十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究


Autoria(s): 吴金兰; 郭渡; 章咏华; 王新平
Data(s)

1993

Resumo

首次尝试用Langmiur-Blodgett(LB)技术修饰PVC液膜离子选择性电极,在PVC液膜表面上制得十六烷基三辛基铵-氯金酸LB膜,明显改善了PVC液膜金离子选择性电极的某些工作性能。电极线性响应范围为1×10~(-2)~1×10~(-7)mol/L,对常见的9种阳离子和4种阴离子的干扰能力明显的增强,响应速度也有所提高。若能改进挂膜方式,可望进一步改善有关性能。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36549

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/162039

Idioma(s)

中文

Fonte

吴金兰;郭渡;章咏华;王新平 .十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究 ,分析化学 ,1993,21(10 ):1131-1134

Palavras-Chave #Langmuuir-Boldgett膜 #液膜 #选择性电极 #氯金酸
Tipo

期刊论文