Gallium-Indium-Zinc-Oxide-Based Thin-Film Transistors: Influence of the Source/Drain Material

Autoria(s): Barquinha, Pedro M. C.; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Gonçalves, Gonçalo; Pereira, Luís M. N.; Martins, Rodrigo F. P.; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Fortunato, Elvira M. C.
Contribuinte(s)

Universitat de Barcelona
Data(s)

04/05/2010
Identificador

http://hdl.handle.net/2445/8760
Idioma(s)

eng
Publicador

IEEE
Direitos

(c) IEEE, 2008

info:eu-repo/semantics/openAccess
Palavras-Chave #Espectrometria de masses #Semiconductors amorfs #Annealing #Secondary ion mass spectroscopy #Thin film transistors #Time of flight #Mass spectrometers
Tipo

info:eu-repo/semantics/article
Acesso ao item digital