高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
在４．５～５．０ＧＰａ，１５００～１８００℃范围内，对在Ｌｉ基复合氮化物或氮硼化物的催化体系中以及其中添加Ｌｉ８ＳｉＮ４后合成ｃＢＮ进行了研究，探讨了ｃＢＮ晶体的表面构造和生长机制，研究了由六方氨化硼向立方氮化硼转变过程中硅的存在行为．本实验中合成的立方氮化硼为具有光泽的棕色透明单晶． |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周艳平，闫学伟，马贤峰，赵廷河 .高温高压下立方氮化硼晶体的生长机制 ,无机材料学报 ,1995,10 (4):391-398 |
| Palavras-Chave | #高温高压 #cBN #位错生长机制 #表面构造 #相变 |
| Tipo |
期刊论文 |
