Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layers
| Contribuinte(s) |
Universitat de Barcelona |
|---|---|
| Data(s) |
04/05/2010
|
| Identificador | |
| Idioma(s) |
eng |
| Publicador |
The American Physical Society |
| Direitos |
(c) The American Physical Society, 1992 info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Palavras-Chave | #Electrònica de l'estat sòlid #Propietats òptiques #Luminescència #Semiconductors #Microscòpia electrònica de transmissió #Solid state electronics #Optical properties #Photoluminescence #Semiconductors #Transmission electron microscopy |
| Tipo |
info:eu-repo/semantics/article |
