多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究


Autoria(s): 李军; 谭正; 糜天英; 孙公权
Data(s)

1992

Resumo

测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值时的平带电位Φ(?)和禁带宽度E(?).当(1-x)值增大时,平带电位正移,禁带宽度E(?)变小,导带位置下降(负移),价带位置基本保持不变.系列Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫溶液中的开路光电压比由平带电位Φ_(fb)推算出的极限开路光电压低,因此存在着提高实际开路光电压的潜力.

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/37995

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/163372

Idioma(s)

中文

Fonte

李军;谭正;糜天英;孙公权 .多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究 ,化学学报 ,1992,50(8):752-755

Palavras-Chave #汞镉碲 #界面科学 #光电化学
Tipo

期刊论文