Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS
| Contribuinte(s) |
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria Nafría i Maqueda, Montserrat Martín Martínez, Javier |
|---|---|
| Data(s) |
01/09/2011
|
| Formato |
89 p. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
spa |
| Direitos |
info:eu-repo/semantics/openAccess L'accés als continguts d'aquest document queda condicionat a l'acceptació de les condicions d'ús establertes per la següent llicència Creative Commons: http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
| Fonte |
RECERCAT (Dipòsit de la Recerca de Catalunya) |
| Palavras-Chave | #Metall òxid semiconductors complementaris -- Fiabilitat #Ruptura elèctrica #62 - Enginyeria. Tecnologia |
| Tipo |
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis |
