非晶态TiO_2-SiO_2网络缺陷和Ti配位结构的ESR研究


Autoria(s): 周宇清; 李家强; 侯兰田
Data(s)

1990

Resumo

在SiO_2中掺杂其它原子会导致熔石英SiO_4四面体网络部分破坏,形成缺陷。主要缺陷有非桥氧,E′心和过氧基。非桥氧为仅与一个Si原子(或Ti原子)成单键的O原子。E′心为与三氧配位的Si原子。剩余一个未配对的印杂化电子形成悬键轨道。过氧基则为游离氧被非桥氧俘获,或非桥氧彼此俘获而形成的。这三种缺陷各有一个未配对电子,因而具有

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/40063

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/164405

Idioma(s)

中文

Fonte

周宇清;李家强;侯兰田 .非晶态TiO_2-SiO_2网络缺陷和Ti配位结构的ESR研究 ,吉林大学自然科学学报 ,1990,(3):65-66

Palavras-Chave #非晶态 #缺陷 #配位结构 #ESR谱
Tipo

期刊论文