OH~-存在下四苯基卟啉合钴氧化过程的电化学和光谱电化学

本文利用薄层伏安和现场光谱电化学方法考察了在EtCl_2中OH~-存在下四苯基卟啉合钴(TPP)CO~Ⅱ的电极氧化反应. 在低浓度OH~-存在下,(TPP)CO~Ⅱ与OH~-生成一配位的配合物(TPP)CO~Ⅱ(OH)~-,此配合物不可逆地被氧化为(TPP)CO~Ⅲ(OH)~-,氧化峰电位负移到0.53V,而卟啉环第一步氧化电位也负移到0.88 V.在高浓度OH~-存在下,(TPP)CO~Ⅱ(OH)~-氧化生成(TPP)Ca~Ⅲ(OH)_2~(2-),氧化电位随OH~-度增加向负移.卟啉环第一步和第二步氧化电位分别负移到0.57V和1.07V.同时观察到第二步氧化伴随后行化学反应,产物氧化电位在1.32V.测定了(TPP)CO~Ⅱ(OH)~-,(TPP)CO~Ⅲ(OH)~-和(TPP)Co~Ⅲ(OH)_2~(2-),(TPP)~+Co~Ⅲ(OH)~-和(TPP)~+Co~(Ⅲ)(OH)_2~(2-)各级配位化合物稳定常数.提出一个在OH~-滴定过程中(TPP)Co的各步配位反应及电化学反应的机理.