Model analític de les característiques DC de transistors de doble porta
| Contribuinte(s) |
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola Tècnica Superior d'Enginyeria Jiménez Jiménez, David |
|---|---|
| Data(s) |
01/05/2007
|
| Resumo |
En aquest treball s’implementa un model analític de les característiques DC del MOSFET de doble porta (DG-MOSFET), basat en la solució de l’equació de Poisson i en la teoria de deriva-difussió[1]. El MOSFET de doble porta asimètric presenta una gran flexibilitat en el disseny de la tensió llindar i del corrent OFF. El model analític reprodueix les característiques DC del DG-MOSFET de canal llarg i és la base per construir models circuitals tipus SPICE. En este trabajo se implementa un modelo analítico de las características DC del MOSFET de doble puerta (DG-MOSFET) basado en la solución de la ecuación de Poisson y en la teoría de deriva-difusión[1]. El MOSFET de doble puerta asimétrico presenta una gran flexibilidad en el diseño de la tensión umbral y de la corriente OFF. El modelo analítico reproduce las características DC del DG-MOSFET de canal largo y es la base para construir modelos circuitales tipo SPICE. In this work an analytical model of characteristics DC of the double gate MOSFET (DG-MOSFET) based on the solution of the equation of Poisson and on the theory of derive-diffusion[1] is implemented. Double gate MOSFET presents a great flexibility in the design of the threshold voltage and current OFF. The analytical model reproduces characteristics DC of the long channel DG-MOSFET and is the base to construct to SPICE circuit models. |
| Formato |
26 p. 302986 bytes application/pdf |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
cat |
| Direitos |
Aquest document està subjecte a una llicència d'ús de Creative Commons, amb la qual es permet copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra sempre que se'n citin l'autor original, la universitat i l'escola i no se'n faci cap ús comercial ni obra derivada, tal com queda estipulat en la llicència d'ús (http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/es/) |
| Palavras-Chave | #Transistors d'efecte de camp de metall òxid semiconductor #621.3 - Enginyeria elèctrica. Electrotècnia. Telecomunicacions |
| Tipo |
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis |
