Studio di livelli profondi in nanofili di silicio
| Contribuinte(s) |
Cavallini, Anna |
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| Data(s) |
13/12/2013
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| Resumo |
Si riassumono le principali proprietà e applicazioni di dispositivi basati su nanofili. Si descrivono le tecniche utilizzate in laboratorio per analizzare livelli profondi in nanofili di Silicio con particolare attenzione ai concetti teorici alla base di questi metodi. |
| Formato |
application/pdf |
| Identificador |
http://amslaurea.unibo.it/6264/1/bollan_nicoleedmea_tesi.pdf Bollan, Nicole Edmea (2013) Studio di livelli profondi in nanofili di silicio. [Laurea], Università di Bologna, Corso di Studio in Fisica [L-DM270] <http://amslaurea.unibo.it/view/cds/CDS8007/> |
| Relação |
http://amslaurea.unibo.it/6264/ |
| Direitos |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Palavras-Chave | #Nanofili silicio livelli profondi DLTS #scuola :: 843899 :: Scienze #cds :: 8007 :: Fisica [L-DM270] #sessione :: seconda |
| Tipo |
PeerReviewed |
