EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究


Autoria(s): 张瑞峰; 李兴林; 于亚莉; 王给祥
Data(s)

1994

Resumo

用电子束加热真空蒸发法(EBV法)制备了厚度为350nm的ZnIn2S4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果;通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型,典型膜的电阻率为2.5×10-1Ω·cm,Hall迁移率为52cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.42×1017cm-3,禁带宽度为2.13eV。探讨了ZnIn2S4膜的导电机理,并制作了ZnIn2S4-Si太阳电池。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/28287

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/161143

Idioma(s)

中文

Fonte

张瑞峰;李兴林;于亚莉;王给祥 .EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究 ,太阳能学报 ,1994,15(2):142-146

Palavras-Chave #电子束蒸发法 #ZnIn_2S_4薄膜 #电子能谱 #Znln2S4-Si电池
Tipo

期刊论文