以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备


Autoria(s): 纪学锋; 章咏华
Data(s)

1993

Resumo

在镀铂的玻碳电极表面,修饰一层全氟代磺酸酯(Nafion)膜,制成基底电极。用化学交联法将半乳糖氧化酶(GAD)固定在基底电极表面,即制成半乳糖传感器。和光亮铂相比,镀铂电极对过氧化氢有更高的响应,而Nafion膜可以消除抗坏血酸,尿酸等电活性物质对测定的影响,提高了酶电极测定的选择性。D-半乳糖测定的线性范围为0.25~4.25 mmol/L,响应时间小于30s。电极连续使用300次,没有明显的电流变化。该电极具有快速、准确,选择性高的特点。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36499

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/161989

Idioma(s)

中文

Fonte

纪学锋;章咏华 .以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备 ,分析化学 ,1993,21(5 ):519-522

Palavras-Chave #Nafion #半乳糖氧化酶 #电流式传感器
Tipo

期刊论文