EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究
Data(s) |
1994
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Resumo |
用电子束加热真空蒸发法(EBV法)制备了厚度为350nm的ZnIn2S4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果;通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型,典型膜的电阻率为2.5×10-1Ω·cm,Hall迁移率为52cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.42×1017cm-3,禁带宽度为2.13eV。探讨了ZnIn2S4膜的导电机理,并制作了ZnIn2S4-Si太阳电池。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
张瑞峰;李兴林;于亚莉;王给祥 .EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究 ,太阳能学报 ,1994,15(2):142-146 |
Palavras-Chave | #电子束蒸发法 #ZnIn_2S_4薄膜 #电子能谱 #Znln2S4-Si电池 |
Tipo |
期刊论文 |