钴卟啉修饰电极对分子氧电催化还原的扫描隧道显微镜研究


Autoria(s): 李晶; 张柏林; 汪尔康
Data(s)

1994

Resumo

利用扫描隧道显微镜(STM)研究了高定向热解石墨(HOPG)和玻璃碳电极(GC)表面的性质,并对修饰钻卟啉后的表面形貌变化进行了探讨.结合修饰钴卟啉前后的循环伏安结果和STM形貌图,讨论了电极表面的结构对分子氧的电催化还原反应的影响.从微观角度阐述了GC电极对氧的电催化还原活性明显高于HOPG电极的内在因素,为修饰电极的表面性能研究提供了经验.

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/28201

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/161057

Idioma(s)

中文

Fonte

李晶;张柏林;汪尔康 .钴卟啉修饰电极对分子氧电催化还原的扫描隧道显微镜研究 ,化学学报 ,1994,52(7 ):646-651

Palavras-Chave #扫描隧道显微镜 #高定向热解石墨 #玻璃碳电极 #电催化还原
Tipo

期刊论文