MLNi_(4-x)MnAl_x贮氢电极的交流阻抗研究


Autoria(s): 赵东江; 马松艳; 蔡称心; 王宝忱
Data(s)

1994

Resumo

MH电极的交流抗阴搞图谱由两个半圆组成,低频区大半圆对应于氢的吸收过程,高频区小半圆对应于电化学反应过程.对于MLNi_(4-x)MnAl_x电极,随着Al含量的增加,阻抗图谱低频半圆明显增大,而高频半圆几乎不变;此外、电极的循环次数、充放电状态等对阻抗图谱均有较大影响.

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/27883

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/160740

Idioma(s)

中文

Fonte

赵东江;马松艳;蔡称心;王宝忱 .MLNi_(4-x)MnAl_x贮氢电极的交流阻抗研究 ,电源技术 ,1994,(2):29-32

Palavras-Chave #贮氢电极 #吸附 #氧化膜
Tipo

期刊论文