Low-resistance spin-dependent tunnel junctions with HfAlOx barriers for high-density recording-head application
| Contribuinte(s) |
Universitat de Barcelona |
|---|---|
| Data(s) |
04/05/2010
|
| Identificador | |
| Idioma(s) |
eng |
| Publicador |
IEEE |
| Direitos |
(c) IEEE, 2002 info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Palavras-Chave | #Espectroscòpia de raigs X #Espectroscòpia d'electrons #Compostos de metalls de transició #Electromagnetisme #Microscòpia electrònica de transmissió #Efecte túnel #X-Ray spectroscopy #Electron spectroscopy #Transition metal compounds #Electromagnetism #Transmission electron microscopy #Tunneling (Physics) |
| Tipo |
info:eu-repo/semantics/article |
