成键和极化对电子云扩大效应的影响


Autoria(s): 高发明; 张思运
Data(s)

1993

Resumo

本文研究了不同晶体中过渡元素的电子云扩大效应参数β(β=1-k·h),发现它与配位体数目N,配位体和全属离子化学健的共价性f_c及配位体的键城极化率d_L有关,给出h参数的表达式:h=(f_c·α_L·N)~(1/2),最后计算了若干晶体的h值和Cr~(3+),Co~(2+),Ni~(2+),Mn~(2+),Ti~(2),V~(2+),Cr~(2+),Fe~(2+)等离子的k值。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36907

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/162397

Idioma(s)

中文

Fonte

高发明;张思运 .成键和极化对电子云扩大效应的影响 ,化学物理学报 ,1993,6(4):321-327

Tipo

期刊论文