Deposição de A/N por sputtering não reativo

In this work we deposit via non-reactive magnetron sputtering of radio-frequency nanofilmes of nitreto of aluminum(AlN). The nanofilms aluminum nitride are semiconductors materials with high thermal conductivity, high melting point, piezoelectricity and wide band gap (6, 2 eV) with hexagonal wurtzite crystal structure, belonging to the group of new materials called III-V nitrides in which together with the gallium nitride and indium nitride have attracted much interest because they have physical and chemical properties relevant to new technological applications, mainly in microelectronic and optoelectronic devices. Three groups were deposited with thicknesses nanofilms time dependent on two substrates (glass and silicon) at a temperature of 25 ° C. The nanofilms AlN were characterized using three techniques, X-ray diffraction, Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM), examined the morphology of these. Through the analysis of X-rays get the thickness of each sample with its corresponding deposition rate. The analysis of X-rays also revealed that nanofilms are not crystalline, showing the amorphous character of the samples. The results obtained by the technique, atomic force microscopy (AFM) agree with those obtained using the technique of X-rays. Characterization by Raman spectroscopy revealed the existence of active modes characteristic of AlN in the samples

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico

Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes ao grupo de novos materiais denominados nitretos III-V que em conjunto com o nitreto de gálio e o nitreto de índio têm despertado muito interesse por possuírem propriedades físico-químicas relevantes para novas aplicações tecnológicas, principalmente em microeletrônica e dispositivos optoeletrônicos. Foram depositados três grupos de nanofilmes com as espessuras dependêntes do tempo, sobre dois tipos de substratos (vidro e silício) a uma temperatura de 25°C. Os nanofilmes de AlN foram caracterizados usando três técnicas, a difração de raios-X, espectroscopia Raman e microscopia de força atômica (AFM), analisado-se a morfologia desses. Através da análise dos raios-X obtemos a espessura de cada amostra com sua respectiva taxa de deposição. A análise dos raios-X também revelou que os nanofilmes não são cristalinos, evidenciando o caráter amorfo das amostras. Os resultados obtidos através da técnica, microscopia de força atômica (AFM) concordam com os obtidos usando a técnica de raios-X. A caracterização por espectroscopia Raman evidenciou a existência de modos ativos característicos do AlN nas amostras analisadas