Estudo do crescimento e caracterização de nanofitas do sistema ITO

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Nanoestruturas unidimensionais (1D) é foco de intensivos estudos para possibilitar a fabricação de dispositivos nano escalares e sensores. As nanofitas de óxidos metálicos como In2O3 e SnO2 têm sido estudadas devido as suas excelentes propriedades elétricas e sensoras. A dopagem intencional desses óxidos pode modificar suas propriedades e render novas aplicações, pois nanofitas de óxido de índio dopadas de estanho (ITO) possuem alta condutividade elétrica e alta transmitância na região do espectro visível. O objetivo desse trabalho foi estudar o crescimento de nanoestruturas de In2O3 dopado com estanho (ITO) sintetizadas via fase vapor pelo processo de redução carbotérmica com a co-evaporação dos óxidos. Os materiais obtidos nas sínteses foram caracterizados por difração de raios X, espectroscopia no ultravioleta-visível, medidas elétricas e microscopia eletrônica. Para esse estudo foram variadas algumas condições de síntese objetivando obter nanofitas de ITO que apresentassem boa homogeneidade estrutural e morfológica. Na primeira etapa do estudo variou-se a razão óxido/carbono nos materiais de partida, e os resultados mostraram que as variadas proporções de óxidos e carbono influenciam nas fases de crescimento das nanoestruturas. A síntese que apresentou melhor homogeneidade teve seu tempo de patamar variado e, por fim, variou-se o fluxo de gás de arraste, sendo que esses dois parâmetros não influenciam significativamente na homogeneidade do material obtido. Desta forma, otimizou-se as condições de síntese sem que houvesse prejuízo na qualidade do material obtido, o que é importante visando aplicações tecnológicas do material. Além disso, com base nos resultados de microscopia eletrônica e nas reações químicas que ocorrem durante a síntese um mecanismo de crescimento das nanoestruturas foi proposto.

1D nanostructures is the main focus of many studies due to the possibility to produce devices with high performance.Nanobelts of the metallic oxides In2O3 and SnO2 have been studied because its excellent electrical and sensing properties. The intentional doping of the oxides can modify its properties and yield new applications because tin doped indium oxide nanobelts (ITO) have high electrical conductivity and high transmittance in the visible spectrum. The aim of this work was to study the growth of tin doped In2O3 (ITO) nanostructures synthesized by vapor phase using the Carbothermal reduction process with the co-evaporation of oxides. The materials obtained after the synthesis were characterized by X-ray diffraction, spectroscopy in the ultraviolet-visible, electrical measurements and electron microscopy. For this study were used different conditions of synthesis, aiming to obtain ITO nanobelts with good structural and morphological homogeneity. In the first stage of the study the parameter altered was ratio ranged oxide / carbon in the starting material, and the results showed that different proportions of oxides and carbon influenced the phases that nanostructures were obtained. The synthesis that presented the best homogeneity had his time varied and, finally, ranged up the flow of gas drag of level varied, and that these two parameters did not significantly affect the homogeneity of the material. Thus, the conditions for synthesis were optimized with no loss in quality of material, which is important for technological applications of the material. Furthermore, based on the results of electron microscopy and chemical reactions that occur during the synthesis, and a growth mechanism nanostructures was proposed.