以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备
Data(s) |
1993
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Resumo |
在镀铂的玻碳电极表面,修饰一层全氟代磺酸酯(Nafion)膜,制成基底电极。用化学交联法将半乳糖氧化酶(GAD)固定在基底电极表面,即制成半乳糖传感器。和光亮铂相比,镀铂电极对过氧化氢有更高的响应,而Nafion膜可以消除抗坏血酸,尿酸等电活性物质对测定的影响,提高了酶电极测定的选择性。D-半乳糖测定的线性范围为0.25~4.25 mmol/L,响应时间小于30s。电极连续使用300次,没有明显的电流变化。该电极具有快速、准确,选择性高的特点。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
纪学锋;章咏华 .以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备 ,分析化学 ,1993,21(5 ):519-522 |
Palavras-Chave | #Nafion #半乳糖氧化酶 #电流式传感器 |
Tipo |
期刊论文 |