Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究


Autoria(s): 马贤锋; 阎学伟; 周艳平; 崔硕景
Data(s)

1996

Resumo

研究了高温高压下x·Li_8SiN_4-0.1(1-x)·Li_3N-0.9(1-x)·BN体系中立方氮化硼(cBN)的转化行为。Li_8SiN_4的存在可显著改善cBN晶体的发育,提高晶体质量。在4.2~5.5GPa,1340~1750℃范围内确定了x=4.8%时体系的cBN转化区,并对转化区内cBN转化率、平均生长速度、成核速度及破碎强度与转化温度和压力的关系进行了研究。

Identificador

http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/25989

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/158851

Idioma(s)

中文

Fonte

马贤锋;阎学伟;周艳平;崔硕景 .Li_8SiN_4-Li_3N-BN体系中立方BN转化行为的研究 ,中国科学(B辑 化学) ,1996,26(5 ):427-432

Palavras-Chave #高温高压 #Li_8SiN_4-Li_3N-BN #立方氮化硼 #晶体发育 #转化区 #转化规律
Tipo

期刊论文