十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究
Data(s) |
1993
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Resumo |
首次尝试用Langmiur-Blodgett(LB)技术修饰PVC液膜离子选择性电极,在PVC液膜表面上制得十六烷基三辛基铵-氯金酸LB膜,明显改善了PVC液膜金离子选择性电极的某些工作性能。电极线性响应范围为1×10~(-2)~1×10~(-7)mol/L,对常见的9种阳离子和4种阴离子的干扰能力明显的增强,响应速度也有所提高。若能改进挂膜方式,可望进一步改善有关性能。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
吴金兰;郭渡;章咏华;王新平 .十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究 ,分析化学 ,1993,21(10 ):1131-1134 |
Palavras-Chave | #Langmuuir-Boldgett膜 #液膜 #选择性电极 #氯金酸 |
Tipo |
期刊论文 |