硅在cBN单晶合成中的行为

实验制备了复合氮化物Ｌｉ＿８ＳｉＮ＿４，并对合成温度、合成时间、气流量等因素的影响以及产物的稳定性进行了讨论。研究了Ｌｉ＿８ＳｉＮ＿４作为触媒添加剂时硅在ｃＢＮ单晶合成中的作用。结果表明：ｃＢＮ晶体多为截角八面体，晶面致密光滑；硅参与ｃＢＮ的合成反应，并以ＳｉＯ＿２的形式沉积在ｃＢＮ表面。