神经递质多巴胺在AQ修饰组合微电极上的伏安行为及其伏安溶出法测定

本文研究了神经递质多巴胺(DA)在AQ聚合物薄膜修饰组合微盘电极上的电化学行为。结果表明,在pH7.0的磷酸缓冲溶液中,修饰组合微盘电极经电化学处理后,DA的氧化还原峰电位差较小(约为80mV),氧化峰、还原峰的峰形比较对称。在选定条件下,DA的伏安溶出峰电流与浓度在1.0×10~(-6)～8.0×10~(-6)mol/L范围内呈线性关系。厚的AQ膜修饰组合微电极可基本上消除抗坏血酸的干扰。利用AQ膜修饰的微盘电极测定DA和肾上腺素(E)在膜中的扩散系数,分别为4.1X10~(-8)cm~2/s和2.4×10~(-8)cm~2/s。