电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积
| Data(s) |
1991
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|---|---|
| Resumo |
研究了含Cu~(2+),In~(3+),HSeO_2~+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王江山;谭正;糜天英;孙公权 .电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积 ,中国科学B辑,1991,(6 ):583-589 |
| Palavras-Chave | #光电化学电池 #电沉积 #多晶薄膜 |
| Tipo |
期刊论文 |
