SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造
| Data(s) |
2009
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| Resumo |
在基于单壁碳纳米管(SWCNT)的纳电子器件或系统制备过程中,SWCNT场效应晶体管(SWCNTFET)作为最基本的构成元件,如何进行其可控装配与制造成为了关键课题.为此,在利用十二烷基硫酸纳(SDS)辅助超声分散SWCNT及离心去除杂质的基础上,针对所设计制作的背栅式FET微电极芯片,采用介电泳驱动方法实现了SWCNT的可控均匀排布与装配.排布与装配实验表明,SWCNT在电极间隙处具有很好的均匀定向排布与装配效果,且沿电极宽度方向的排布密度与电泳持续时间、溶液浓度基本成正比.经过初步漂洗及干燥,再通过场效应特性改善处理,烧断金属性SWCNT并进一步去除残留的SDS,获得了良好的SWCNTFET场效应特性. 国家高技术研究发展计划(编号:2006AA04Z320);;中国科学院王宽诚科研奖金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Palavras-Chave | #单壁碳纳米管 #场效应晶体管 #介电泳装配 #场效应特性改善 |
| Tipo |
期刊论文 |
