高压下石榴石Gd_3In_2Ga_3O_(12)的合成


Autoria(s): 马贤锋; 周艳平; 阎学伟
Data(s)

1996

Resumo

Gd_3Ga_5O_(12)稀土材料具有Ga~(3+)离子易于被其它离子部分取代的特点.Gd_3Sc_2Ga_3O_(12),Gd_3Lu_2Ga_3O_(12)和Gd_3In_2Ga_3O_(12)作为膜磁光材料YIG和Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)的衬底引起关注. 这些材料可以通过固相反应、浮熔法、提拉法合成,但它们的高压合成未见报道.本文首次利用高温高压方法实现了Gd_3In_2Ga_3O_(12)的合成,并对其合成区进行了研究.

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/25999

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/158861

Idioma(s)

中文

Fonte

马贤锋;周艳平;阎学伟 .高压下石榴石Gd_3In_2Ga_3O_(12)的合成 ,科学通报 ,1996,41 (5 ):418-421

Palavras-Chave #高压合成 #Gd_3In_2Ga_3O_12 #P-T合成区
Tipo

期刊论文