavidad presentes en los láseres de área ancha. Los métodos analíticos implementados se han utilizado para reducir los errores existentes en los sistemas de medida, mejorar su precisión y para separar la variación de índice en debida al calentamiento y la variación de corriente cuando los láseres operan en continua. El estudio sistemático de las propiedades de ópticas de los diodos láser basados en QW y QD ha permitido concluir que propiedades como el factor de ensanchamiento de línea no tienen por qué ser necesariamente inferiores en estos últimos, ya que dependen de las condiciones de inyección. En los láseres de QW se ha observado experimentalmente una reducción del factor de ensanchamiento de línea al alcanzarse la segunda transición, debido al aumento de la ganancia diferencial. ABSTRACT This thesis includes the experimental work for the characterization of optical properties of quantum well (QW) and quantum dot (QD) laser diodes. The properties that have been studied in these devices are the gain, differential gain, differential index and the linewith enhancement factor (LEF). The understating of these properties is of special importance for the design of new laser diodes to be used in exigent applications such as optical communications or medical applications. The study has been carried out using laser samples supplied by different manufacturers: Ferdinand Braun Institut fu¨r H¨ochstfrequenztechnik, Thales Research and Technology and the University of Wu¨rzburg. Because of this the laser samples were supplied in various configurations, using both broad area and ridge devices. In the work it has been done the design and construction of the experimental setups and implementation of analytical methods required for the study of the different devices. In the experimental set-ups it has been implemented a spatial filtering process to remove the lateral modes present in broad area lasers. The implemented analytical methods has been used to reduce the experimental errors in the measurement systems, improve the accuracy and separate the index variation caused by heating and current variation when the lasers operated on continuous wave. The systematic study of the optical properties of the QW and QD laser diodes has allowed concluding that properties such the linewith enhancement factor does not have to be necessary to be lower in the QD devices, since it is dependent on the injections conditions. In this work it has been experimentally observed a reduction of the linewith enhancement factor where the second transition has been reached mainly due to in the increased of the differential gain which is observed in this situation.

Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications

El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.

Aportación de técnicas geoespaciales para la determinación de los niveles de referencia de la deforestación y la degradación de bosques en el ámbito de proyectos REDD. análisis de factores de causalidad subyacentes y directos

