Effective aspect-ratio and gate-capacitance in circular geometry MOS transistors
| Contribuinte(s) |
Universidade Estadual Paulista (UNESP) |
|---|---|
| Data(s) |
20/05/2014
20/05/2014
01/10/1996
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| Formato |
1524-1525 |
| Identificador |
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(96)00043-3 Solid-state Electronics. Oxford: Pergamon-Elsevier B.V., v. 39, n. 10, p. 1524-1525, 1996. 0038-1101 http://hdl.handle.net/11449/37896 10.1016/0038-1101(96)00043-3 WOS:A1996VJ86600019 |
| Idioma(s) |
eng |
| Publicador |
Elsevier B.V. |
| Relação |
Solid-state Electronics |
| Direitos |
closedAccess |
| Tipo |
info:eu-repo/semantics/article |