La pérdida de bosques en la Tierra, principalmente en ecosistemas amazónicos, es un factor clave en el proceso del cambio climático. Para revertir esta situación, los mecanismos REDD (Reducing Emission from Deforestation and forest Degradation) están permitiendo la implementación de actividades de protección del clima a través de la reducción de emisiones por deforestación evitada, según los esquemas previstos en el Protocolo de Kioto. El factor técnico más crítico en un proyecto REDD es la determinación de la línea de referencia de emisiones, que define la expectativa futura sobre las emisiones de CO2 de origen forestal en ausencia de esfuerzos adicionales obtenidos como consecuencia de la implementación del programa REDD para frenar este tipo de emisiones. La zona del estudio se ubica en la región de San Martín (Perú), provincia cubierta fundamentalmente por bosques tropicales cuyas tasas de deforestación son de las más altas de la cuenca amazónica. En las últimas décadas del siglo XX, la región empezó un acelerado proceso de deforestación consecuencia de la integración vial con el resto del país y la rápida inmigración desde zonas rurales en busca de nuevas tierras agrícolas. Desde el punto de vista de la investigación llevada a cabo en la tesis doctoral, se pueden destacar dos líneas: 1. El estudio multitemporal mediante imágenes de satélite Landsat 5/TM con el propósito de calcular las pérdidas de bosque entre períodos. El estudio multitemporal se llevó a cabo en el período 1998-2011 utilizando imágenes Landsat 5/TM, aplicando la metodología de Análisis de Mezclas Espectrales (Spectral Mixtures Analysis), que permite descomponer la reflectancia de cada píxel de la imagen en diferentes fracciones de mezcla espectral. En este proceso, las etapas más críticas son el establecimiento de los espectros puros o endemembers y la recopilación de librerías espectrales adecuadas, en este caso de bosques tropicales, que permitan reducir la incertidumbre de los procesos. Como resultado de la investigación se ha conseguido elaborar la línea de referencia de emisiones histórica, para el período de estudio, teniendo en cuenta tanto los procesos de deforestación como de degradación forestal. 2. Relacionar los resultados de pérdida de bosque con factores de causalidad directos e indirectos. La determinación de los procesos de cambio de cobertura forestal utilizando técnicas geoespaciales permite relacionar, de manera significativa, información de los indicadores causales de dichos procesos. De igual manera, se pueden estimar escenarios futuros de deforestación y degradación de acuerdo al análisis de la evolución de dichos vectores, teniendo en cuenta otros factores indirectos o subyacentes, como pueden ser los económicos, sociales, demográficos y medioambientales. La identificación de los agentes subyacentes o indirectos es una tarea más compleja que la de los factores endógenos o directos. Por un lado, las relaciones causa – efecto son mucho más difusas; y, por otro, los efectos pueden estar determinados por fenómenos más amplios, consecuencia de superposición o acumulación de diferentes causas. A partir de los resultados de pérdida de bosque obtenidos mediante la utilización de imágenes Landsat 5/TM, se investigaron los criterios de condicionamiento directos e indirectos que podrían haber influido en la deforestación y degradación forestal en ese período. Para ello, se estudiaron las series temporales, para las mismas fechas, de 9 factores directos (infraestructuras, hidrografía, temperatura, etc.) y 196 factores indirectos (económicos, sociales, demográficos y ambientales, etc.) con, en principio, un alto potencial de causalidad. Finalmente se ha analizado la predisposición de cada factor con la ocurrencia de deforestación y degradación forestal por correlación estadística de las series temporales obtenidas. ABSTRACT Forests loss on Earth, mainly in Amazonian ecosystems, is a key factor in the process of climate change. To reverse this situation, the REDD (Reducing Emission from Deforestation and forest Degradation) are allowing the implementation of climate protection activities through reducing emissions from avoided deforestation, according to the schemes under the Kyoto Protocol. Also, the baseline emissions in a REDD project defines a future expectation on CO2 emissions from deforestation and forest degradation in the absence of additional efforts as a result of REDD in order to stop these emissions. The study area is located in the region of San Martín (Peru), province mainly covered by tropical forests whose deforestation rates are the highest in the Amazon basin. In the last decades of the twentieth century, the region began an accelerated process of deforestation due to road integration with the rest of the country and the rapid migration from rural areas for searching of new farmland. From the point of view of research in the thesis, we can highlight two lines: 1. The multitemporal study using Landsat 5/TM satellite images in order to calculate the forest loss between periods. The multitemporal study was developed in the period 1998-2011 using Landsat 5/TM, applying the methodology of Spectral Mixture Analysis, which allows decomposing the reflectance of each pixel of the image in different fractions of mixture spectral. In this process, the most critical step is the establishment of pure spectra or endemembers spectra, and the collecting of appropriate spectral libraries, in this case of tropical forests, to reduce the uncertainty of the process. As a result of research has succeeded in developing the baseline emissions for the period of study, taking into account both deforestation and forest degradation. 2. Relate the results of forest loss with direct and indirect causation factors. Determining the processes of change in forest cover using geospatial technologies allows relating, significantly, information of the causal indicators in these processes. Similarly, future deforestation and forest degradation scenarios can be estimated according to the analysis of the evolution of these drivers, taking into account other indirect or underlying factors, such as economic, social, demographic and environmental. Identifying the underlying or indirect agents is more complex than endogenous or direct factors. On the one hand, cause - effect relationships are much more diffuse; and, second, the effects may be determined by broader phenomena, due to superposition or accumulation of different causes. From the results of forest loss obtained using Landsat 5/TM, the criteria of direct and indirect conditioning that might have contributed to deforestation and forest degradation in that period were investigated. For this purpose, temporal series, for the same dates, 9 direct factors (infrastructure, hydrography, temperature, etc.) and 196 underlying factors (economic, social, demographic and environmental) with, in principle, a high potential of causality. Finally it was analyzed the predisposition of each factor to the occurrence of deforestation and forest degradation by statistical correlation of the obtained temporal series.